基于划刻实验的单晶锗材料去除机理研究

采用Cube压头对单晶锗进行变载与恒载纳米划刻实验, 利用扫描电子显微镜和原子力显微镜对已加工表面进行观测, 根据表面形貌将划刻过程分为延性域、脆塑转变域及脆性域三种, 对各个阶段的表面成型及材料去除方式进行了研究。使用最小二乘法对不同阶段划刻力进行非线性拟合, 并利用相关系数检验拟合函数可靠性, 结果表明划刻力与划刻深度存在强相关性。同时分析了单晶锗的弹性回复率随划刻距离的变化趋势, 结果表明工件的弹性回复率将从纯弹性阶段的1逐步回落至0.76左右。基于脆塑转变临界载荷, 以裂纹萌生位置作为脆塑转变标志, 首次结合工件已加工表面弹性回复, 提出一种适用于计算单晶锗的脆塑转变临界深度模型, 其脆塑转变临界深度为489 nm。     

抽拉速率对DD6单晶高温合金凝固组织的影响

研究了不同的抽拉速率对第二代单晶高温合金DD6凝固组织的影响.结果表明,随抽拉速率的增加,DD6合金凝固界面由粗枝状组织向细枝状组织演变,枝晶干和枝晶间的γ'相尺寸减小,且枝晶间γ'相的形状越来越趋向于规则的立方体形状,γ-γ'共晶含量增加,粗大的初生γ'相减少.     

我国超硬刀具材料发展中的几个问题思考与对策

介绍了超硬刀具材料的发展概况和最新的超硬刀具材料,结合我国超硬刀具材料发展中的有关问题进行了综合分析,提出了解决当前我国超硬刀具材料发展中有关问题的对策,探讨了未来超硬刀具材料的发展趋势与应用前景。     

TiNi单晶形状记忆合金制备及组织和性能研究

在自行设计的高温度梯度定向凝固装置中, 采用改进后的Bridgeman法, 用特制的引晶器, 成功拉制出Ti-50.8%Ni形状记忆合金单晶.做了结构和组织的观察, 并使用DSC, SEM, XRD等方法对其相变及记忆性能等进行相应的分析研究.结果表明: 这种钛镍形状记忆合金具有柱状单晶显微组织特征, 消除了横向晶界; 塑性加工性能、记忆稳定性、冷热循环次数均有较大提高.     

液封直拉半绝缘GaAs中的碳

用高压液封原位合成直拉法生长的半绝缘GaAs单晶是直接离子注入制造场效应晶体管或高速集成电路的理想材料。在单晶生长和器件或电路的制做过程中人们发现，杂质碳在半绝缘GaAs中具有不容忽视的重要地位。它不仅是导致材料呈半绝缘状态的关键杂质，而且岔碳量的多少对晶体质量、器件或电路制做的成败都起着决定性的作用。     

MgO单晶

透明MgO单晶的熔点高达2800℃,是无残留气孔的高致密性材料。因其光透过率、折射率、热导率、电绝缘性、化学稳定性、机械强度等方面性能优异,具有广泛的用途:(1)可作为光学透明材料。由于从紫外到红外的宽范围内,光透过率Τ≥80％,可用于普通照相、紫外照相、特殊光学系统、光纤以及特殊机械光学装置;(2)可作为耐高温、高压窗口材     

确定取向铝单晶制备工艺的研究

为获得制备确定取向铝单晶试样的最优工艺参数,文中采用定向凝固设备结合籽晶法,研究了不同坩埚材料、加热温度及抽拉速度等对铝单晶试样质量的影响.实验结果表明:采用氮化硼(白石墨)坩埚,加热温度(850±5)℃下保温1h,在生长通道时抽拉速度为1μm/s,在单晶生长部分抽拉速度为8μm/s,达到引晶效果,试棒的初始取向与籽晶的取向一致.     

太阳能级单晶硅材料多线切割机面世

中国电子科技集团公司第四十五研究所开发的“太阳能级单晶硅材料多线切割机”通过了河北省科技厅组织的专家验收。专家组一致认为：四十五所开发的具有完整自主知识产权的“太阳能级单晶硅材料多线切割机”,主要技术指标达到国际同类产品先进水平,     

单晶生长中的三相界面的近似解析解

本文考虑了单晶生长中的三相界面问题，即研究了气——液新月形界面满足的Ｌａｐｌａｃｅ－Ｙｏｕｎｇ方程２ｙ＝β〔ｙ″（１＋ｙ′２）３／２－ｙ′ｘ（１＋ｙ′２）１／２〕在边界条件为ｙ（∞）＝０，ｙ′（∞）＝ｂ＜０时的解，其中β＝２σ０／ｇΔρ是正常数（Ｌａｐｌａｃｅ常数）．我们得到了新月形高ｈ应满足的关系式：ｈ＝βｓｉｎ２α０２ｃｏｓα０以及新月形轮廓线的一个近似解析解ｘ＝１－（Ｉ－１βｙ２＋ｓｉｎα０２ｒｈｙ２）２ｓｉｎα０ｒｈｙ其中α０是三相边界（ｒ，ｈ）处的切角，Ｉ＝１１＋ｂ２．