全向凝视红外多目标处理系统

针对大视场红外多目标实时侦察和跟踪的急需,提出了一种基于红外鱼眼镜头的全向凝视型多目标跟踪和处理系统。采用红外鱼眼镜头和512 pixel×512 pixel硅化铂焦平面探测器组件实现对威胁目标的全空域包容和全时域实时侦测。设计双数字信号处理器系统的红外多目标处理系统硬件,实时进行多目标识别和跟踪算法的数据处理,给出了读出电路和逻辑框图。对某型机动目标进行了多目标的跟踪实验,采集到包含目标1、目标2的序列红外图像。两目标的理论运行轨迹和实际解算出的运行轨迹比较,验证了系统工作的有效性和多目标跟踪的实时性。     

AFM Studies of Platinum Silicide Thin Films on Silicon Grown by Pulsed Laser Deposition

PtSi ultra-thin films were grown on Si-wafer using pulsed laser deposition(PLD).The surface structure of these films was studied by atomic force microscopy(AFM).In addition ,the compositional structure of the PtSi as deter-mined from X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)is discussed.First report of a possible growth mechanism is presented, on studying the variation of morphological features(i,e,roughness and size of crystallites)with annealing temperatures and the film thicknesses..     

多孔铂化硅红外探测器技术

采用多孔PtSi结构是提高PtSi探测器量子效率的有效技术途径.介绍了一种高量子效率的PtSi红外探测器,即多孔PtSi红外探测器.叙述了这种探测器的制作方法及器件测试结果,并对测试结果进行了讨论.     

电阻法测试超薄膜厚度的研究

常规方法测试超薄膜的厚度存在很大困难。介绍一种测试约4nm PtSi厚度的电阻率法。先制备厚度约40nm的薄膜,测试出薄膜电阻率,再考虑超薄膜的表面效应、尺寸效应,推导出超薄膜电阻率与薄膜电阻率的关系式,测试超薄膜方电阻,计算出超薄膜厚度。给出了TEM晶格像验证结果,误差小于6%。实验表明该方法简单易行,对其他超薄膜厚度的测试提供了参考。     

军用PtSi-SBIRFPA的新发展

概述了军用热成象系统中硅化铂肖特基势垒红外焦平面阵列（ＰｔＳｉ－ＳＢＩＲＦＰＡ）技术的新发展。     

红外用超薄PtSi膜的一种制备新方法

膜厚制约着PtSi红外探测器的量子效率。本文介绍了一种根据固相反应理论 ,在 1 0 - 4 Pa量级真空度条件下 ,采用真空退火、化学腐蚀手段制备超薄 (约 5 5nm)PtSi膜的新工艺方法 ,并用XRD ,XPS对所制备的样品进行了物相分析。该方法所需温度低 ,时间短 ,制得薄膜均匀性好     

PtSi IRCCD像机对红外太阳光谱的观测

采用PtSi 256×256元IRCCD器件对FeI 1．56μm太阳光谱进行了成功观测。分析认为PtSi 256×256元IRCCD器件及像机可满足观测的要求。对观测进行了计算机模拟,实际观测结果与模拟符合较好。     

PtSi／p－Si肖特基势垒红外探测器的研制

介绍了ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ肖特基势垒红外探测器（简称ＩＲ－ＳＢＤ）的优化结构及探测机理，给出了探测器的光增益模型，并对器件进行了制作及性能测试。器件在７７Ｋ下，反偏４Ｖ时的反向漏电流为５×１０（－６）μＡ，对１．５２μｍ红外光的灵敏度为２．６９×１０（－２）Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％。     

利用X射线光电子谱对PtSi/p-si(111)的电子结构研究

利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的 ＰｔＳｉ／ ｐ-Ｓｉ异质薄膜,采用Ｘ射线光电子讲（ＸＰＳ）测试其芯能级和价电子能谱．结果表明,其相形成由表面到界面为Ｐｔ,Ｐｔ＿２Ｓｉ,ＰｔＳｉ,材底温度的升高与沉积薄Ｐｔ膜有利于单一ＰｔＳｉ的形成,并揭示其价电子谱中谱峰出现的原因．