首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1272篇
  免费   79篇
  国内免费   39篇
电工技术   25篇
综合类   49篇
化学工业   482篇
金属工艺   77篇
机械仪表   15篇
建筑科学   35篇
矿业工程   34篇
能源动力   51篇
轻工业   19篇
水利工程   64篇
石油天然气   23篇
武器工业   2篇
无线电   91篇
一般工业技术   170篇
冶金工业   221篇
原子能技术   13篇
自动化技术   19篇
  2024年   3篇
  2023年   31篇
  2022年   41篇
  2021年   47篇
  2020年   48篇
  2019年   33篇
  2018年   57篇
  2017年   55篇
  2016年   50篇
  2015年   43篇
  2014年   51篇
  2013年   59篇
  2012年   83篇
  2011年   91篇
  2010年   59篇
  2009年   79篇
  2008年   58篇
  2007年   74篇
  2006年   68篇
  2005年   53篇
  2004年   39篇
  2003年   51篇
  2002年   31篇
  2001年   40篇
  2000年   26篇
  1999年   30篇
  1998年   16篇
  1997年   9篇
  1996年   11篇
  1995年   11篇
  1994年   3篇
  1993年   13篇
  1992年   6篇
  1991年   10篇
  1990年   5篇
  1989年   1篇
  1988年   2篇
  1987年   1篇
  1984年   1篇
  1976年   1篇
排序方式: 共有1390条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
With RF sputtering process, Si/Si02/Ta/Ru/Ta/CoFeB/MgO/CoFeB/Ta/Ru structure has been grown on Si (100) substrate. Attempting different targets and adjusting the oxygen dose, the crystallization quality of the MgO layer is studied. The X-ray diffraction measurements demonstrate that crystal structure and crystallization quality of MgO layers are related to the type of target and concentration of oxygen in sputtering process. With the method sputtering Mg in an ambient flow of oxygen, not only the crystallization quality of a normal MgO layer with lattice constant of 0.421 nm is improved, but also a new MgO crystal with lattice constant of 0.812 nm is formed and the perpendicular magnetic anisotropy of CoFeB is enhanced. Also it is found that crystallization quality for both the normal MgO and new MgO is more improved with MgO target and same oxygen dose, which means that this new method is helpful to form a new structure of MgO annealed at 400 ℃ in vacuum. with lattice constant of 0.812 nm. All of the samples were  相似文献   
12.
MgO在含铅PTCR陶瓷中的作用   总被引:1,自引:1,他引:1  
研究了MgO加入到含铅PTCR陶瓷中的作用。用碱土金属Mg2+对(Ba,Pb)TiO3掺杂,在1240~1300℃空气中烧结,获得工艺性能良好,烧结温度较低,电性能优良的PTCR陶瓷材料。试验结果表明:MgO的加入降低了含铅PTCR陶瓷的烧结温度,抑制了PbO的挥发。  相似文献   
13.
采用介孔碱性MgO对微孔酸性ZSM-5分子筛进行复合改性,利用液相沉淀包覆技术制备了ZSM-5/MgO复合催化剂,研究了ZSM-5与MgO质量比对复合催化剂物化性质和合成甲硫醇催化性能的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、比表面积及孔隙分析仪(BET)和化学吸附分析仪(CO2/NH3-TPD)等手段对不同复合催化剂的晶相组成、微观形貌、孔结构及表面酸碱性进行分析表征。结果表明:ZSM-5/MgO质量比对ZSM-5/MgO复合催化剂的物化性质和催化性能影响较大。过高或过低ZSM-5/MgO质量比制得复合催化剂中MgO结晶度都有所降低,且未形成包覆相结构;ZSM-5/MgO质量比为1/3时制得复合催化剂形成了均匀包覆相结构和微 介孔结构(总比表面积为162 m2/g,总孔体积0.46 cm3/g),同时具有酸碱特性;在反应压力1.0 MPa、反应温度370  ℃、H2S/CH3OH摩尔比2/1、N2流速80 mL/min、H2S流速4.9 mL/min反应条件下合成甲硫醇,复合催化剂表现出优越的催化性能、稳定性及寿命,CH3OH转化率、CH3SH选择性和CH3SH收率分别达到90.48%、90.04%和81.47%,催化剂寿命达到18 h。与单一ZSM-5分子筛相比,复合催化剂寿命延长了7 h,CH3SH收率提高了13.97百分点。  相似文献   
14.
