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1.52μm红外光电探测器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用PtSi与P-Si接触,研制成功肖特基势垒红对光电探测器(简称PtSi/P-SiIR-SBD)。在液氮温度(77K)下,对1.52μm红外光,它的灵敏度为2.69×10-2A/W,量子效率为2.4%,反偏4V时的漏电流为5×10-5μA。此外,对PtSi/P-SiIR-SBD的量子效率进行了计算机模拟计算。 相似文献
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本文利用PtSi/n-Si接触试制成一种新的肖特基势垒二极管,其反向击穿电压一般在15V以上,最高达到35V。测试了它的I-V特性,并与理论计算结果进行了比较和分析。 相似文献
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基于标量衍射理论设计了8位相菲涅尔衍射微透镜阵列.利用多次曝光和离子束刻蚀技术在大规模面阵(256×256)PtSi红外焦平面阵列的背面制作了单片集成微透镜阵列样品(单元面积为30μm×40μm).测试结果表明,单片集成微透镜的红外焦平面阵列样品的信噪比提高了2.0倍. 相似文献
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采用离子溅射方法在硅衬底上淀积Pt/Ti/Si多层结构,研究了不同退火温度(500℃和800℃)、相同退火时间(30 min)固相反应形成PtSi薄膜的工艺.通过XRD、AES等测试方法,研究了原子的互扩散和反应过程.结果表明,在500℃退火时,由于Pt-Ti-O-Si过渡层的存在,使得Pt和Si反应不够充分,生成物中有部分Pt2Si存在,而800℃退火时,由于过渡层Ti与Si反应生成TiSi2,消耗了大量的Si,使得Pt与Si反应也不够充分.根据上述实验,给出了Pt/Ti/Si三元固相反应在不同退火温度下应采取的工艺务件. 相似文献
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文章从PtSi RCCD肖特基势垒探测器的基本工作原理出发,研究了PtSi肖特基势垒探测器阵列所产生的噪声。分析了噪声种类、产生根源及机理。探讨了减小及消除各种噪声影响的方法。 相似文献
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PtSi ultra-thin films were grown on Si-wafer using pulsed laser deposition (PLD). As determined from X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and X-ray diffraction (XRD), the compositional structures of the PtSi were discussed. Furthermore, the surface structure of these films was studied by atomic force microscopy (AFM). A possible growth mechanism is presented, on studying the variation of morphological features (i.e., roughness and size of crystallites) with annealing temperature and films thickness. In addition, by the AFM studies and schottky characterization measurements of PtSi films forming during various annealing processing, preferable preparing conditions are proposed to form the continuous and smooth PtSi thin film on Si substrate by PLD. 相似文献
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叙述了PtSi肖特基势垒红外图像传感器的性能,评述了国内外PtSi红外图像传感器的发展,介绍了PtSi热像仪的应用及其市场。 相似文献