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101.
102.
:本文利用宽带CO2 激光束 ,对 45 #钢表面进行宽带淬火 ,获得单道淬火宽度 10mm以上。淬硬层硬度达 5 0 0~ 6 30Hv0 3是非淬硬层的 2~ 2 5倍 ,深度达 1 9~ 2 .0mm。激光淬硬层分为表面过热区、均匀相变区和过渡区三个区域 ,所对应的金相组织分别为高碳马氏体、隐晶马氏体和混和马氏体。宽带激光淬火造成的组织细化和大量高碳马氏体的形成是硬度提高的主要原因。在扫描速度v =4mm/s和离焦量 18mm条件下 ,45 #钢宽带激光淬火的最佳功率约为 3 0~ 3 3kW。 相似文献
103.
用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6~ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b)的影响 相似文献
104.
利用渐近波形估计(AWE)技术分析了线面连接混合结构宽频带电磁特性。为了保证线面连接处电流的连续性,采用线-三角形模型,导体部分和导线部分与线面连接处分别采用不同的基函数;推导出线面连接混合结构的阻抗矩阵及其高阶导数,通过矩量法(MoM)求解线面积分方程得到给定频率点电流分布,然后应用AWE 技术快速有效地实现了导体和线结构在宽频带内的电流分布,得到整个线-面连接混合结构的输入阻抗和辐射方向
图,通过与MoM 结果相比,验证了该方法在分析线面混合结构宽带问题方面的高效性。 相似文献
105.
设计了一种新型的超宽带天线,具有小型化,2.0~10.6GHz的工作带宽及全向性的特点。基于该超宽带天线提出了一种新的实现陷波特性的方法,在天线的地板上添加一个近似半圆的谐振单元,该单元与辐射部分通过一个通孔相连,并且所加的结构对原始超宽带天线的其他特性影响很小。同时给出了该方法的等效电路。仿真与实测结构均表明该超宽带天线驻波比(VSWR)小于2的阻抗带宽是2.0~10.6GHz,天线在5.0~5.9GHz处有明显的陷波特性,很好的覆盖了无线局域网(WLAN)(5.125~5.85GHz)的工作频段。可以解决超宽带通信频段与WLAN间的电磁干扰问题,实现频谱兼容。 相似文献
106.
通过温度依赖的透射和反射光谱研究了在准同型相界附近的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3(PMN-0.3PT)单晶光学性质.这种禁带宽度随温度范围不同变化规律不同现象,揭示了PMN-PT单晶温度依赖的复杂相结构.禁带宽度Eg在303 K是3.25 e V,临界点Ea是3.93 e V,临界点Eb是4.65 e V,它们随着温度的上升而下降,在453 K禁带宽度Eg是3.05 eV,临界点Ea是3.57 eV,临界点Eb是4.56 eV.这三个跃迁能量Eg、Ea、Eb分别对应从O 2p到Ti d、Ni d、Pb 6p轨道跃迁.它们随温度上升而下降的变化规律可以用晶格热膨胀和电子声子相互作用理论来解释.通过Tauc-Lorentz色散模型拟合得到了303 K到453 K温度范围的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O3-0.3PbTiO_3单晶光学常数及其随温度的变化规律,发现折射率n随着温度的升高而升高. 相似文献
107.
采用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了不同镧掺杂浓度BiGaO_3(Lx BGO,0≤x≤0.1)薄膜.X-射线衍射(XRD)表明该属于正交晶系的多晶薄膜,原子力显微镜(AFM)图像显示样品表面具有很好的平整性.采用椭圆偏振技术对其光学性质进行了详细的研究,发现其光学常数符合Adachi色散模型.进一步发现其禁带宽度随着镧掺杂浓度的增加而增加,该规律与理论预言相吻合.有关LxBGO材料的研究为铋基光电器件如紫外探测器的实现提供物理基础支持. 相似文献
108.
设计了Ka波段GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料及器件结构,采用AlN插入层提高了二维电子气(2DEG)浓度.采用场板结构提高了器件击穿电压.采用T型栅工艺实现了细栅制作,提高了器件高频输出功率增益.采用钝化工艺抑制了电流崩塌,提高了输出功率.采用通孔工艺减小源极寄生电阻,通过优化钝化层厚度减小了寄生电容,提高了器件增益.基于国产SiC外延材料及0.15 μm GaN HEMT工艺进行了器件流片,最终研制成功Ka波段GaN HEMT功率器件.对栅宽300 μm器件在29 GHz下进行了微波测试,工作栅源电压为-2.2V,源漏电压为20 V,输入功率为21 dBm时,器件输出功率为30 dBm,功率增益为9 dB,功率附加效率约为43%,功率密度达到3.3 W/mm. 相似文献
109.
Khairayu Badron Ahmad Fadzil Ismail Md Rafiqul Islam Khaizuran Abdullah Jafri Din Abdul Rahman Tharek 《International Journal of Satellite Communications and Networking》2015,33(1):57-67
Radio wave propagation plays a very important part in the design and eventually dictates performance of space communication systems. Over time, the requirements of satellite communication have grown extensively where higher capacity communications systems are needed. Escalating demands of microwave and millimetre wave communications are causing frequency spectrum congestion. Hence, existing and future satellite system operators are planning to employ frequency bands well above 10 GHz. The challenge in operating at such high frequencies for communication purposes is that there exists stronger electromagnetic interaction between the radio signals and atmospheric hydrometeors. Such instances will degrade the performance of such high frequency satellite communication systems. The development of a revised model for a better‐improved rain fade prediction of signal propagations in tropical region is considered very important. Researchers and engineers can employ the model to accurately plan the future high frequencies satellite services. Copyright © 2014 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
110.
中频变压器引起的尖峰电压分析 总被引:1,自引:0,他引:1
中频变压器在逆变器中起重要作用,也是引起开关工作时电路冲击响应的主要原因。本文针对PWM逆变器,讨论、分析了中频变压器引起的关断尖峰电压,并通过实验验证了磁性材料对变压器性能的显著影响。 相似文献