Magnesium oxide(MgO) nanowires were synthesized on the gold-coated Si(100) and MgO(100) substrates at lower temperature(600℃) by pulsed liquid injection metal organic chemical vapor deposition(MOCVD). The gold catalyst could be found on the tips of nanowires, which presents the vapor-liquid-solid(VLS) growth mechanism. Reactive species(oxygen or magnesium) have strong effects on the growth of nanowires. Abundant reactive species kill the vertically aligned nanowires to be randomly aligned ones or even chan...  相似文献   
15.
周期极化掺镁铌酸锂光参量振荡器的输出光谱特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
颜彩繁  王亚楠  陈少甫  张光寅 《中国激光》2008,35(12):1997-2000
实验研究了基于多周期的掺镁铌酸锂晶体光参量振荡器(OPO),分析了光学参量振荡器的输出光谱特性.实验中,采用激光二极管(LD)端面抽运的声光调Q Nd:YVO4激光器作为光参量振荡器的抽运源,谐振腔采用双凹腔结构.在调Q开关重复频率为10 kHz,周期极化掺镁铌酸锂(PPMgLN)晶体的温度为25.4℃的条件下,实验测得光学参量振荡器的振荡阈值为110 mW.当输入的抽运光的平均功率为325 mW时,获得了平均功率为84 mW的信号光输出,其光-光转换效率为25.8%.通过改变周期极化掺镁铌酸锂晶体的温度(25.4~120℃)和极化周期(28.5~30.5 μm),实现了信号光在1449.6~1635 nm范围内的可调谐输出.在室温25.4℃时,观测到了抽运光与信号光的和频光的光谱.实验结果表明.光参量振荡器输出光谱的半峰全宽(FWHM)小于0.5 nm.  相似文献   
16.
计算了MgO∶LiNbO3中超短中红外光参量放大(OPA)过程中晶体的相位匹配角与非共线角的优化选择。结果表明,对于800nm波长的抽运光,信号光波长为1053nm时,非共线角α优化在1.74°~2°之间;当信号光波长在1046~1067nm内变化时,α在1.05°~2.18°之间,并且当信号光波长为1057nm,α=1.76°时,可实现三波间群速度的完全匹配。同时还得到了抽运光中心波长在780~810nm之间变化时,实现完全群速度匹配时的注入信号光波长与对应的中红外光以及相应的非共线角与相位匹配角。  相似文献   
17.
本文利用反射式高能电子衍射(RHEED)、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控制工艺.发现低温下Mg(0001)/Si(111)界面互扩散得到有效抑制,形成了高质量的单晶镁膜,进一步通过低温氧化法和分子束外延法实现了单晶MgO缓冲层的制备,从而为ZnO的外延生长提供了模板.在这一低温界面控制工艺中,Mg膜有效防止了Si表面的氧化,而MgO膜不仅为ZnO的成核与生长提供了优良的缓冲层,且极大地弛豫了由于衬底与ZnO之间的晶格失配所引起的应变.上述低温工艺也可用来控制其它活性金属膜与硅的界面,从而在硅衬底上获得高质量的氧化物模板.  相似文献   
18.
MgO单晶   总被引:1,自引:0,他引:1  
林康 《硅酸盐学报》1990,18(2):190-192
透明MgO单晶的熔点高达2800℃,是无残留气孔的高致密性材料。因其光透过率、折射率、热导率、电绝缘性、化学稳定性、机械强度等方面性能优异,具有广泛的用途:(1)可作为光学透明材料。由于从紫外到红外的宽范围内,光透过率Τ≥80%,可用于普通照相、紫外照相、特殊光学系统、光纤以及特殊机械光学装置;(2)可作为耐高温、高压窗口材  相似文献   
19.
李普良  徐舜  习小明  王荣 《矿冶工程》2004,24(6):61-62,66
通过湿化学方法首先制得锂离子电池正极材料LiCoO2,以MgSO4和氨水为原料对LiCoO2进行表面包覆得到MgO包覆LiCoO2样品。扫描电镜(SEM)及光电子能谱对包覆样品的分析结果表明:MgO均匀地包覆在LiCoO2的表面;X射线衍射(XRD)图谱及晶胞参数表明:包覆MgO不改变LiCoO2的结构;电性能测试结果表明:MgO-LiCoO2比LiCoO2具有更高的可逆容量,其中当包覆量为0.5%~1.0%时,效果最好。  相似文献   
20.
对硅铁还原氧化镁进行了热力学分析,计算出硅铁还原氧化镁的化学反应自由能和临界反应温度,表明造渣反应和真空条件可使临界反应温度由3846 K降到1358 K. 实验得出还原温度1473 K、10.13 Pa真空度、还原时间1 h及CaO/MgO摩尔比1.4时,镁还原率达94.42%,还原金属镁纯度达98.36%,渣团物相主要为Ca2SiO4和SiO2.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号