半导体激光器远场发散角的近似计算

从半导体激光器的单模工作条件出发,提出一个远场发散角的近似公式。比较用此近似公式计算结果与数值计算、二阶矩近似计算的结果发现,在半导体实际应用中的波导层范围,该公式能减少计算难度,同时能够满足精度要求。     

一种共价键结构的高稳定性自组装光控取向膜

通过两次光照法制备了一种基于共价键结构的自组装光控取向膜。首先采用重氮树脂与聚(4-丙烯酰氧基肉桂酸(4′-磺酸钠)苯酚酯)在水溶液状态下通过静电离子沉积法制备了layer-by-layer型的自组装多层膜,制备过程的紫外-可见光谱表明薄膜为逐层、均匀沉积。第一次光照将膜层间的重氮磺酸盐离子键转化为共价键结构,然后采用线性偏振紫外光进行第二次光照,获得具有各向异性的光控取向膜。紫外-可见光谱法证实了薄膜辐照过程中的光化学反应方式。这种液晶光控取向膜可以水平均匀取向向列相液晶,而且具有良好的热稳定性,可达到150℃。     

半导体照明产业与标准化研究

半导体照明被世界公认为节能绿色的照明光源。阐述了国内外半导体照明发展计划,通过对我国半导体照明产业状况进行分析,结合我国特点,提出半导体照明标准化发展建议。     

磁控溅射生长Cu/Si薄膜

用溅射方法在Si(111)上生长Cu/Si,Ti/Si,Cu/Ti/Si薄膜。用XRD,红外吸收光谱,台阶仪对薄膜进行分析和测量。结果表明:在150℃溅射生长出的Cu/Ti/Si薄膜的缓冲层为硅化物TiSi2(311);Cu薄膜的主要成分是晶粒大小为17nm的Cu(111);Cu/Ti/Si(111)平均厚度为462nm,粗糙度为薄膜厚度的3%。在以TiSi2薄膜为缓冲层的Si(111)衬底上生长出的Cu薄膜抗氧化性较强、薄膜均匀性和致密性较好。     

用异淀粉酶改进淀粉膜的研究

异淀粉酸可使淀粉中的支淀粉脱支而形成链淀粉,从而提高淀粉膜的成膜性能及强度。本文用正交试验法研究并淀粉酶对马铃薯淀粉脱支的作用条件,并描绘了异淀粉酶的作用时间与膜的抗张强度,伸长百分率、耐折度、透湿性、链淀粉含量的关系曲线,为制取性能好的食用淀粉膜提供依据。     

上行雷能消灭吗?

讨论了消灭上行雷有关的几个问题,说明半导体针不仅不能消灭上行雷,而且试图消灭上行雷是不正确的研究方向;一切以促进上行雷的产生和发展才是正确的研究方向。     

溅射制备ZnS:Er~(3+)薄膜的光电子发射结构

利用射频磁控溅射法制备掺铒硫化锌直流电致发光薄膜，用ＸＰＳ（ｘ射线光电子能谱）技术进行剖析，获得薄膜内部构态与发光性能关系的信息，讨论了微晶薄膜中稀土掺杂状态对激发机制的影响。     

一种新型微隙突波吸收器

采用半导体技术和Ｓｉ半导体材料研制出一种新型微隙突波吸收器。它具有固有电容小、电流吸收容量大、响应速度快、体积小、成本低，易实现大规模生产等特点。     

汽车电子产品与厚膜混合集成电路

介绍了汽车电子产品的主要种类，并从汽车工作环境的特殊要求角度阐明了厚膜混合集成电路在汽车电子产品中应用的前景。     

金属化有机薄膜电容器的自愈机理及可靠性设计

金属化有机薄膜电容器在制造过程中由于金属化电极发生连续性自愈，致使制造工艺失控。根据自愈机理，采取控制外加压力和电压，恰当选择金属化膜方阻等措施，从而改善工艺，降低废品率。