多栅GaAs MESFET开关

论述多栅开关的结构和特点。开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损 ,多栅开关由于其特殊的结构 ,很好地解决了这一问题。采用多栅结构 ,设计的移动通讯用 DPDT开关在 DC-2 GHz:IL<0 .75 d B,ISO>1 3 d B,VSWR<1 .5 ,P- 1 >1 0 W。开关芯片面积小、成品率高、封装成本低 ,适宜批量生产 ,并已在手机上试装成功。     

一种改进的4H-SiC MESFET大信号解析模型

提出了一种基于器件物理和结构参数并可直接应用于射频电路CAD工具的4H-SiC MESFET大信号解析模型.大信号模型基于4H-SiC MESFET的物理工作机理,源漏电流模型采用Materka的改进模型,沟道长度调制系数和饱和电压系数采用了栅源电压的一次函数建模;大信号电容模型采用电荷-电压(Q-V)的电容积分形式.该大信号模型已经应用在CAD工具中.模拟结果与实验结果符合良好,模型的有效性得到验证.     

高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现

介绍了一种高性能50MHz～20GHz的超宽带5 bit GaAs数字衰减器的设计、制造和测试结果,并着重介绍实现超宽带的设计.该衰减器通过标准0.5μm离子注入工艺实现.最终的单片衰减器性能如下:插入损耗＜5dB;最大衰减量＞31dB;两端口所有态的电压驻波比＜1.5;所有态衰减精度＜±0.3dB;相位变化量(相对于基态)在-5°～20°之间;1dB压缩点输入功率22dBm(10GHz).     

一种用于非线性分析的新型4H-SiC MESFET大信号经验模型

提出了一种简洁的新型4H-SiCMESFET经验大信号模型.在Materka漏电流模型基础上,改进了沟道调制因子和饱和电压系数的建模方式,电容模型采用了改进的电荷守恒模型.参数的提取和优化采用了Levenberg-Marquardt优化方法.在偏置点VDS=20V,IDS=80mA和工作频率1.8GHz下,模型直流电流-电压扫描曲线、输出功率、功率附加效率和增益的模拟结果与实验数据符合良好.     

Nonlinear modeling of class‐E microwave power amplifiers

Verification of the Materka–Kacprzak model suitable for highly saturated MESFET operation is presented. To examine the validity of the model, a broadband microwave class‐E power amplifier was designed and fabricated using a Siemens CLY5 MESFET transistor. A 200 MHz bandwidth (22%) from 0.82 to 1.02 GHz with a power‐added efficiency greater than 60% was measured at an input power level of 15 dBm with a constant output power of 24 dBm. ©1999 John Wiley & Sons, Inc. Int J RF and Microwave CAE 9: 93–103, 1999     

用ADS进行宽带微波功放的仿真设计

宽带大功率微波功放在通信对抗中的应用越来越广泛，而宽带功放的设计在国内还处于起步阶段。介绍了一种用ADS技术来设计宽带微波功放模块的方法，利用MESFET功放管提供的静态Ⅳ特性曲线和小信号S参数，分别优化放大器的输入输出匹配电路，以期达到宽频带大输出功率的目的。通过一个1～2GHz 10W功放模块的设计实例，较为详细地介绍了ADS技术在设计过程中的应用，最后给出了试验电路的测试结果。     

微波单片负阻有源压控滤波器设计方法和实验研究

本文给出了一种利用ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ负阻特性实现的微波单片有源滤波电路，并考虑到ＭＭＩＣ工艺兼容性，提出了一种ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ变容管结构，从而实现了滤波器的压控功能。     

S波段10 W SiC MESFET的研制

采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作频率下连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的MESFET功率样管,该器件的特征频率达6.7 GHz,最高振荡频率达25 GHz.对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析,给出了相应的工艺和测试结果.     

微波功率FET小信号等效电路参数提取方法

文章针对Ｓ参数提取微波功率ＦＥＴ小信号等效电路参数方法,着重论述二种改进的算法,并应用于我所研制的微波功率２１００μｍ栅宽的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯的小信号等效电路１３只元件参数计算,计算得出的Ｓ参数与实验数据相吻合,提高了计算速度和精度。     

S波段88W SiC MESFET推挽放大器研究

采用管壳内预匹配及外电路匹配相结合的方法,制作成功S波段高增益、高效率、大功率SiC MESFET推挽放大器。采用预匹配技术提高了器件输入、输出阻抗,优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。放大器在脉宽为300μs、占空比为10%脉冲测试时,频率2GHz,Vds=50V脉冲输出峰值功率为88.7W(49.5dBm),功率增益为8.1dB,峰值功率附加效率为30.4%。