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761.
目的 网格重建和编辑会产生几何特征缺失的模型,填补这些空洞具有重要的意义。为了克服复杂曲面修补中网格融合难以配准的问题,提出了环驱动球坐标结合基于曲率及法向ICP(iterative closest point)迭代配准的网格修补方法。方法 首先用户查找合适的源网格面片放入空洞处周围;然后对目标网格空洞环建立B样条曲线,将带修补网格包边界置于B样条曲线上,构架环驱动球坐标,将源网格变形初步配准目标网格空洞周围领域;最后使用Laplacian光顺并基于网格曲率及法向进行ICP迭代配准,使源网格与目标网格光滑拼接融合。结果 该方法能够有效修补网格空洞缺失的细节特征,并且拼接处光滑连续。 结论 环驱动球坐标配准避免了网格变形的包围网格笼子构造,再通过ICP迭代精确配准网格,和以往的网格修补方法相比,该方法能够很好地修补网格空洞处细节特征。 相似文献
762.
ICP算法用于点云对齐,对点云质量有很高的要求,Kinect设备采集的原始点云较为粗糙,给ICP计算带来很大不便。文中设计了一种并行正向反馈ICP算法,将新旧点云带权叠加,以优化新点云的质量,并提供给ICP的下一次循环,同时又采用一种基于GPU的并行二叉树约减算法,提高计算速度。该算法用于增强现实的注册环节,运行结果流畅稳定。这种改进算法增加了深度数据的可用性和稳定性。 相似文献
763.
764.
765.
曲线拟合在图象处理、逆向工程应用等领域中有着重要意义。由于对于B样条参数曲线拟合,数据点的参数化直接影响着拟合的精度,因此提出了一种基于迭代最近点的方法来优化修正数据点的参数,并且证明了应用该方法进行曲线拟合具有局部收敛性。通过实验分析,验证了方法的正确性和鲁棒性。 相似文献
766.
掩蔽层材料选择比低是硅高深宽比微结构实现的限制之一.为了获得高质量的掩蔽层材料,利用感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)刻蚀方法,选择SiO2,MgO,Al作为掩蔽层材料,通过研究刻蚀过程中射频功率及气体流量对SiO2,MgO,Al及Si刻蚀速率变化的影响,获得了SF6等离子体对Si与SiO2,Si与MgO,Si与Al的选择比.结果表明:MgO薄膜作为掩蔽层、射频功率为800 W,气体流量为50 sccm或80 sccm是深刻蚀中适宜的工艺参数. 相似文献
767.
赵雷 《上海电力学院学报》2010,(11)
设计了基于绝缘层上硅(SOI)材料的8通道Si纳米线阵列波导光栅(AWG),器件的通道间隔为1.6nm,面积为420μm×130μm。利用传输函数法模拟了器件传输谱,结果表明,器件的通道间隔为1.6nm,通道间串扰为17dB。给出了结合电子束光刻(EBL)和感应耦合等离子(ICP)刻蚀技术制备器件的详细流程。光谱测试结果分析表明,器件通道间隔为1.3~1.6nm,通道串扰为3dB,中心通道损耗为11.6dB。 相似文献
768.
张俊兵 《上海电力学院学报》2010,(3)
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。 相似文献
769.
ICP-AES法测定水中总磷 总被引:1,自引:0,他引:1
用ICP-AES法测定水中总磷。该法测定速度快,灵敏度和精密度高,检出限为0.020mg/L,适合地面水总磷的测定。 相似文献
770.
对于均匀环绕四周的多台摄像机,先对每个摄像机利用Zhang的平面模板标定方法单独获得内参;在外参计算方面,提出了一种多摄像机外参标定的新方法,该方法在ICP(iterative closest point)算法的基础上,结合了VR(view registration)算法的约束优化思想,先通过两两相邻像机间自由移动平面模板计算两者的位置关系,最后将每一个摄像机统一到一个世界坐标系。标定过程操作简便,易于实现。实验结果表明,本方法能够满足后续三维重建所需的精度要求。 相似文献