以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件

首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ∶Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ∶Ｅｒ）／透明电极（ＺｎＯ∶Ａｌ）。发光层是用电子束蒸发制备的,透明电极是采用溅射法制备的。器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,研究了器件的亮度－电压和效率－电压等特性。     

新型的形状记忆合金／硅薄膜微驱动器

介绍了一种用硅微加工技术制作的ＮｉＴｉ／Ｓｉ 薄膜结构的双向微驱动器。它利用ＮｉＴｉ 形状记忆合金薄膜（ＳＭＡ） 大的相变回复应力和Ｓｉ 衬底膜的反偏置力产生有一定位移量的双向运动。对ＮｉＴｉ 薄膜进行合理的图形化后使得驱动器位移量增大,双向效应显著,响应速度提高。同时图形化后的ＮｉＴｉ 膜也是加热电阻,使驱动结构简单,所需功率减少。驱动器实际驱动面积为３ ×３ｍ ｍ２ 厚度为２０μｍ 。可产生的最大位移为５０μｍ ,最高驱动频率可达１００Ｈｚ。驱动功率可减小到２００ｍ Ｗ。经过１０００ 万次振动后,驱动膜无开裂,性能正常。它已被成功的应用于压缩型微泵,该泵最大流量达３４０μＬ／ｍｉｎ 。     

Evidence for the Band‐Edge Exciton of CuInS2 Nanocrystals Enables Record Efficient Large‐Area Luminescent Solar Concentrators

Ternary I‐III‐VI₂ nanocrystals (NCs), such as CuInS₂, are receiving attention as heavy‐metals‐free materials for solar cells, luminescent solar concentrators (LSCs), LEDs, and bio‐imaging. The origin of the optical properties of CuInS₂ NCs are however not fully understood. A recent theoretical model suggests that their characteristic Stokes‐shifted and long‐lived luminescence arises from the structure of the valence band (VB) and predicts distinctive optical behaviours in defect‐free NCs: the quadratic dependence of the radiative decay rate and the Stokes shift on the NC radius. If confirmed, this would have crucial implications for LSCs as the solar spectral coverage ensured by low‐bandgap NCs would be accompanied by increased re‐absorption losses. Here, by studying stoichiometric CuInS₂ NCs, it is revealed for the first time the spectroscopic signatures predicted for the free band‐edge exciton, thus supporting the VB‐structure model. At very low temperatures, the NCs also show dark‐state emission likely originating from enhanced electron‐hole spin interaction. The impact of the observed optical behaviours on LSCs is evaluated by Monte Carlo ray‐tracing simulations. Based on the emerging device design guidelines, optical‐grade large‐area (30×30 cm²) LSCs with optical power efficiency (OPE) as high as 6.8% are fabricated, corresponding to the highest value reported to date for large‐area devices.     

文献计量视角下半导体材料SiC和GaN研究态势

Based on bibliometric, national and international research output within 2000~2018 of the third generation of semiconductor material SiC and GaN was collected. Analysis and studies were made in the region of time distribution, research forces and research hotspots. The general international development tendency and scientific research level in China were also discussed. Meanwhile, study directions clustering and burst key words detecting were used to discover and explain the inner law of evolutionary in this field, especially in the different research focus of various development stages. This paper could also provide a reference on research and arrangement in further studies.     

环境对各向异性导电胶膜性能参数的影响

各向异性导电胶膜(ACF)的玻璃转化温度T_g是它的一个重要性能参数,用差示扫描热示计(DSC)分别测定商用各向异性导电胶膜固化前和固化后的玻璃转化温度,并确定不同的固化时间对它的玻璃转化温度的影响,以及高温高湿(85℃,85%RH)环境对它的玻璃转化温度影响,得到各向异性导电胶玻璃转化温度下降是其粘接强度下降的原因之一。     

