相控阵AEW雷达杂波抑制的辅助通道方法研究

本文分析了相控阵机载预警(AEW)雷达杂波抑制的现有两种辅助通道降维技术(Klemm方法和简化方法)的性能，并提出了一种新的辅助通道方法。新方法的基本思想为：根据待处理距离段内各距离单元杂波能量在波束一多普勒域分布的统计特征自适应地选取辅助通道，使所选辅助通道实时地逼近杂波子空间，从而有效抑制杂波。本文方法不但可以用于非正侧视阵情况，而且误差鲁棒性好。计算机仿真结果证实了其有效性。     

稀疏阵列天线综合的遗传算法优化

通过遗传算法优化选择常规满阵中一定比例的工作单元,使阵列在欠饱和状态下达到窄波束低副瓣的要求。以单元的工作状态和激励幅度为优化参量,波束宽度和副瓣电平为适值函数,通过适值缩放和多种群进化竞争使遗传进化稳定地收敛到全局最优。详细分析了稀疏阵的单元布局、稀疏率及单元激励对优化阵列特性的影响。     

利用垂直阵列构作Cartesian认证码

利用垂直阵列构作了一类Cartesian认证码,计算了它们的参数,并且在编码规则按等概率分布选取时,成功的模仿攻击和成功的替换攻击概率也被算出。     

用于X光激光实验的反射式线聚焦光学系统的设计和分析

基于三维光线追迹的象差计算,对卢瑟福实验室用离轴球面反射线聚焦系统作了分析。然后,首次提出了用于X光激光实验的两类新的反射式线聚焦构型,即反射式光楔列阵和光锥列阵系统,并作了计算。最后,对所得结果作了比较和讨论。     

异步时序型PAL解析方法的研究及解析结果分析

本文就异步时序现ＰＡＬ的解析，提出了一种状态图遍历算法。     

紧凑型FLC光纤PDL模块

描述了紧凑型FLC（铁电液晶）光纤PDL（光子延迟线）模块的结构和运转特性；分析了插入损失；提出多信道运转时依赖于波长的设计方案。     

自由空间二维榕树网实现方法

鉴于榕树网在自由空间光子交换网络中具有重要的应用价值,分析了榕树网的特点和4×4二维榕树网的空间拓扑结构,通过偏振光分光棱镜、微闪耀光栅阵列、平面反射镜、半反半透镜和液晶空间光调制器的集成,构建二维的榕树交换网实验模块,利用微闪耀光栅的衍射特性,控制每块微闪耀光栅的周期,以实现入射光信号不同方向的闪耀输出,最终完成二维榕树网自由空间水平和竖直方向上的交叉互连,直通则由平面镜反射实现。对二维榕树网实验模块的功能分析表明,该实验模块理论上可以完成4×4二维面阵内光信号(或数据)的排序、交换、组播、广播、矩阵变换等操作,具有交换透明、速度快、空间带宽高等特点,在全光交换和光通信中具有一定的应用。     

A One‐Kilobit PQR‐CMOS Smart Pixel Array

The photonic quantum ring (PQR) laser is a three dimensional whispering gallery (WG) mode laser and has anomalous quantum wire properties, such as microampere to nanoampere range threshold currents and √T‐dependent thermal red shifts. We observed uniform bottom emissions from a 1‐kb smart pixel chip of a 32×32 InGaAs PQR laser array flip‐chip bonded to a 0.35 µm CMOS‐based PQR laser driver. The PQR‐CMOS smart pixel array, now operating at 30 MHz, will be improved to the GHz frequency range through device and circuit optimization.     

自成像列阵共振腔的分析——Ⅰ.Talbot共振腔

利用自成像效应进行半导体列阵激光器锁相是一种重要的外腔锁相技术,所构成的共振腔可分为Talbot腔和带相位补偿板的Lau腔。我们用Fox-Li方法计算了共振模式。本文给出了Talbot腔的计算结果和分析,表明同相和反相模的损耗随腔长变化存在临界点。     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.