基于TDIE精确求解导体面与线天线结合问题

在求解导体面与线天线连接问题中,使用细金属带来模拟细金属导线,把线-面连接问题转换为面-面连接问题,当场点与源点相距很近甚至重合时,阻抗矩阵元素的计算会出现奇异性,推导了一种奇异项解析求解的计算方法。该方法通过坐标轴的平移和旋转,将问题由三维直角坐标系转换到二维极坐标系,解析计算出中间结果后,再通过坐标变换得到原问题中的结果。数值结果表明了改进方法的精确性和有效性。     

伪码信号辅助的CEI载波时延模糊度解算

针对连线干涉测量系统(CEI)在无模型时延或模型时延不准确条件下相位模糊度解算困难的问题,提出了利用伪码测距信号辅助的载波相位模糊解算方法。在测站距离约束下,根据两站所接收伪码信号的相对位置关系计算得到一个时延差作为解载波相位模糊的时延预报值。为了提高解模糊能力,引入了伪码捕获和跟踪的基本方法。仿真分析了不同信噪比下所能达到的最大精度,结果表明在信噪比高于0 dB时,可直接解算S频段的载波相位模糊;在信噪比较低时,可解算宽带群时延的相位模糊。在0dB和-30dB条件下重复试验1 000次,正确率分别达到99.88%和99.91%,证明了算法的有效性。     

快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响

采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300～600℃范围内,对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小。总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释。     

Comprehensive Pyro‐Phototronic Effect Enhanced Ultraviolet Detector with ZnO/Ag Schottky Junction

As a coupling effect of pyroelectric and photoelectric effect, pyro‐phototronic effect has demonstrated an excellent tuning role for fast response p–n junction photodetectors (PDs). Here, a comprehensive pyro‐phototronic effect is utilized to design and fabricate a self‐powered and flexible ultraviolet PD based on the ZnO/Ag Schottky junction. By using the primary pyroelectric effect, the maximal transient photoresponsivity of the self‐powered PDs can reach up to 1.25 mA W^?1 for 325 nm illumination, which is improved by 1465% relative to that obtained from the steady‐state signal. The relative persistent secondary pyroelectric effect weakens the height of Schottky barrier, leading to a reduction of the steady‐state photocurrent with an increase in the power density. When the power density is large enough, the steady‐state photocurrent turns into a reverse direction. The corresponding tuning mechanisms of the comprehensive pyro‐phototronic effect on transient and steady‐state photocurrent are revealed based on the bandgap diagrams. The results may help us to further clarify the mechanism of the pyro‐phototronic effect on the photocurrent and also provide a potential way to optimize the performance of self‐powered PDs.     

关于超高压油缸的设计研究

推导出了确定自增强超高压油缸最佳弹塑性界面半径以及最大允许工作内压的公式,并为工程实际提出了最大工作压力的控制条件.其理论及公式具有一定的理论与实用价值.     

硅PN结反向击穿冷阴极研究

本文报导了硅PN结反向击穿冷阴极电子发射源的研究结果。尽管器件制造中采用的大部分工艺与标准的微电子工艺相容,但为了形成和测量超薄PN结,还引入了一些特殊方法。这些方法包括:超低能离子注入,由氧化和腐蚀构成的结区减薄工艺,快速热退火和一些对工艺进行监测的新方法。本文给出了电子发射特性,最大发射电流达到150nA,它对应的发射效率为8×10~(-6),这个数值已达到国际水平。     

Si/NiO异质pn结的光电性能研究

利用磁控溅射方法成功制备了Si/NiO异质pn结。实 验表明,退火温度升到400℃时,Si/NiO异 质结呈现一定的整流特性;600℃退火的Si/NiO异质结呈现很好的整 流特性,正向开启 电压达到3.5VV时出现漏电流。这可 能是因为600℃退火后,样品结晶转好,应力 释放,缺陷减少,从而改善了样品的整流特性。这一结果得到了X射线衍射(XRD)、原子显微 镜(AFM)和紫外(UV)结果的充分支持。     

高级驾驶辅助系统热仿真

文中对某高级驾驶辅助系统(Advanced Driving Assistance System,ADAS)硬件做了详细的热仿真.首先对前视摄像头、美化罩及乘员舱做了大空间自然对流简化,同时根据流动轨迹确定了美化罩最优的进风孔和出风孔开孔方式,然后根据主动安全域控制器的仿真结果得到了域控制器最优的安装位置和安装空间.介绍...     

LED照明的杂散光分析与散热研究

针对LED照明杂散光的形成原因和处理方法,以及LED照明系统散热问题的产生和结温对灯具寿命和发光率的影响,完善LED照明灯具的设计,利用照明灯具的特点,以目前LED照明灯具采用的散热方式和杂散光的处理形式为基准,采用对比测试的方法对灯具样品进行检验测试。通过对检测结果的分析,解决了LED照明的散热设计中涉及到的关键问题。     

两个耦合约瑟夫森结磁通量子比特能级的研究

研究了两个(?)_(1z)(?)_(2z)Ising型耦合量子比特的能级,这是一种典型的赝自旋约瑟夫森结比特模型。论述了两个磁通量子比特通过耦合可以构成量子力学四能级系统;研究了两量子比特间主要因子含能量差ε,隧穿幅度t和耦合因子j(包括耦合强度和耦合方向)对能级的影响。结果表明:对于由两个相同量子比特构成的系统,在Φ=(1/2)Φ处,不仅两抗铁磁态的能级受控于耦合因子,它们之间的跃迁频率也由耦合因子控制。