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461.
Integer subdivision algorithm for rendering NURBS curves 总被引:1,自引:1,他引:0
A integer version of the well-known subdivision algorithm of NURBS curves is presented here. The algorithm is used to render NURBS curves of any degree on a raster device using a piece-wise linear approximation. The approximation is independent of the parametrization, that is, it is independent of the weights used. The maximum deviation between a precisely sampled curve and that of the subdivisionbased rendering is one pixel — an inherent feature of the subdivision technique. The algorithm works entirely in the screen coordinate system and produces smooth rendering of curves without oversampling. The integer arithmetic allows the rendering of relatively complex curves of 2 to 8 degrees within a fraction of a second on an i80286/386 processor, and is a good candidate for hardware implementation. 相似文献
462.
印刷过程中的网点增大,会导致印刷品部分层次丢失,严重影响印刷品的质量。在印前图像处理过程中,通过Photoshop软件,利用曲线、传递函数等工具对图像进行校正,补偿图像在印刷过程中产生的网点增大,从而达到所要求的印刷质量。 相似文献
463.
用脉冲激光沉积法分别在不同电阻率的p型和n型Si( 100)衬底上制备了不掺杂ZnO薄膜,相应制成n-ZnO/p-Si和n-ZnO/n-Si异质结器件.利用X射线衍射和原子力显微镜对ZnO薄膜进行的结构和形貌测试表明,薄膜结晶情况良好,具有高度的c轴择优取向,表面颗粒大小、分布均匀.对器件的I-V特性测试表明,在无光条件下,制备的n-ZnO/p-Si异质结漏电流很低,而n-ZnO/n-Si同型异质结漏电流要稍大一些;随衬底电阻率的增大,上述器件的阈值电压变小;器件在光照下的漏电流明显比无光条件下的要大. 相似文献
464.
465.
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了p-GaN单晶薄膜.高温(>1100℃)处理及未处理样品的双晶摇摆曲线测试表明高于1150℃会使材料的晶体质量明显变差,这为平面型紫外探测器制备中的部分注入激活条件提供了选择依据.通过TRIM软件优化了注入条件,在选择性注入改型材料上成功制备了平面GaN ... 相似文献
466.
467.
利用点变换理论分析气镐过渡过程,判定其周期运动的存在性和稳定性,并通过调整气镐的结构参数,对其仿真曲线及性能的不足之处进行修正和完善。 相似文献
468.
469.
从荧光粉散射机理分析了LED器件色角向分布不均匀的形成原因,提出了一种利用逐点步进光学设计方法,实现了不同入射角度内蓝光光程相等的远荧光粉层结构。应用该方法设计了使用不同折射率载体的LED远荧光粉层光学结构。模拟结果显示,应用所设计的光学形状的远荧光粉层结构,相比传统平面荧光粉层结构,75°方向光斑边缘与中心法线方向色差du′v′从0.05降低到0.01左右,色温偏移降低了43%~98%不等,有效改善了白光LED远程荧光粉封装结构的色度均匀性。该设计不需要增加或改变封装工艺手段,工业生产实现简单,额外成本很少,具有较强的实际应用价值。 更多还原 相似文献