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41.
利用B~+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量。在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测试表明离子注入隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高。 相似文献
42.
基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模型主要参数具有一定物理意义。C-V特性的模型模拟结果与实验数据的比较表明两者符合良好。该模型还与CAD工具的通用电容模型进行了比较,结果表明新模型具有更高的精度。 相似文献
43.
44.
45.
46.
对光纤通信用定时恢复判决电路进行了研究,设计了由1μm耗尽型GaAs金属-半导体势垒场效应晶体管(MESFET)器件构成的判决电路和时钟提取电路。判决电路的基本单元为源耦合场效应晶体管逻辑(SCFL)电路,时钟提取电路由预处理器和锁相环构成。模拟分析表明,时钟提取电路可从输入信号中提取判决电路所需的时钟脉冲,频率达2.5GHz,判决电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决,并经时钟抽样后,输出正确的数字信号,传输速率达2.5Gbit/s。实测电路可正确判决,时钟抽样后,输出正确的数字信号,传输速率达2.5Gbit/s。 相似文献
47.
T. Inada T. Sato K. Ishida T. Fukuda S. Takahashi 《Journal of Electronic Materials》1986,15(3):169-173
We have succeeded in growing homogeneous semi-insulating GaAs crystals reproducibly by a new and advanced high pressure LEC
growth technique using As injection to control the melt composition during crystal growth. More uniform properties than those
of conventional LEC GaAs were obtained reproducibly in not only longitudinal but also radial directions, including resistivity,
C-V profile, infrared transmission image and FET performance. It is suggested that such homogeneity is due to the effect of
controlling the melt composition at the near stoichiometric (or congruent) point. 相似文献
48.
采用光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)及扫描俄歇微探针(SAM)等表面分析技术对GaAs功率场效应管(FET)源-漏烧毁失效现象进行了分析研究。SEM分析结果表明,源-漏烧毁失效的表面形貌状况较为复杂,烧伤区域的表面形态不尽一致。有源极烧毁较为严重的情况,也有漏极烧伤较严重的情况。SAM分析结果说明,源-漏烧毁FET中烧毁处附近的外表完好的源、漏条Au薄膜下欧姆接触金属薄膜层已完全消失,烧毁源、漏条部位表面化学元素有C、O、Ti、N和Ga,其中C、O在表层几十纳米深度内均有相当高的含量。结合分析结果,讨论了源-漏烧毁的物理机理。 相似文献
49.
无耗GaAs MESFET单片混频器 总被引:2,自引:2,他引:0
陈晓明 《固体电子学研究与进展》1996,(4)
报道了一种无耗GaAsMESFET单片混频器的优化设计过程,实验与计算结果吻合较好。射频频率为11~11.5GHZ时,变频损耗小于2.5dB。 相似文献
50.
本文概述了金刚石的材料特性、金刚石晶体管的结构和工艺。预计金刚石微波功率晶体管可在10GHz下,连续输出功率200W,在100GHz下,连续输出1W。 相似文献