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101.
针对融合RFID的无线湿度传感器节点设计的需求,采用中芯国际0.18μm CMOS工艺设计并制造了一种集成湿度传感器节点。该传感器节点采用湿度传感器与其它标签电路集成设计,制造成本低。湿度传感器单元采用聚酰亚胺作为感湿材料,利用顶层金属层制作叉指结构电极,无需任何后处理工艺。整流电路采用自偏置结构降低了MOS开关管的有效导通电压,避免了高成本肖特基工艺的使用。接口电路基于锁相环原理,采用全数字电容-数字直接转换结构,能够工作在超低电源电压下。后期测试结果显示,该无源湿度传感器标签在常温下灵敏度为18.75 f F/%RH,最大回滞偏差7%,整体功耗约为4μW,在阅读器发射功率为2 W条件下,最大工作距离达到14 m。 相似文献
102.
基于片上变压器耦合的CMOS功率放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一个2 GHz全集成的CMOS功率放大器(PA),该PA的匹配网络采用片上变压器实现,片上变压器用来实现单端信号和差分信号之间的转换和输入、输出端的阻抗匹配。采用ADS Momentum软件对片上变压器进行电磁仿真,在2 GHz频点,输入、级间和输出变压器的功率传输效率分别为74.2%,75.5%和78.4%。该PA基于TSMC 65 nm CMOS模型设计,采用Agilent ADS软件进行电路仿真,仿真结果表明:在2.5 V供电电压、2 GHz工作频率点,PA的输入、输出完全匹配到50Ω(S11=–22.4 d B、S22=–13.5 d B),功率增益为33.2 d B,最高输出功率达到23.4 d Bm,最高功率附加效率(PAE)达到35.3%,芯片面积仅为1.01 mm2。 相似文献
103.
提出了一种可应用于CMOS图像传感器的联合并行图像预处理算法,其中,色彩插值算法采用双线性插值法和边缘导向插值法相结合的方式来完成色彩还原,而降噪算法采用带阈值的空间自适应滤波降噪算法,在硬件语言描述算法时,将两种算法的处理过程进行了联合处理.实验仿真结果表明,通过对算法进行ISE仿真和Matlab显示处理,得到色彩饱和度较高的彩色图像,峰值信噪比(PSNR)为30~36 dB.整个处理过程有效地简化了片上系统(SOC)的图像处理过程,提高了算法的运算速度,节省了芯片面积且降低了系统功耗,为CMOS图像传感器的片上系统集成化设计提供了技术支持. 相似文献
104.
提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构.采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析.仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边缘电场强度,避免了器件的提前击穿.CMOS APD器件的击穿电压为9.2V,工作电压下响应率为0.65 A/W,最大内部量子效率达到90%以上,响应速度能够达到6.3 GHz,在400~900 nm波长范围内,能够得到很大的响应度. 相似文献
105.
图像信号处理技术的研究和应用在安防领域具有特殊的重要意义.介绍了一系列用于安防系统CMOS图像传感器片上图像信号处理电路的原理和算法.具体包括黑电平校正、镜头阴影校正、插值降噪、色彩校正、伽玛校正、自动白平衡、自动曝光、自动聚焦、YUV空间转换(RGB2YUV),以及背光补偿等模块处理电路等. 相似文献
106.
107.
随着电源电压的日益降低,信号幅度不断减小,在噪声保持不变的情况下,信噪比也会相应地减小。为了在低电源电压下获得高的信噪比,需提高信号幅度,而输入输出轨到轨运算放大器可获得与电源电压轨相当的信号幅度。中文在理论分析了输入输出轨到轨CMOS运算放大器主要架构优缺点后,给出了一种新的输入输出轨到轨CMOS运算放大器的设计,该电路在华润上华0.18 μm工艺平台上流片验证。测试结果表明,输入范围从0到电源电压,输出范围从50 mV到电源电压减去50 mV,实现了输入输出轨到轨的目标。 相似文献
108.
《Microelectronics Journal》2015,46(2):198-206
In this paper, a highly linear CMOS low noise amplifier (LNA) for ultra-wideband applications is presented. The proposed LNA improves both input second- and third-order intercept points (IIP2 and IIP3) by canceling the common-mode part of all intermodulation components from the output current. The proposed LNA structure creates equal common-mode currents with the opposite sign by cascading two differential pairs with a cross-connected output. These currents eliminate each other at the output and improve the linearity. Also, the proposed LNA improves the noise performance by canceling the thermal noise of the input and auxiliary transistors at the output. Detailed analysis is provided to show the effectiveness of the proposed LNA structure. Post-layout circuit level simulation results using a 90 nm RF CMOS process with Spectre-RF reveal 9.5 dB power gain, -3 dB bandwidth (BW−3dB) of 8 GHz from 2.4 GHz to 10.4 GHz, and mean IIP3 and IIP2 of +13.1 dBm and +42.8 dBm, respectively. The simulated S11 is less than −11 dB in whole frequency range while the LNA consumes 14.8 mW from a single 1.2 V power supply. 相似文献
109.
110.
《Microelectronics Journal》2015,46(11):1039-1045
A new CMOS differential current-mode AGC on the division operation based is presented. The operation principle consists in detection of both positive and negative envelopes of the differential input signal cycles, respectively. The output signal with constant magnitude is obtained by dividing the differential input signal to the difference between the positive and negative detected envelopes. The new current-mode architecture of the proposed AGC (composed only by an envelope detector and a divider stage) diminishes significantly the settling time, the circuit complexity and the power consumption. The circuit yields an input dynamic range of 15 dB and provides a constant magnitude output signal in the frequency range from 10 MHz to 70 MHz. The current consumption is 5 mA from a single 3.3 V supply voltage. The simulations performed in 0.13 µm CMOS process confirm the theoretically obtained results. 相似文献