一种高稳定性高精度低压差线性稳压器的分析与设计

提出了LDO,其基于缓慢滚降式频率补偿方法,通过在电路中引入三个极零对(极零对的产生没有增加静态功耗),不仅克服了常规LDO不能使用低等效串联电阻、低成本陶瓷输出电容的缺点,而且确保了系统在整个负载和输入电压变化范围内稳定工作.由于LDO通常给高性能模拟电路供电,因此其输出电压精度至关重要;而该补偿方法能满足高环路增益、高单位增益带宽的设计要求,从而大幅提高LDO的精度.该LDO基于0.5μm CMOS工艺实现.后仿结果表明,即使在低压满负载条件下,其开环DC增益仍高于70dB,满载时单位增益带宽可达3MHz,线性调整率和负载调整率分别为27μV/V和3.78μV/mA,过冲和欠冲电压均小于30mV,负载电流为150mA时的漏失电压(dropout电压)仅为120mV.     

低压差线性稳压器温度保护电路的研究与设计

本文分别根据LDO集成稳压器的PNP和PMOS两种调整管类型,对其温度保护电路设计做了详细的描述,相对于PNP型LDO温度保护电路中出现的热振荡问题,PMOS型LDO的温度保护具有滞回特性,更好的实现了对芯片的温度保护,避免了热振荡.     

一种用于负LDO稳压器的高精度带隙基准源

介绍了一种高精度带隙基准电路结构。采用二阶曲率补偿技术,通过增加一正温度系数项,补偿电路中Vbe(T)展开的负温度系数对数项,改善了基准电压源的温度稳定性。应用该基准电路,设计了一个负输出低压差(LDO)线性稳压器,用高压BIPIC工艺进行流片。测试结果显示,该负LDO线性稳压器的温度系数为85 ppm/℃,线性调整率≤0.02%/V,负载调整率≤0.2%。     

A 540-μW digital pre-amplifier with 88-dB dynamic range for electret microphones

We design a digital pre-amplifier which can be directly connected to an electret microphone.The amplifier can convert analog signals into digital signals,has a wide voltage swing and low power consumption,as is required in portable applications.Measurement results show that the dynamic range of the digital pre-amplifier reaches 88dB,the equivalent input referred noise is 5μVrms,the typical power consumption is 540μW,and in standby mode the current does not exceed 10μA.Compared with an analog microphone,an e...     

如何解决LDO稳压器带来的短时脉冲波形干扰问题

本文分析了LDO稳压器带来的短时脉冲波形干扰的原因,提出了一种解决方案。该方案通过一种新使能电路,达到消除短时脉冲波形干扰的目的,测试结果验证了方案的正确性。     

基于高摆率误差放大器的无片外电容LDO设计

为了解决无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应性能较差的问题,采用跨导提高技术设计了一种高摆率的误差放大器.在误差放大器的基础上,通过电容将LDO的输出端耦合至电流镜构建瞬态增强电路,提升LDO的瞬态响应能力,且瞬态增强电路可以引入两个左半平面零点,改善环路的稳定性.同时,误差放大器采用动态偏置结构,进一步减小...     

双金属复合氧化物的表面原位合成及其催化性能研究

催化精馏是一种新型的工艺操作,它要求有适合其操作条件的催化活性填料。笔者对率活怀相的载体进行筛选用两种表面原位合成法制备了活性填料,并考察了其在醇醚反应中的催化性能和寿命。进一步探讨用表面铝源原位合成法制备此活性填料,并用ＸＲＤ法对制得的活性填料分别进行了结构表征。     

250 mV Supply Voltage Digital Low‐Dropout Regulator Using Fast Current Tracking Scheme

This paper proposes a 250 mV supply voltage digital low‐dropout (LDO) regulator. The proposed LDO regulator reduces the supply voltage to 250 mV by implementing with all digital circuits in a 0.11 μm CMOS process. The fast current tracking scheme achieves the fast settling time of the output voltage by eliminating the ringing problem. The over‐voltage and under‐voltage detection circuits decrease the overshoot and undershoot voltages by changing the switch array current rapidly. The switch bias circuit reduces the size of the current switch array to 1/3, which applies a forward body bias voltage at low supply voltage. The fabricated LDO regulator worked at 0.25 V to 1.2 V supply voltage. It achieved 250 mV supply voltage and 220 mV output voltage with 99.5% current efficiency and 8 mV ripple voltage at 20 μA to 200 μA load current.     

无线传感器网络SoC芯片电源模块LDO的设计

采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于无线传感器网络SoC芯片中射频收发机模块的LDO,具有低温度系数,低静态电流和高电源电压抑制比。其电源电压抑制比大于58dB在1kHz。在-40-+85℃的范围内,温度系数为6.87ppm/℃。电源电压在2.0-3.6V的变化范围内,LDO能提供1.8V的稳定输出电压,100mA的输出电流。芯片面积为0.168mm2,最大静态电流为221.9μA。测试结果表明带隙基准的输出电压为0.429V,LDO的输出电压是1.850V。