InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究

随着InSb红外焦平面探测器的发展,焦平面阵列规模越来越大,像元面积越来越小.湿法刻蚀因其各向同性的特点,导致像元钻蚀严重,越来越难满足大规格InSb焦平面器件的要求.研究了以Ar/CH4/H2作为刻蚀气体,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb晶片的初步研究结果,研究不同RF功率、腔体压力和Ar的含量对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法.     

减小SiO2光波导表面粗糙度的ICP干法刻蚀工艺研究

波导表面粗糙度引起的散射损耗是SiO2光波导传输损耗的主要来源,通过降低表面粗糙度可以获得低损耗SiO2光波导。通过优化ICP干法刻蚀工艺的各参数(如温度、压强、气体流量、感应/偏置功率等)获得了低粗糙度的SiO2光波导,并采用SEM和AFM对刻蚀表面粗糙度进行了定量测试。采用优化刻蚀工艺可将表面粗糙度从35.4nm降低到3.6nm,波导传输损耗约为0.1dB/cm。     

劣质蜡油加氢处理催化剂上金属杂质沉积规律研究

在缓和加氢条件下,采用新研制的FCC原料预处理催化剂处理含渣劣质蜡油,研究反应规律和杂质沉积规律.结果表明,研制的催化剂孔容和平均孔径较大,金属杂质在整个床层均匀沉积,在每个颗粒中由边缘到中心也均匀分布,这种沉积特点提高了催化剂活性稳定性.在2500h连续实验运转过程中,脱硫率无明显下降.     

ICP刻蚀HgCdTe表面的微区XPS分析

文章将ICP刻蚀技术应用于刻蚀HgCdTe,使用微区X射线光电子光谱学(XPS) 、扫描电子显微镜( SEM)等表面分析技术研究了ICP各工艺参数,包括ICP功率、气体成分与配比、腔体压力等对刻蚀表面形貌、刻蚀后表面成分、聚合物形成的影响。XPS分析结果发现,使用光刻胶作掩模时,刻蚀气体CH4 会与光刻胶发生反应,生成物可能为C6H5 (CH3 ) 。如果腔体压力较高,生成物不能及时被带走,就会附着在样品表面上,使样品表面发黑;当腔体压力较低时,生成物被及时带走,则样品表面光亮,无聚合物残留。光刻胶也会与H2 发生反应,生成多种含C有机物。SiO2 作掩模时,在一定的条件下, CH4 会与SiO2 或者真空硅脂发生反应,生成聚脂薄膜。     

ICP-AES法测定钢样中钨和铌元素的含量

介绍ICP-AES法测定钢样中钨和铌的方法,并研究该方法的最佳工作条件。通过对样品的分析试验、回收试验及精密度试验,证明该方法准确度高,与化学法相比,缩短试验周期。     

采用ICP对304不锈钢表面黑色腐蚀物的分析

通过采用ICP对304不锈钢表面黑色腐蚀物的分析,发现黑色腐蚀物具有富Ni、贫Fe、Cr的特征,各金属的含量分别达到：Fe13．55％、Cr23．29％、Ni57．54％。分析了黑色腐蚀物在不同环境下的溶解性,并推测了对碱液质量的影响。     

ICP法测定盐水中的微量汞

介绍一种精度高、重现性好的测定方法-ICP法测定盐水中的微量汞.     

ICP-AES法测定粉煤灰全组分化学元素的研究

采用偏硼酸锂熔样 ,电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICPˉAES)法对粉煤灰实现一次熔样 ,全组分同时分析。对影响光谱测量的各种因素进行了较详细的研究 ,确定了最佳测定条件。该法的检出限为 0 .0 0 9～ 0 .83 1μg·ml-1,回收率为 91.5 4%～ 10 4.45 % ,RSD <3 .2 2 %。方法准确、快速、简便 ,用于粉煤灰中全组分测定 ,结果满意。     

Mullite-bonded SiC-whisker-reinforced SiC matrix composites: Preparation,characterization, and toughening mechanisms

A novel mullite-bonded SiC-whisker-reinforced SiC matrix composite (SiCw/SiC, SiC whisker-to-SiC powder mass ratio of 1:9) was designed and successfully prepared. Before preparing the composite, the inexpensive lab-made SiCw was first modified by an oxidation/leaching process and then coated with Al₂O₃. The kinetics results indicate that the oxidation process can be described by improved shrinking-cylinder models. The aspect ratio of SiCw improved after modification. Subsequently, raw materials with a SiC–SiO₂–Al₂O₃ triple-layered structure were obtained after the Al₂O₃-coating process and used as feedstocks during the subsequent hot-pressing sintering. Finally, the characterization of the composites indicates that the mullite-bonded sample performs better (relative density of 93.8?±?1.4%, flexural strength of 533.3?±?18.2?MPa, fracture toughness of 13.6?±?2.1?MPa?m^1/2, and Vickers hardness of 20.6?±?2.5?GPa) than the reference sample without the mullite interface. The improved toughness could essentially be attributed to the moderately strong interface bonding and effective load transfer effects of the mullite interface.     

ICP-AES法测定基板玻璃中铂、铑等微量元素的研究

基板玻璃是显示器面板的关键玻璃材料,决定了面板的性能和质量,因此需要对其成分进行精确测定。基板玻璃生产过程中,用于澄清作用的铂金通道会受到侵蚀溶解出铂、铑。研究了基板玻璃中铂、铑等微量元素的测试方法,提出了基板玻璃的溶解制备方法,以氢氟酸挥发基体中氧化硅并以硝酸作为介质排除基体效应;探索了微量元素铬、钴、锰、镍、锆、铂、铑的光谱特性,分析了共存元素谱线叠加干扰影响,选取了各待测微量元素无干扰的最佳谱线波长;采用ICPAES中标准曲线法测试基板玻璃中的微量元素,该方法测试结果精密度和准确度高,对于实际生产具有重要的指导意义。