MgO缓冲层对PZT/AlGaN/GaN异质结构电学性能的影响

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,以MgO作为缓冲层,在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb(Zr0.52T0.48) O3 (PZT)铁电薄膜,从而形成金属-铁电-介质-半导体结构(MFIS).XRD扫描结果表明,通过MgO缓冲层对界面结构的优化,实现了PZT薄膜沿(111)面择优取向生长.电流-电压(I-V ...     

氧压对脉冲激光沉积LaNiO_3薄膜结构和电学性能的影响

通过改变氧分压,利用脉冲激光沉积方法在Si(100)衬底上制备了系列LaNiO3导电氧化物薄膜;经XRD测试研究发现,通过调控氧压,可获得具有高(100)取向薄膜,且氧压对薄膜结晶性有很大影响,在氧分压为7.5Pa时获得结晶性最好的薄膜。经XRF分析表明,La、Ni元素化学成分计量比随氧压增大而减小。经四探针法测试,薄膜电阻率最小为2.03×10-4Ω.cm,表现出了良好的金属导电性。经SEM和AFM分析表明,薄膜晶粒为柱状晶,排列均匀致密,薄膜表面均匀,粗糙度较小,表明LaNiO3薄膜可以用作一种良好的铁电薄膜底电极材料。     

一种直升机载雷达发射机控制检测电路的设计

介绍了一种直升机载雷达发射机控制检测电路的设计,提出了一个用于直升机载雷达的可行方案。首先叙述了引起发射机故障的主要因素以及每个故障的具体解决方法,随后详细说明了如何使用可编程器件控制发射机正常的工作,最后,考虑到直升机载雷达的特殊性,从提高发射机控制检测单元及外围电路的可靠性和解决防振散热问题两个方面完善了设计。     

基于IP库的可编程器件辅助设计软件

针对当前嵌入式系统的特点,设计了一个基于IP库的可编程器件辅助设计软件。这个辅助软件不仅可以对已设计的IP模块进行管理,而且还能根据系统设计规范的要求自行生成相应的HDL程序,提高了设计效率,并可实现设计的重复利用。     

PLD在步进电机控制中的应用

本文介绍了用可编程逻辑器件实现步进电机控制系统中环形分配器的设计，通过Max＋plusⅡ1.0软件用VHDL语言进行设计，仿真出符合四相步进电机控制的时序，最后对PLD进行编程，实现该器件脉冲分配功能。     

可编程通用阵列逻辑器件应用技术讲座

本讲座通过介绍专用集成电路(ASIC)入手,简叙可编程逻辑器件(PLD)的原理和结构,从应用角度介绍通用阵列逻辑器件(GAL)的结构和特点,着重阐述PLD的编程技术,最后给出几个PLD器件应用编程实例.     

Growth of CsLiB6O10 thin films on Si substrate by pulsed laser deposition using SiO2 and CaF2 as buffer layers

CsLiB₆O₁₀ (CLBO) thin films are grown on Si (100) and (111) substrates using lower index SiO₂ and CaF₂ as buffer layers by pulsed KrF (248 nm) excimer laser ablation of stoichiometric CLBO targets over a temperature range of 425 to 725°C. A CaF₂ buffer layer is grown on Si by laser ablation while SiO₂ is prepared by standard thermal oxidation. From extended x-ray analysis, it is determined that CaF₂ is growth with preferred orientation on Si (100) at temperatures lower than 525°C while on Si (111) substrate, CaF₂ is grown epitaxially over the temperature range; this agrees well with observed reflection high energy electron diffraction patterns. X-ray 2θ-scans indicate that crystalline CLBO are grown on SiO₂/Si and CaF₂/Si (100). Analysis of reflectance spectra from CLBO/SiO₂/Si yields the absorption edge at 182 nm. Surface roughness of the CaF₂ and CLBO/CaF₂/Si film are 19 and 15 nm, respectively. This relatively rough surface caused by the ablation of wide bandgap CaF₂ and CLBO limits the application of CLBO for waveguiding measurement.     

硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的特性

用差热分析，X射线衍射分析和透射光谱分析等手段研究了硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的性能，结果表明，Ce-As-S体系的成玻能力较强在空气中自然冷却就能成玻，其（Tg-Tc)/Tg值为0.127-0.289，经激光辐射后的Ge-As-S玻璃薄膜的透射光谱曲线向短波方向移动，且平移的大小随激光功率的增加而增加，薄膜的透射光谱线的平移表明激光辐射导致薄膜光致结构变化，利用电子束辐射极化，通过Maker条纹测试方法在Ge-As-S玻璃中观察到二次谐波。     

非晶氮化硼薄膜的场致电子发射研究

利用脉冲激光沉积 (PLD)技术在镀钛的陶瓷衬底上制备出了非晶态氮化硼薄膜 ,借助于X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜 (SEM )及Raman光谱分析了该薄膜的结构 ,并研究了薄膜场致电子发射特性 ,阈值电场为4 6V μm ,当电场为 9V μm时 ,电流密度为 5 0 μA cm2 。     

用低成本非易失可编程器件进行平台管理

在电信基础设施服务器和工业应用中,系统设计人员正在转向使用可鳊程逻辑器件.本文介绍了利用可编程逻辑器件MachXO在这些设计中进行平台管理的应用.