单台固定的激光晶体发射出红、绿、蓝色光

含有单个活性增益材料的固体激光器同步产生了红、绿、蓝色光，这种器件对于全彩色成像系统是非常有价值的．具有特色的是，该RGB激光是由激光棒和非线性晶体的复杂组合而实现的．单晶RGB激光器的一个样机已由法国Claude Bernard-Lyon大学和中国科学院开发出来，它是由基于钕掺杂的四硼酸钆铝晶体(NGAB)制作的．     

外延工艺在集成电路制造产业中的应用

外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延层（SiGe／Si或SiC／Si等）；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延（MBE），超高真空化学气相沉积（UHV／CVD），常压及减压外延（ATM＆RP Epi）等等。     

业精于专 方显卓越——访维利安半导体设备(上海)有限公司销售总监姜至善

“业精于专,方显卓越”微雕大师如是说。当前,许多晶圆代工厂以200mm、0.18μm作为半导体集成电路的主要技术及产品提供给市场,有的晶圆代工厂200mm、0.18μm产品已达到60%。但是为了抢占市场的至高点,目前相当部分的芯片制造商目前正在把0.18μm工艺提升到0.13μm,随着芯片制造工艺技术的提高,对离子注入机的技术要求也越来越高。记:姜总,维利安半导体设备公司作为一家在离子注入机领域享有很高知名度的半导体设备供应商,您能否简单地给我们介绍一下?姜:维利安半导体设备公司(纳斯达克简称:VSEA)是一家全球性的跨国高科技公司,总部位于美…     

Multiscale Modelling of Polymer Properties,Volume 22

Single Crystal Growth of Semiconductors from Metallic Solutions covers the four principal growth techniques currently in use for the growth of semiconductor single crystals from metallic solutions. Providing an in-depth review of the state-of-the-art of each, both experimentally and by numerical simulations. The importance of a close interaction between the numerical and experimental aspects of the processes is also emphasized.     

掺镁铌酸锂晶体的光学均匀怀和抗光作性研究

研究了不同Ｌｉ／Ｎｂ克分子比，掺镁铌酸锂（ｍｇＯ：ＬｉＮｂＯ３）晶体的光学均匀性和我伤特性，以二地同成分配比为基础。掺入约５ｍｏｌ％ＭｇＯ的ＬｉＮｂＯ３晶体显示出高的抗光损伤特性，但光学均匀性较差，根据ＭｇＯ－Ｌｉ２Ｏ－Ｎｂ２Ｏ５三元相关系研究寻找到的三元同成分配比，生长出的ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体具有优良的光学均匀性。但其抗光伤能力低。     

人工神经网络在单晶合金设计中的应用

把一种新发展的功能极强的信息处理技术－计算机人工神经网络技术用于单晶合金的高温持久性能预测并和其它方法进行比较，结果表明：这种方法精度最高。     

X射线衍射分析用CaF2单晶载体的制作

本文提出一种制备CaF_2单晶载体方法。这种载体可适用于微量粉末样品的X射线衍射分析。     

较大直径、低位错锑化铟单晶的研制

本文简要介绍了用ＴＤＫ－３６单晶炉拉制的较大直径（φ＝２５ｍｍ）、低位错（＜１００ｃｍ￣（－２））的锑化铟单晶的理论和实践。通过对晶体生长室内温场，特别是内外坩埚尺寸的调整及对循环水流量的控制，成功地拉制出较大直径、低位错的锑化铟单晶。