三元稀土硅化物Gd_2PdSi_3单晶生长(英文)

采用光悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度制备Gd2PdSi3单晶。该化合物表现为同成分熔融,其熔点在1700°C左右。与Gd2PdSi3化学计量成分相比,制备的晶体中Pd含量略低,导致了熔区内Pd的富集以及实验过程中熔区温度的降低。采用标准成分给料棒制备的单晶内含有少量定向的GdSi沉淀,可以通过退火热处理减少其含量但并不能完全消除。采用给料棒成分微调的方法制备出不含GdSi沉淀的高质量Gd2PdSi3单晶。     

含Re/Ru镍基单晶合金的高温蠕变行为和损伤特征

通过蠕变性能测试和组织观察,研究4.5％Re/3％Ru镍基单晶合金在高温的蠕变行为和损伤特征.结果表明:测定出该合金在(1100℃,140 MPa)下的蠕变寿命为476 h.合金在高温稳态蠕变期间的变形机制是位错在γ基体中滑移和攀移越过筏形γ′相,在蠕变后期的变形机制是位错在基体中滑移和剪切筏状γ′相.其中,剪切进入γ...     

波长变换用非线性光学单晶

如果从实用的角度来评价无机非线性光学单晶,这种单晶主要作为波长变换用单晶使用。本文对红外－紫外波段用的大有发展前途的非线性光学单晶进行展望,并介绍其使用上的注意点。     

单晶金刚石在高端技术领域的应用

阐述单晶金刚石在高端技术领域的应用,包括微型超精金刚石切削工具如加工成形随意曲率超细槽的方形立铣刀,用于三维表面微凹坑和任意曲率面加工的超精纳微型球形立铣刀,以剃削和快速切削加工直线超细槽的切削工具,此外还有人造单晶金刚石制作的高压水力喷射切割装置的喷射喉管,以及单晶金刚石制作的微型光学元件,并述及大单晶CVD金刚石的潜在用途。     

第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势

第三代半导体材料SiC具备熔点高、硬度大、稳定性好等特点,其制备工艺需要开发一些独特的工艺装备,主要涉及SiC单晶生长、衬底制备、外延生长和离子注入机及高温氧化炉等芯片制程关键装备。根据Si C技术及产业的发展特点,分析了当前SiC工艺设备特点及应用现状,展望了设备的未来发展趋势。     

β-Ga2 O 3单晶制备工艺的研究进展

β型氧化镓(β-Ga2O3)具有宽禁带、高击穿强度和低制造成本等优点,是制备第三代半导体的优质备选材料.制备β-Ga2 O 3材料的方法有直拉法、导模法、浮区法、布里奇曼法等.由于该材料在高温下易挥发,易产生较多杂质气体、晶体形状难以控制、单晶中产生较多缺陷等问题.对目前β-Ga2 O 3制备方法进行综述,对多种制备方...     

掺铒铝酸钇(Er~(3+):YAlO_3)单晶生长

开拓新波段的应用是现今固体激光器发展方向之一。掺铒铝酸钇(Er~(3+):YAlO_3)激光晶体是1.66μm及2.7—2.9μm波段固体激光器重要工作物质。本文着重描述Er~(3+)YAlO_3原料硝酸去水、氮气氛加少量氧以及熔体过热等对生长的晶体质量的影响。     

金刚石与人类社会(下)

详细介绍了天然金刚石的发现、特性、鉴别方法和应用范围,论述了金刚石粉体、单晶金刚石、金刚石膜和聚晶金刚石的人工合成方法和应用情况.