用于大功率半导体激光器的新型焊料

在大功率半导体激光器列阵及叠阵的组装中,焊料的选择是极其关键的,因为焊料直接参与对激光器的导电、导热激光器所需的电流全部从焊料通过,而半导体激光器列阵或叠阵工作时电流是很大的,可达50A～100A。同时半导体激光器工作时产生的热量非常大,如焊料的导热性不好,由于电流的热效应,就会在焊料上产生巨大的热量,使焊料熔化。文中研制了一种新型的焊料,这种焊料在两层铟之间蒸镀几层金,焊料由钨/镍/金/铟/铜等多层金属构成。利用这种焊料研制出脉冲功率达100W的半导体激光器列阵。     

毫米波无线通信半导体器件技术发展趋势

随着通信产业尤其是移动通信的高速发展,无线电频谱的低端频率已趋饱和。采用各种调制方法或多址技术扩大通信系统的容量,提高频谱的利用率,也无法满足未来通信发展的需求,因而实现高速、宽带的无线通信势必向微波高频段开发新的频谱资源。毫米波由于其波长短、频带宽,可以有效地解决高速宽带无线接入面临的许多问题,因而在短距离无线通信中有着广泛的应用前景。各种半导体器件是信息和通信技术(ICT)的硬件基础,创造性研发满足毫米波无线通信应用的新兴半导体技术和电路,是提升通信系统容量、解决构建新一代通信系统关键问题的主要技术推手。文章沿着毫米波半导体器件技术创新发展脉络,从相控阵等关键技术的系统架构、半导体材料和工艺、器件设计和封装测试入手,分析总结了第五代(5G)、第六代(6G)移动通信技术毫米波系统和器件技术发展趋势。以美国DARPA的MIDAS计划为例,阐释了军用毫米波器件技术的研究前沿和进展。     

脉冲激光沉积技术沉积温度对PZT/LSAT薄膜生长取向的影响

采用固相法分别制备了标准摩尔配比和铅过垦10%的两种靶材.并利用脉冲激光沉积技术(PLD)在镧锶铝钽(LaSrAlTaO3,LSAT)单晶衬底上成功制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.3Ti0.7)O3,PZT)铁电薄膜,在550～750℃沉积温度范围内研究了PZT薄膜的生长取向和铅含最对薄膜生长取向的影响.利用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)表征了薄膜生长取向和表面形貌.XRD测量表明在标准摩尔配比情况下薄膜牛长从550 C近似c轴取向逐渐过渡到750℃近似a轴取向,而在铅过量情况下薄膜生长取向无明显过渡性变化;AFM测量表明PZT薄膜在近似C轴和a轴生长情况下,表面均方根(RMS)粗糙度分别为16.9 nm和13.7 nm,而在混合生长无择优取向的情况下,薄膜表面均方根粗糙度达到68 nm,这可能是两种取向竞争生长的结果.     

超短脉冲激光烧蚀金属薄膜材料的热效应分析

基于双曲双温两步热传导模型,利用具有人工粘性和自适应步长的有限差分算法,对超短脉冲激光辐照金膜时的温度场进行了一维数值模拟计算.讨论了不同能量密度和脉冲宽度条件下金膜表面温度场的分布情况;分析了电子-晶格耦合系数对薄膜体内温度场的变化规律及电子-品格耦合至热平衡所需时间的影响.结果表明,激光脉冲的能量密度和脉冲宽度对电子温度的峰值有重大影响;电子-晶格的耦合系数决定了二者的温升速率和耦合时间;电子温度及电子温度的梯度在接近表面区域迅速达到最大值,与之相应的热电子崩力是造成金属薄膜早期力学损伤的主要原因.     

50～75 MHz 1200 W脉冲功率LDMOS器件的研制

分析了工作于甚高频(VHF)频段的千瓦级横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的输出功率、漏极效率及功率增益等关键参数在设计时应考虑的因素,在此基础上,采用0.8 μm LDMOS工艺成功研制了一款工作于VHF频段的脉冲大功率硅LDMOS场效应晶体管(LDMOSFET).设计了用于50～ 75 MHz频带的宽带匹配电路.研制的器件击穿电压为130 V.在工作电压为50 V,工作脉宽为1 ms,占空比为30％的工作条件下测试得到,器件的带内输出功率大于1 200 W,功率增益大于20 dB,漏极效率大于65％,抗驻波比大于10∶1.