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991.
992.
针对连线干涉测量系统(CEI)在无模型时延或模型时延不准确条件下相位模糊度解算困难的问题,提出了利用伪码测距信号辅助的载波相位模糊解算方法。在测站距离约束下,根据两站所接收伪码信号的相对位置关系计算得到一个时延差作为解载波相位模糊的时延预报值。为了提高解模糊能力,引入了伪码捕获和跟踪的基本方法。仿真分析了不同信噪比下所能达到的最大精度,结果表明在信噪比高于0 dB时,可直接解算S频段的载波相位模糊;在信噪比较低时,可解算宽带群时延的相位模糊。在0dB和-30dB条件下重复试验1 000次,正确率分别达到99.88%和99.91%,证明了算法的有效性。 相似文献
993.
采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300~600℃范围内,对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小。总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释。 相似文献
994.
Ying Wang Laipan Zhu Yunjie Feng Zhaona Wang Zhong Lin Wang 《Advanced functional materials》2019,29(5)
As a coupling effect of pyroelectric and photoelectric effect, pyro‐phototronic effect has demonstrated an excellent tuning role for fast response p–n junction photodetectors (PDs). Here, a comprehensive pyro‐phototronic effect is utilized to design and fabricate a self‐powered and flexible ultraviolet PD based on the ZnO/Ag Schottky junction. By using the primary pyroelectric effect, the maximal transient photoresponsivity of the self‐powered PDs can reach up to 1.25 mA W?1 for 325 nm illumination, which is improved by 1465% relative to that obtained from the steady‐state signal. The relative persistent secondary pyroelectric effect weakens the height of Schottky barrier, leading to a reduction of the steady‐state photocurrent with an increase in the power density. When the power density is large enough, the steady‐state photocurrent turns into a reverse direction. The corresponding tuning mechanisms of the comprehensive pyro‐phototronic effect on transient and steady‐state photocurrent are revealed based on the bandgap diagrams. The results may help us to further clarify the mechanism of the pyro‐phototronic effect on the photocurrent and also provide a potential way to optimize the performance of self‐powered PDs. 相似文献
995.
推导出了确定自增强超高压油缸最佳弹塑性界面半径以及最大允许工作内压的公式,并为工程实际提出了最大工作压力的控制条件.其理论及公式具有一定的理论与实用价值. 相似文献
996.
本文报导了硅PN结反向击穿冷阴极电子发射源的研究结果。尽管器件制造中采用的大部分工艺与标准的微电子工艺相容,但为了形成和测量超薄PN结,还引入了一些特殊方法。这些方法包括:超低能离子注入,由氧化和腐蚀构成的结区减薄工艺,快速热退火和一些对工艺进行监测的新方法。本文给出了电子发射特性,最大发射电流达到150nA,它对应的发射效率为8×10~(-6),这个数值已达到国际水平。 相似文献
997.
998.
999.
针对LED照明杂散光的形成原因和处理方法,以及LED照明系统散热问题的产生和结温对灯具寿命和发光率的影响,完善LED照明灯具的设计,利用照明灯具的特点,以目前LED照明灯具采用的散热方式和杂散光的处理形式为基准,采用对比测试的方法对灯具样品进行检验测试。通过对检测结果的分析,解决了LED照明的散热设计中涉及到的关键问题。 相似文献
1000.