基于云分支服务器的数据更新系统的设计与实现

基于海思Hi3716C嵌入式云分支服务器,提出了一种数据快速更新的解决方案.服务器采用Linux操作系统和B/S架构,搭建了数据更新服务平台.为满足云分支服务器实际需求,通过增加丢包重传和分组确认机制,改进了传输层UDP协议,然后利用分离请求和更新端口并行传输数据的多线程机制,设计了应用层的数据更新协议.本系统可同时更新多个云分支服务器的不同类型数据,特别是在大文件传输中,改进的UDP传输协议保证了数据更新的可靠性,提高了传输速度,增强了系统稳定性.测试结果表明,数据更新系统比传统方法传输速度更快,丢包率稳定在1％左右,能够实现数据快速传输,对大数据交互具有重要的实用价值.     

基于Hi3531平台的快速行人检测优化与实现

介绍了基于单芯片SoC Hi3531的快速行人检测的实现,以及基于平台及算法的速度优化方案.利用Hi3531硬件平台资源及智能引擎加速模块提供的基本算子,实现算法速度优化.同时提取不同色彩空间特征并训练相应特征模板用于行人检测,减少色彩空间转换耗费的计算时间.实验结果表明,在Hi3531平台上,在几乎不降低检测精度的情况下,一系列优化较大幅度地减少了单帧图像检测时间.     

Hi3515平台上自动聚焦技术的研究与应用

鉴于视频展示台中自动聚焦技术的实现越发重要,因此主要讲述了如何在Hi3515平台上实现自动聚焦功能.使用4×4整数DCT变换作为图像清晰与否的评价标准,此算法具有良好的单调性和无偏性,而且具有稳定性和快速性.最后在此评价函数的基础上,使用单调性法和爬山法相结合的方法实现了快速、精确的聚焦.     

基于海思芯片与鸿蒙操作系统的智慧灌溉系统设计

针对目前花草树木等植被的灌溉方式不智能、效率低、成本高且开发方式相对单一、不能很好地满足新时代智慧城市需求的问题,本文设计的智慧灌溉系统创新性地采用了鸿蒙操作系统.使用华为海思的Hi3861V100作为主控芯片,集成了SHT30温湿度传感器、土壤湿度传感器、抽水泵电机等模块,通过华为云平台远程实时监测和控制,根据土壤湿...     

Layer-by-layer growth of thin epitaxial Fe3Si films on GaAs (001)

Molecular beam epitaxy of Fe₃Si films on GaAs (001) is studied in situ by grazing incidence X-ray diffraction. Fe₃Si grows layer-by-layer. During deposition the growth front roughens as indicated by the damping of the X-ray oscillations and corresponding atomic force micrographs. The X-ray oscillations are modified during growth at substrate temperatures of 180 °C and below.     

关于耐磨性及耐磨材料几点误解探讨

就当前人们关于耐磨性及耐磨材料认识方面存在的几个问题 ,提出了看法     

高频直缝焊管机组的调整及常见生产故障的分析(二)

叙述了高频焊管生产前的准备工作和轧辊安装方法，以及在生产中的一些常见故障，并对故障原因进行了简要分析，提出了解决问题的具体方法，对焊管机组的作业人员有较强的指导作用。     

基于3G的无线智能视频监控系统的设计

依托嵌入式技术和移动通信网络的发展,提出了一个基于3G网络和海思Hi3515的无线智能视频监控方案,完成了系统的总体设计,介绍了系统的组成结构和各单元的工作原理,并着重阐述了智能视频监控前端的硬件和软件设计。监控系统集成智能视频分析、智能控制等功能,可以在监控事件中只传输监控的有用信息,能够灵活地设定监控信息的接收方,并且可以根据用户的控制信息选择相应的传输方式。PC监控端能够根据前端的监控视频数据获取相应的电子地图和周边信息,并可实现多路监控。     

蜂窝夹层结构传输性能随入射角变化规律研究*

使用高Q 谐振腔材料介电性能测试系统,对不同入射角下、不同格孔边长的NOMEX 纸蜂窝材料介电性能进行了测试。结果表明,相同格孔边长的情况下,NOMEX 纸蜂窝材料损耗角正切值随入射角的增大而增大,且小格孔蜂窝受入射角影响较大。为明确蜂窝材料介电性能的这种特性对夹层结构性能影响,设计并加工了一块5 层夹层结构等效平板,通过设计仿真结果和试验结果对比分析,并结合测试误差分析,明确了蜂窝介电性能随入射角变化对夹层结构传输性能的影响及其原因。     

In segregation effects during quantum dot and quantum ring formation on GaAs(001)

In segregation during InAs growth on GaAs(001) is studied using a real time, in situ technique capable of measuring sample accumulated stress. A 50% surface In segregation of liquid-like stress free matter is deduced. A picture of growth below critical thickness for quantum dot formation is discussed on the basis of the equilibrium between pseudomorphic InAs and liquid In dominated by the stress energy. Quantum rings are produced when large (>10 nm height) quantum dots are covered with 2 nm of GaAs cap. A formation mechanism of the rings is presented. The possibility of tailoring photoluminescence emission through control over size and shape is demonstrated.