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71.
CVD金刚石膜{100}取向在改进化学反应模型下生长的原子尺度模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
建立了CVD金刚石膜{100}取向生长过程中的化学反应模型,表面吸附生长机制以沟槽处碳氢组元加入的机制为主,并用改进的KMC方法在原子尺度上模拟了该模型下(100)表面的生长过程,给出了衬底温度和甲基浓度等操作参数对膜质量的影响,结果表明,该化学反应模型能够较实际地揭示{100}取向CVD金刚石膜的生长。 相似文献
72.
在使用修改的比尔-郎伯定律计算组织的吸收系数以及血氧含量时,平均路径长度(MPL)是一个重要的参数,由此参数可得到微分路径因子(DPF),而DPF通常假定为在一定组织吸收范围内是一个常数.通过腿部的光子蒙特卡罗仿真,本论文使用四种方法来估计MPL,并与MPL的原始定义进行对比.仿真结果表明,DPF显著受到组织吸收的影响,表现为10%的数值变化.因此,使用线性模型将比使用修改的比尔-郎伯定律能更好地计算组织的吸收系数以及血氧含量. 相似文献
73.
74.
通过阴离子开环聚合法制各纳米二氧化硅/MC尼龙6原位复合材料,采用差示扫描量热法研究MC尼龙6及其原位纳米复合材料非等温结品行为,并利用修正Avrami方程的Jeziomy和Liu的方法进一步处理原位纳米复合材料的非等温结晶动力学,结果表明在纳米二氧化硅/MC尼龙6原位复合材料中,纳米二氧化硅对基体MC尼龙6的结晶有一定的成核作用,并提高了其结品速率。 相似文献
75.
76.
本文基于模块化设计思想、应用在线编程技术,设计了一种基于Freescale 8位微控制器MC68HC908GP32的射频识别卡Mifare1的读写模块。给出了该模块的设计方案和硬件系统组成,并介绍了其软硬件实现过程。该读写模块不仅能完成对射频识别卡的控制和读写操作,而且可供用户进行二次开发。 相似文献
77.
介绍了ISP技术及其在智能仪器中的应用,得出了ISP技术的优势是不需要编程器就可以进行单片机的实验和开发,单片机芯片可以直接焊接到电路板上,调试结束即为成品,免去了调试时由于频繁地插入取出芯片对芯片和电路板带来的不便。 相似文献
78.
利用锰硅合金破碎产生的残粉作为生产低磷中碳锰铁的主要原材料,通过分析电硅热法(冷装法)生产中碳锰铁存在的问题和产品碳高、磷高的质量状况,提出了“二步法”脱磷、“二步法”脱硅生产中低碳锰铁的新工艺。根据拟定的工艺实验方案,完成了台架实验和现场模拟实验。实验表明:采用脱磷合金和No.3造渣剂,可以实现MnSi合金同时脱磷、脱碳,合金中磷含量降至0.15%、碳含量降至1.40%以下;脱磷合金用量6%~14%,脱磷率约为18.5%~43.1%;低磷富锰渣预脱硅和锰矿终脱硅的“二步法”熔炼工艺能满足生产低磷中碳锰铁的技术要求。 相似文献
79.
LIN(局部互联网络)是汽车通讯网络中的一种协议标准,简单易行,功能强大,成本低廉。在不要求高传输带宽的情况下,它可以取代成本为其2~3倍的CAN总线网络,并且它还能应用到许多工业控制领域,有很好的发展前景。本文主要介绍了最新的增强型LIN微控制器MC68HC908QL4在LIN总线从机节点上的应用,以及其相比一般UART设备的优势。 相似文献
80.
基于DSP的数字控制逐渐和电力电子应用紧密结合,功率因数校正是电力电子技术的一个重要应用,文中利用FREESCALE新型号MC56F8013的高性能特性,针对电感电流断续工作模式下的功率因数校正应用,完成对应的数字控制解决方案,并用500W实验样机验证了数字控制所带来的优良的系统性能。 相似文献