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131.
基于开关信号理论的电流型CMOS多值施密特电路设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
杭国强 《电子学报》2006,34(5):924-927
以开关信号理论为指导,建立了描述电流型CMOS多值施密特电路中阈值控制电路的电流传输开关运算.在此基础上,提出了新的电流型CMOS三值和四值施密特触发器设计.所设计的电路可提供多值电流和电压输出信号,回差电流的大小只需通过改变MOS管的尺寸比来调节.所提出的电路较之以往设计具有结构简单,回差值调整容易以及可在较低电压下工作等特点.采用TSMC 0.25 μ m CMOS工艺参数和1.5V电压的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的有效性和电路所具有的理想回差特性.  相似文献   
132.
多传感器同步图像采集系统的设计   总被引:2,自引:1,他引:1  
提出了一种宽带宽、灵活的和可伸缩的多传感器同步图像采集系统的结构.设计了二进制树型拓扑结构传播统一的系统时钟和触发信号,采用CPLD提供传感器间的精确时序和同步.结构中的所有摄像机采用CMOS图像传感器采集图像.可以控制图像的尺寸、帧率以及摄像机之间的曝光顺序.为了适应不同应用对传输带宽和图像质量的不同要求,采用DSP加多种压缩算法对图像进行处理和压缩.来自所有摄像机的图像数据通过USB2.0总线采用同步传输模式传送到PC进行存储.给出了部分实现.  相似文献   
133.
为保证发射机高压电源在各种气象条件下都能正常工作,需对其电路中的高压电容进行涂覆防护.高压电容使用醇酸清漆涂覆工艺,因其操作方法较为繁琐,并且不符合环保要求,需使用新的涂覆工艺.介绍了聚对二甲苯真空涂覆的特点,并和用醇酸清漆涂覆的高压电容进行了对比试验,并全面比较了两种涂覆工艺方法,从而确定了聚对二甲苯真空涂覆工艺的可行性.  相似文献   
134.
从“硅技术是否已出现新的发展态势?”、“推动技术进步的模式是否在演变?”和“在这些演变中我们要注视些什么?”三个方面,探讨主流半导体技术(硅技术)发展阶段特点及其创新走向。分析指出,电子系统设计将在下一波硅技术进步中起着重要的作用,并以此为依据,讨论中电科技集团公司发挥综合优势,在我国电子技术领域中,发挥应有的主力军作用。  相似文献   
135.
吴剑群  秦明   《电子器件》2006,29(1):95-97,101
一种适用于二维CMOS风速计的集成控制电路,是采用恒温差的控制模式,能同时测量风速和风向。在简单介绍了该风速计的测量原理之后。主要介绍了恒温差控制电路的电路指标。方案选择,并给出了电路结构。通过SPICE模拟并经24所制造和后续的测试,最后给出了流片的静态测试结果。从静态特性看能满足我们的测试要求,并为下一步的动态测试莫定了基础。  相似文献   
136.
介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构,基于此结构设计,实现了超低压运算放大器。采用TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,对所设计运放的低压特性进行仿真,结果表明,在0.8V电源电压下,运算放大器的直流开环增益为106dB,相位裕度为62°,单位增益带宽为260kHz,功耗仅为3.9μW。  相似文献   
137.
基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
张新  刘梦新  高勇  洪德杰  王彩琳  邢昆山   《电子器件》2006,29(2):325-329
介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点,采用绝缘体上硅结构,选用薄膜全耗尽SOICMOS工艺进行试制。测试结果表明:与同类体硅电路相比,工作频率提高三倍,静态功耗仅为体硅电路的10%,且电路的101级环振总延迟时问也仅为体硅电路的20%,实现了电路对高速低功耗的要求。  相似文献   
138.
采用数字处理和重构的方法,实现了一种新型选择性复位像素结构及其像素阵列的设计,扩展了CMOS图像传感器(CIS)的动态范围。该方法在像素积分过程中,通过在3个不同的设定时刻比较光电二极管电压值与阈值电压,进行有选择性的复位,得到最终的电压值后,再将其与阈值电压进行重构,从而输出最终的像素值。整个系统的动态范围扩展至107.4dB,提高了成像质量。重构电路由数字电路实现,在保证速度的前提下,减少了处理单元的存储器需要。  相似文献   
139.
文中主要针对斯特林碟架,设计了以ARM处理器和可编程逻辑控制器(PLC)为控制核心,视日运行轨迹跟踪与图像处理相结合的混合跟踪方式实现太阳自动跟踪.首先,利用太阳位置算法(SPA)定位太阳位置,确保太阳光斑在摄像头视场范围内;其次,使用CMOS图像传感器采集太阳图像,通过ARM处理器处理图像获取太阳跟踪角度误差;最后利...  相似文献   
140.
一种基于CMOS工艺的二维风速传感器的设计和测试   总被引:1,自引:0,他引:1  
给出了一种完全基于CM O S工艺的、能同时测量风速和风向的二维测风传感器的结构、工作原理及其测试结果。该传感器采用恒温差工作模式,热堆输出电压平均值反映芯片温度和环境温度的差,省去了测温二极管。风速测量采用热损失型原理,因此不存在速度量程问题;同时通过四周对称分布热堆的相对差分输出得到风向,风向的测试和风速无关。测试电路是由普通运放电路组成的控制和测试系统。经过风洞测试,风速的测量可以达到23m/s,风速分辨率达到0.5 m/s,风速的最大误差为0.5 m/s。传感器的反应时间为3~5秒,整个功率损耗约为500 mW。  相似文献   
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