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161.
石墨毡电极的润湿性和电化学活性对印刷电路板蚀刻液电解再生装置的性能有重要影响。在900℃下,用KOH对石墨毡进行活化处理,并将KOH活化石墨毡作为电解池阳极对酸性蚀刻废液进行电解再生。用SEM、XPS表征和分析了活化前后石墨毡炭纤维的表面形貌和元素组成。通过循环伏安(CV)和电化学阻抗谱(EIS)分析了石墨毡电极的电化学性能。结果表明,KOH活化石墨毡炭纤维表面含氧量由原始石墨毡的2.60%(原子百分数,下同)增加到6.27%,润湿性得到改善。缺陷C数量增多,对Cu(I)电化学氧化活性提高。KOH活化石墨毡比表面积较原始石墨毡增加了约42倍。KOH活化石墨毡用于电解实验,阳极电势和槽电压较原始石墨毡分别降低0.10和0.05~0.06 V。  相似文献   
162.
采用湿法浸渍法研究了五种KOH负载的催化剂催化合成生物柴油反应,并采用XRD﹑SEM﹑CO2-TPD等方法对其进行结构和性能表征。结果表明,15%(质量分数,下同)KOH负载的CaO催化酯化活性最高,在醇油摩尔比16∶1,反应温度65℃,催化剂加入量为4%条件下,反应1h,脂肪酸甲酯收率达到97.1%。KOH负载的CaO催化剂中出现了K2O的晶相,15%CaO/KOH催化剂有更多的活性位点,有利于生物柴油酯交换反应。  相似文献   
163.
Energetic (MeV) Au implantation in Si(1 0 0) (n-type) through masked micropatterns has been used to create layers resistant to KOH wet etching. Microscale patterns were produced in PMMA and SU(8) resist coatings on the silicon substrates using P-beam writing and developed. The silicon substrates were subsequently exposed using 1.5 MeV Au3+ ions with fluences as high as 1 × 1016 ions/cm2 and additional patterns were exposed using copper scanning electron microscope calibration grids as masks on the silicon substrates. When wet etched with KOH microstructures were created in the silicon due to the resistance to KOH etching cause by the Au implantation. The process of combining the fabrication of masked patterns with P-beam writing with broad beam Au implantation through the masks can be a promising, cost-effective process for nanostructure engineering with Si.  相似文献   
164.
DTDC的设计和操作关系到工厂管理的安全、环保和能源消耗,在保证豆粕质量的前提下,降低DT的蒸汽消耗和降低豆粕的残溶是关键。论述了DTDC的预脱溶层、脱溶层、干燥层和冷却层的结构及关键操作参数设置,改进的DT功能性结构部件,DT的关键控制点、控制点及关键安全装置控制参数,另外论述了降低豆粕残溶及节能的措施。生产实践中,适度增加预脱溶盘数量,控制气相温度在68~70 ℃,保持脱溶层总料层高度不小于3.4 m,改进脱溶层逆流盘透气孔、搅拌叶、料位和落料控制机构和直接蒸汽喷孔,控制层料之间的压力降,延长蒸脱时间至45~55 min,经脱溶后,美国大豆豆粕和巴西大豆豆粕的残溶分别在50~80 mg/kg、 100~150 mg/kg,溶耗分别在0.3 kg/t和0.5 kg/t,KOH蛋白质溶解度分别在84%和80%~82%,尿素酶活性等指标合格,压榨厂蒸汽消耗控制在170~190 kg/t。  相似文献   
165.
Al/AgO电池放电过程中产生铝酸盐,它对AgO正极和铝负极均有不利影响,但对铝负极影响更大。铝酸盐最大允许浓度约为2.8M。  相似文献   
166.
为了揭示KOH活化烟杆制备活性炭中炭化阶段的反应机理,利用热重法对氮气气氛中烟杆和浸渍KOH的烟杆在不同升温速率下(分别为5,15,30 K/min)的热解过程进行了研究。结果表明,随着KOH的加入,降低了烟杆主要成分的分解温度,为炭化之后的活化反应奠定了重要基础。采用Coats-Redfern模型对实验数据进行处理,得出了烟杆和添加KOH的烟杆的热解表观活化能和指前因子,建立了热解动力学模型,发现烟杆及添加KOH的烟杆热解的主要阶段分别可由一段1级反应和2.5级反应过程描述,KOH的存在可将烟杆炭化阶段的活化能降低约30 kJ/mol,动力学参数存在补偿效应。  相似文献   
167.
用原子力显微镜和扫描电镜相结合的方法表征了KOH腐蚀后的Si掺杂GaN外延层中的位错腐蚀坑.根据腐蚀坑的不同形状和在表面的特定位置可将其分成三种类型,它们的起源可由一个关于腐蚀机制的模型加以解释.纯螺位错易于沿着由它结束的表面阶梯被腐蚀,形成一个小的Ga极性面以阻止进一步的纵向腐蚀,因而其腐蚀坑是位于两个表面阶梯交结处的截底倒六棱椎.纯刃位错易于沿位错线被腐蚀,因而其腐蚀坑是沿着表面阶梯分布的尖底倒六棱椎.极性在GaN的腐蚀过程中起了重要作用.  相似文献   
168.
在传统加工方法的基础上,利用KOH代替NaOH,并用KCl部分代替NaCl,加工低钠保健松花蛋,钠含量由465.8mg/100g降至287.6mg/100g,降幅为38.27%.本课题初步摸清了低钠无铅松花蛋的工艺要点,并测试了蛋中Na+、K+、Cu2+、Zn2+和碱浓度的变化情况.  相似文献   
169.
研究了AlN-R2O3(稀土氧化物)液相烧结碳化硅陶瓷在HF、HCl、NaOH、KOH、K3Fe(CN)6等单独或混合液中的腐蚀行为。检测了试样腐蚀前后的失重,用扫描电镜观察了试样腐蚀前后的显微形貌。结果表明,室温或煮沸条件下试样在HF、HCl、NaOH、KOH强酸、强碱中主要表现为晶隙液相腐蚀,晶隙间的玻璃相被腐蚀掉后留下形似岛屿的SiC晶粒,晶粒紧密相接的晶界未受侵蚀。试样在酸中比在碱中的腐蚀程度重。室温下腐蚀进程缓慢,煮沸后腐蚀迅速;在K3Fe(CN)6液中基本不受腐蚀;而在K3Fe(CN)6与KOH的混合水溶液中主要以晶界腐蚀为主,该混合液能很好地将晶体边缘轮廓腐蚀出来。在强酸中试样失重先快后慢;在强碱中试样不失重或失重轻微。  相似文献   
170.
采用N2吸附、CO2吸附和热重红外联用等技术手段, 考察了在KOH活化稻壳炭的过程中碱炭比和活化温度对活性炭极微孔的影响。结果表明: 在不同碱炭比(0.6︰1~3︰1)和活化温度(640~780℃)下制备的稻壳活性炭, 极微孔主要分布在0.42~0.70 nm。当碱炭比增加时, 极微孔孔容先增大后减小; 而当活化温度升高时, 极微孔孔容呈降低趋势。极微孔率随碱炭比或活化温度的升高而单调递减。在活化温度为640℃、碱炭比为1: 1时, 可得极微孔孔容为0.149 mL/g、极微孔率达36.3%的微孔活性炭。活性炭的极微孔孔容与其在104 Pa时的CO2吸附量高度线性相关。  相似文献   
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