复杂微结构三维形貌测量方法的研究

微结构三维形貌测量是研究微加工工艺和微尺寸特性的重要测试内容。本文提出一种基于相移显微干涉术、利用干涉陶建立二维结构模板指导相位展开的新方法,它不仅适用于静态测量,而且能应用于在动态测量中,特别是微机电系统（MEMS）器件的运动测量。以微谐振器为测试器件,对其运动梳齿结构进行了静态三维形貌测量,实验的离面理论测量精度优于0．5nm,测试结构内部的面内理论测量精度优于0．5μm,而边缘尺寸因受到边缘提取方法的影响,其测量精度仅在μm量级。对该方法的缺点和发展方向做了探讨。     

遥感影像的半自动配准

图像的半自动配准是当前比较先进的图像配准技术。该方法基于初步定位基础,利用模板相关的匹配方法,根据遥感图像之间灰度分布的相关性,选取数量丰富的配准控制点,利用相关系数准则进行图像间的相似性度量,可达到较高的配准精度。实验结果表明,该匹配方法用于遥感图像的配准能够有效提高图像处理的速度以及校正图像的定位精度。     

基于电磁特性SAR图像目标识别模板的建立

针对SAR图像目标识别过程中识别模板形成的缺点和难点,提出了基于电磁散射特性SAR图像目标识别模板的数学模型和成像原理。采用一种混合算法计算了复杂目标的雷达截面(RCS),由目标的散射系数σ或RCS值,通过宽带合成孔径原理求出物体散射特性的空间分布,建立了SAR图像目标识别模板。实验验证了其正确性、有效性,以及具有近实时性、目标姿态连续性和精确性等特点,为快速准确地获取SAR图像中的目标信息提供技术支持。     

基于全局运动补偿的红外目标变换相关跟踪算法

提出了一种新的前视红外序列图像目标跟踪方法.利用基于区域分割和模板匹配的全局补偿算法进行运动估计,有效消除了运动平台中摄像机运动对跟踪性能带来的不利影响.同时,采用二元联合变换相关器进行红外目标的检测与跟踪.通过将振幅调制的功率谱转化为脉冲调制的功率谱,可以获得更清晰尖锐的相关峰,提高了算法的鲁棒性.实验结果表明,该方法是有效的和稳健的.     

一种基于卡尔曼滤波器的模板更新方法

在运动目标跟踪过程中,基于相似性度量的模板匹配法是常用的一种相关跟踪算法.但是,单纯利用模板与图像的匹配准则难以应对跟踪过程中常见的目标姿态变化问题,很难获得比较好的跟踪效果.针对上述问题,利用卡尔曼滤波器对模板像素进行逐像素更新,每个像素依据自身的性质进行修正的幅度都不一样,从而得到自适应和最优的模板图像,最终达到在序列图像中准确匹配的目标.实验证明,该方法在产定程度上解决了跟踪过程中目标的形态变化问题.     

基于纹理特征的火箭目标跟踪方法

为解决姿态剧烈变化的火箭目标跟踪问题,提出了一种新的基于纹理特征的跟踪方法。相对于传统的模板匹配方法,这种方法能对助推器和子级分离的捆绑式运载火箭进行跟踪。在对火箭目标特性进行分析的基础上,采用局部二值化模式(LBP)纹理特征结合Hu不变矩特征描述进行跟踪。跟踪过程中特征匹配采用简单的相似性度量准则,实时模板更新算法为加权更新。测试结果表明,这种方法对发生位移、旋转和尺度变化的火箭目标同样具有比较好的跟踪效果。     

基于样本正交子空间的SAR目标识别方法

利用合成孔径雷达(Synthetic Aperture Radar, SAR)获取的目标像进行识别时,基于子空间的自动目标识别(Automatic Target Recognition, ATR)方法通常是对样本数据的值空间进行操作。当识别相似目标时,由于彼此的值空间存在较大的交集,生成的识别模板的可分性较差。该文提出一种SAR目标ATR方法,该方法将SAR样本数据的正交子空间作为投影空间。因此,不同类目标样本在投影空间的差异性加大,能够明显提高识别效果。实验结果表明,本文方法的识别性能优于其它同类方法。     

Progress in the Molecular Beam Epitaxy of HgCdTe on Large-Area Si and CdZnTe Substrates

This paper presents the progress in the molecular beam epitaxy (MBE) growth of HgCdTe on large-area Si and CdZnTe substrates at Raytheon Vision Systems. We report a very high-quality HgCdTe growth, for the first time, on an 8 cm × 8 cm CdZnTe substrate. This paper also describes the excellent HgCdTe growth repeatability on multiple 7 cm × 7 cm CdZnTe substrates. In order to study the percentage wafer area yield and its consistency from run to run, small lots of dual-band long-wave infrared/long-wave infrared triple-layer heterojunction (TLHJ) layers on 5 cm × 5 cm CdZnTe substrates and single-color double-layer heterojunction (DLHJ) layers on 6-inch Si substrates were grown and tested for cutoff wavelength uniformity and micro- and macrovoid defect density and uniformity. The results show that the entire lot of 12 DLHJ-HgCdTe layers on 6-inch Si wafers meet the testing criterion of cutoff wavelength within the range 4.76 ± 0.1 μm at 130 K and micro- and macrovoid defect density of ≤50 cm⁻² and 5 cm⁻², respectively. Likewise, five out of six dual-band TLHJ-HgCdTe layers on 5 cm × 5 cm CdZnTe substrates meet the testing criterion of cutoff wavelength within the range 6.3 ± 0.1 μm at 300 K and micro- and macrovoid defect density of ≤2000 cm⁻² and 500 cm⁻², respectively, on the entire wafer area. Overall we have found that scaling our HgCdTe MBE process to a 10-inch MBE system has provided significant benefits in terms of both wafer uniformity and quality.     

介孔SnO_2的制备及气敏性能研究

采用CTAB模板法制备了具有介孔结构的SnO2。通过小角X射线衍射,BET法对其进行了表征。采用静态配气法对介孔SnO2的气敏性能进行了研究。结果表明:随着煅烧温度的升高,介孔SnO2的比表面积从105.54m2/g降到38.11m2/g。通过延长陈化时间和进一步水热处理可以增加介孔SnO2材料的比表面积。气敏测试表明:在4.5V加热电压下,气敏元件对体积分数为50×10-6酒精蒸气有较好的气敏性能,灵敏度为9.4,响应-恢复时间均为8s。     

高温AlN为模板的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器

第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分(0.7)AlGaN多层外延结构.利用在线反射监测仪、三轴X射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量.在1.8V的反向偏压下,制作的探测器表现出了日光盲响应特性,在270nm处最大响应度为0.0864A/W.具有约3.5V的正向开启电压,大于20V的反向击穿电压,在2V的反向偏压下暗电流小于20pA.