基于标准CMOS工艺太阳能电池的微电源管理系统

文章基于CMOS太阳能电池设计了一款微电源管理系统。此电源管理系统适用于传感器网络节点和半有源电子标签之类的需要周期性短时间供电的电路。电源管理系统中包含一个电荷泵,一个片外储能电容,控制电路和一个线性稳压器。控制电路采用一种全新的结构,静态功耗基本为零。采用UMC 0.18μm CMOS工艺,当输出电流为30uA,储能电容为1uF时,一个周期可达到大于20ms的供电时间,输出电压1.8V,电源管理系统的静态电流小于1.5uA。     

一种新的CMOS组合电路最大功耗快速模拟方法

过大的峰值功耗会使芯片承受过大的瞬间电流冲击,降低芯片的可靠性及性能,因此有效地对电路最大功耗做出精确的估计非常重要。由于在实际电路中存在的时间延迟,而考虑延时的电路功耗模型计算量较大,因此用模拟方法求取电路最大功耗非常耗时。为了在尽可能短的时间内对VLSI电路的最大功耗做出较为可信的估计,首次提出了二阶段模拟加速方法。对ISCAS85电路集的实验结果表明,这种估计方法具有最大功耗估计值准确和加速明显的优点。     

基于CMOS的医学图象处理系统软件设计

本文选用CMOS OV7640为图像传感器来采集实际图像,利用USB2.0总线接口技术和OpenCV计算机视觉库,以VisualC 6.0作为开发平台设计了基于CMOS的视频采集及边缘检测系统.提出了一种基于数学形态学的多尺度边缘跟踪的算法.该算法在抑制噪声的同时能够有效地检测出图像的边缘,基于OpenCV计算机视觉库编写了视频图像边缘检测的软件.     

几起电脑故障及其排除方法

本文就日常工作中遇到的几起电脑故障进行分析,并提出相应的解决方法供电脑爱好者和遇到类似故障的用产参考。     

A glance of technology efforts for design-for-manufacturing in nano-scale CMOS processes

This paper overviews design for manufacturing （DFM） for IC design in nano-CMOS technologies. Process/device issues relevant to the manufacturability of ICs in advanced CMOS technologies will be presented first before an exploration on process/device modeling for DFM is done. The discussion also covers a brief introduction of DFM-aware of design flow and EDA efforts to better handle the design-manufacturing interface in very large scale IC design environment.     

罗宾康高压变频器在青钢高炉生产中的应用

本文结合青钢高炉炼铁生产的实际工况,介绍了西门子单元串联多电平高压大功率变频器在该厂750m^3高炉除尘风机中的应用,给出了变频器的工作原理等。运行表明,该变频器的投入节约了能源,提高了工作效率。     

一种新的CMOS电路最大功耗估计方法

过大的峰值功耗会使芯片承受过大的瞬间电流冲击,降低芯片的可靠性及性能,因此有效地对电路最大功耗作出精确的估计非常重要,为了在尽可能短的时间内对VLSI电路的最大功耗下限作出较为可信的估计,给出了一种新的CMOS电路最大功耗估计方法,ISCAS85电路集的实验结果表明这种估计方法不仅对于无时间延迟功耗计算模型,而且对于有时间延迟功耗计算模型,都具有最大功耗估计值较准确和耗时短的优点。     

IDDQ测试方法的研究与实现

ＩＤＤＱ测试是当前倍受国内外业界人士关主的一种新的ＣＭＯＳ集成电路测试方法的技术。这种测试是在多种输入逻辑条件下测试ＣＭＯＳ电路的静态电源电流参数值,它可以有效地检测出早斯失效器件。ＩＤＤＱ测试的关键技术是测试向量自动生成及高效的测试实现技术。     

CMOS轨到轨电压跟随器的设计及优化

电压跟随器的电压放大倍数总是小于且趋近于1,它具有低输出阻抗、高输入阻抗的特点.也就是说在理想的情况下,从前级电路看去电压跟随器相当于断路,从后级电路看去电压跟随器又相当于一个恒压源.在具体电路中,电压跟随器一般做缓冲级和隔离级,并起着前后级阻抗匹配的作用.文中提出一种AB类高性能CMOS轨到轨电压跟随器,电路是以AB类对称式电压跟随器为基础设计的.     

针对不同类型热敏MEMS器件的高性能前置放大器设计

针对不同应用的热敏MEMS器件的界面电路设计高性能放大器,提出建立与CMOS工艺兼容的热敏MEMS器件前置放大器的IP库的概念。通过提取相关热敏器件的典型参数,设计低功耗、低噪声且分别符合精度和速度等特殊要求的前置放大器,对3种不同结构的放大器进行分析研究,并利用Cadence软件,基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺库进行设计仿真。仿真结果表明:3种不同结构的放大器可以用于相应性能要求的热敏MEMS器件中。