校园多媒体课堂门禁设计

采用MIFARE完成IC读卡器射频天线相关的设计,提出具体射频天线和对应匹配电路的设计要求,以达到无接触式读卡通信的最佳性能.对射频卡的数据结构,数据传输的方式,相关的时序,典型电路的设计参数,匹配电路,电磁兼容性电路,数据安全性与完整性,门禁控制方式等进行了详尽地探讨,并给出了一个根据射频天线接口电路理论和无接触读卡通信协议设计出校园多媒体课堂的门禁系统.非接触式高频射频卡用于门禁系统,克服了传统门禁功能单一,升级困难,保密性差的缺点,是各类门禁系统的发展方向.     

网络化射频读卡终端设计

介绍了一种基于ARM处理器和嵌入式Linux操作系统的嵌入式网络化射频读卡终端,分析了其硬件接口电路和软件的设计.该终端具有可移植性好、易于网络互联、存储容量大等特点,应用前景广阔.     

UHF RFID读写器零中频解调方式的研究与实现

在对UHF RFID读写器工作原理进行分析的基础上,介绍一种工作在UHF频段下的读写器的射频接口电路,并确定读写器的解调方式,重点对正交零中频解调方式进行研究,并给出读写器的实现方案.     

GPS接收装置的射频干扰分析

工程实际中,具有GPS接收功能的装置会与其它设备的射频源共存,这些射频源包括GSM、UMTS、WLAN、Bluetooth.指出这些射频源对GPS接收装置的干扰程度,明确哪种射频源对GPS接收装置的阻塞影响最大,同时提出相应的解决方案是关键.验证方法主要是基于Texas Instrument的GPS接收装置,接收由GPS卫星模拟器发出的GPS信息,由具备GSM、UMTS、WLAN、Bluetooth功能的外部设备分别对GPS接收装置发出不同的射频干扰信号.结果证明,工作在UMTS频段的设备,对GPS接收装置的阻塞影响最大,改善GPS接收装置中的带通滤波器性能,对抑制UMTS干扰信号有很好的作用.     

基于RF-BiLSTM的柔直阀冷入阀水温预测及冷却能力评估

为实现柔性直流(voltage sourced converter-high voltage direct current,VSC-HVDC)换流阀冷却系统入阀水温的智能预测,文中提出一种基于随机森林(random forest,RF)和双向长短时记忆(bi-directional long short-term memory,BiLSTM)网络混合的柔直换流阀冷却系统入阀水温的预测模型,并以此为基础对柔直换流站阀冷系统的冷却能力进行评估。首先,采用RF算法对由阀冷系统监测变量组成的高维特征集进行重要性分析,筛选出影响入阀水温的重要特征,与历史入阀水温构成输入特征向量。然后,将特征向量输入到BiLSTM预测模型,对模型进行训练并实现对入阀水温的准确预测和冷却能力定量评估。最后,以广东电网某柔直换流站为实例对所提方法进行分析,验证了所提出的基于RF-BiLSTM的混合模型预测精度优于BiLSTM模型、RF模型、支持向量机(support vector machine,SVM)模型和自回归滑动平均模型(auto-regressive and moving average,ARMA)模型,并且实现了冷却能力的定量评估。结果表明该换流站冷却裕量达98%,存在过度冷却、能源浪费的问题,与换流站现场运行情况相符,验证了文中所提方法的有效性和准确性。     

面向电子战射频光传输的宽带射频信号杂散产生机理及优化方法

针对电子战系统的宽带射频信号波分复用传输,通过理论分析给出了微波光子链路中各关键参量对杂散信号的影响规律,提出了非均匀信道间隔分配的除杂优化方法。该方法通过微调各通道的波长,使四波混频产生的杂散频率超过电子战接收机带宽,从而降低杂散对系统的影响。该方案实现简单,且无需改变现有电子战系统架构,具有较好的工程实现性。实验结果表明:与等波长间隔相比,5通道非均匀波分复用信号传输1 km时,在接收机带宽内四波混频引起的杂散得到了显著优化,动态范围提升了26 dB以上。     

多功能射频综合系统中的电磁协同北大核心CSCD

限定时空条件下,射频综合系统有效发挥多功能效应的实质是实现系统多功能协同高效运行,而制约其协同高效运行的瓶颈是特定时空条件下可用的电磁资源。电磁资源的高效利用依赖电磁协同,是按照任务要求及限定条件,在时间、频率、空间、能量多个维度寻求构建电磁协同自组织结构的最优解,并确定具体任务时空下有序运行自组织结构的驱动方式,按照求解出的电磁资源动态分配结果,执行任务,使系统电磁效应在任务牵引下受控。电磁协同服务于多功能射频综合系统融合,可以有效利用、管理战场电磁环境,高效提升多功能射频综合系统的运行效率。本文从多功能射频综合系统融合运行之瓶颈、电磁协同概念和电磁协同方法三个方面论述电磁协同的核心要点,期望为实现多功能射频综合系统融合运行提供可行的技术途径。     

动态偏置射频宽带功放设计

射频宽带功率放大器是目前功率放大器的主要发展趋势。为了提高射频宽带功率放大器的增益平坦度与效率,采用推挽结构LDmos晶体管,使用ADS软件对动态偏置电路和匹配电路进行仿真设计。详细介绍了动态偏置功率放大器的工作原理及其实现方法。实现了多倍频程带宽、确保带内增益平坦、提高功率附加效率。仿真结果表明该功率放大器对于100MHz~400MHz的信号,在整个输入功率变化范围内,功率附加效率（PAE）与传统的功放相比提高了5~15%左右。     

Comparison of the RF MEMS switches with dielectric layers on the bridge’s lower surface and on the transmission line

Previously, we proposed that the dielectric layer of RF MEMS switch can be fabricated either on the transmission line, as traditional switches, or on the lower surface of the bridge. This paper presents a detailed comparison of the RF MEMS switches with different positions of dielectric layer. Through theoretically analyzing the physical model of fringing capacitance, it is revealed that different positions of dielectric layer can result in different switch capacitances. Therefore, the change of d...     

High‐efficiency transmission‐line inverse Class F power amplifiers for 2‐GHz WCDMA systems

In this article, a novel load‐network solution to implement the transmission‐line inverse Class F power amplifiers for base station WCDMA applications is presented. The theoretical analysis is based on an analytical derivation of the optimum load‐network parameters to control the second and third harmonics at the device output, including the device output parasitic shunt capacitance and series inductance. The transmission‐line inverse Class F LDMOSFET and GaN HEMT power amplifiers using NXP BLF6G22LS‐75 and CREE CGH27060F devices, respectively, were designed and measured. The high‐performance results with the drain efficiency of 70.2% and power gain of 18.0 dB for a 60‐W LDMOSFET power amplifier and with the drain efficiency of 82.3% and power gain of 14.3 dB for a 50‐W GaN HEMT power amplifier were achieved at an operating frequency of 2.14 GHz. © 2011 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2011.