基于IP库的可编程器件辅助设计软件

针对当前嵌入式系统的特点,设计了一个基于IP库的可编程器件辅助设计软件。这个辅助软件不仅可以对已设计的IP模块进行管理,而且还能根据系统设计规范的要求自行生成相应的HDL程序,提高了设计效率,并可实现设计的重复利用。     

PLD在步进电机控制中的应用

本文介绍了用可编程逻辑器件实现步进电机控制系统中环形分配器的设计，通过Max＋plusⅡ1.0软件用VHDL语言进行设计，仿真出符合四相步进电机控制的时序，最后对PLD进行编程，实现该器件脉冲分配功能。     

可编程通用阵列逻辑器件应用技术讲座

本讲座通过介绍专用集成电路(ASIC)入手,简叙可编程逻辑器件(PLD)的原理和结构,从应用角度介绍通用阵列逻辑器件(GAL)的结构和特点,着重阐述PLD的编程技术,最后给出几个PLD器件应用编程实例.     

Growth of CsLiB6O10 thin films on Si substrate by pulsed laser deposition using SiO2 and CaF2 as buffer layers

CsLiB₆O₁₀ (CLBO) thin films are grown on Si (100) and (111) substrates using lower index SiO₂ and CaF₂ as buffer layers by pulsed KrF (248 nm) excimer laser ablation of stoichiometric CLBO targets over a temperature range of 425 to 725°C. A CaF₂ buffer layer is grown on Si by laser ablation while SiO₂ is prepared by standard thermal oxidation. From extended x-ray analysis, it is determined that CaF₂ is growth with preferred orientation on Si (100) at temperatures lower than 525°C while on Si (111) substrate, CaF₂ is grown epitaxially over the temperature range; this agrees well with observed reflection high energy electron diffraction patterns. X-ray 2θ-scans indicate that crystalline CLBO are grown on SiO₂/Si and CaF₂/Si (100). Analysis of reflectance spectra from CLBO/SiO₂/Si yields the absorption edge at 182 nm. Surface roughness of the CaF₂ and CLBO/CaF₂/Si film are 19 and 15 nm, respectively. This relatively rough surface caused by the ablation of wide bandgap CaF₂ and CLBO limits the application of CLBO for waveguiding measurement.     

硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的特性

用差热分析，X射线衍射分析和透射光谱分析等手段研究了硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的性能，结果表明，Ce-As-S体系的成玻能力较强在空气中自然冷却就能成玻，其（Tg-Tc)/Tg值为0.127-0.289，经激光辐射后的Ge-As-S玻璃薄膜的透射光谱曲线向短波方向移动，且平移的大小随激光功率的增加而增加，薄膜的透射光谱线的平移表明激光辐射导致薄膜光致结构变化，利用电子束辐射极化，通过Maker条纹测试方法在Ge-As-S玻璃中观察到二次谐波。     

非晶氮化硼薄膜的场致电子发射研究

利用脉冲激光沉积 (PLD)技术在镀钛的陶瓷衬底上制备出了非晶态氮化硼薄膜 ,借助于X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜 (SEM )及Raman光谱分析了该薄膜的结构 ,并研究了薄膜场致电子发射特性 ,阈值电场为4 6V μm ,当电场为 9V μm时 ,电流密度为 5 0 μA cm2 。     

用低成本非易失可编程器件进行平台管理

在电信基础设施服务器和工业应用中,系统设计人员正在转向使用可鳊程逻辑器件.本文介绍了利用可编程逻辑器件MachXO在这些设计中进行平台管理的应用.     

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究

利用X射线衍射(XRD),X射线摇摆曲线(XRC)和X射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的ZnO/Si异质结薄膜进行了分析.结果表明:用该法可生长出高度c轴单一取向ZnO薄膜,XRC的半高宽度(FWHM)仅为2.918°.表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的ZnO/Si薄膜.     

基于CPLD的单片机接口设计

现在分离元件在很多电路设计中还在普遍使用,完成逻辑转换、地址译码、数据锁存等任务,在PLD技术相当成熟的今天,采用PLD代替传统分离元器件,将会极大地减小PCB尺寸,节约成本。对CPLD器件和开发工具进行研究,提出一种单片机与CPLD总线接口方案。运用该方案设计单片机系统实现A/D,D/A,LCD等多种外设的接口,电路简洁,并给出CPLD电路设计方案,总体电路原理图和关键程序代码。     

利用VHDL语言设计数字电路

介绍在MAX＋PlusⅡ软件开发平台下利用VHDL硬件描述语言和CPLD器件,实现一个具体的数字电路功能,给出具体设计原理和各功能模块VHDL语言程序,通过软件的方式设计硬件,设计方法更加灵活、高效,并具有调试方便、故障率低、修改升级容易等特点。