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991.
To improve the characteristics of breakdown voltage and specific on‐resistance, we propose a new structure for a LDMOSFET for a PDP scan driver IC based on silicon‐on‐insulator with a trench under the gate in the drift region. The trench reduces the electric field at the silicon surface under the gate edge in the drift region when the concentration of the drift region is high, and thereby increases the breakdown voltage and reduces the specific on‐resistance. The breakdown voltage and the specific on‐resistance of the fabricated device is 352 V and 18.8 m·cm2 with a threshold voltage of 1.0 V. The breakdown voltage of the device in the on‐state is over 200 V and the saturation current at Vgs=5 V and Vds=20 V is 16 mA with a gate width of 150 µm. 相似文献
992.
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995.
PIC17C44微控制器是MICROCHIP公司推出的8位高速微控制器,它具有工作电压范围宽,功耗低、功能丰富,使用方便等特点,文中介绍了它的工作原理和引脚功能,给出了PIC17C44的一种典型应用电路。 相似文献
996.
利用PIC18FXX8进行CAN总线系统节点设计 总被引:1,自引:0,他引:1
采用带在片CAN的微控制器PIC18FXX8进行CAN总线系统智能节点的硬件电路设计和软件设计.硬件电路设计时为了增强CAN总线节点抗干扰能力,采用MICROCHIP公司的CAN总线驱动器MCP2551,并通过高速光耦6N137与MCP2551相连,很好地实现了总线上各CAN节点间的电气隔离;软件设计包括PIC18FXX8的CAN模块的初始化、查询方式发送子程序和查询方式接收子程序等应用中最基本的子程序.软件程序采用汇编语言编写,在实际应用中可采用C语言编写. 相似文献
997.
998.
999.
1000.