一种900-MHz 20-mW CMOS功率放大器的设计

提出了一个工作电压为3V，工作频率900MHZ，输出功率为20mW的高效率CMOS功率放大器。为了达到设计目标，文章采用了一些特殊的方法，包括三级放大结构，级间的调谐匹配和层叠差分结构。     

中国与世界IC产业发展态势

该文对中国与世界IC产业的发展进行了历史回顾，重点阐述了产业现状与发展方向，并对新世纪的前景进行了科学预测。     

深亚微米条件下的多层VLSI／MCM层分配的遗传算法

本文提出了一个深亚微米条件下的多层ＶＬＳＭＣＭ有约束分层层分配的遗传算法。该算法分为两步：首先进行超层分配，使各线网满足Ｃｒｏｓｓｔａｌｋ约束，且超层数目最少；然后进行各超层的通孔最少化二分层。与目前的层分配算法相比，该遗传算法具有目标全面，全局优化能力强等特点，是一种可应用于深亚微米条件下的ＩＣ ＣＡＤ的有效分层方法。     

小型RFCO2激光器的电路保护

本文详细分析研究了小型射频CO2激光器经常出现的故障现象(过压、负载短路故障),并介绍了相应的保护措施,对实际工作有显着指导意义。     

集成对数放大器

对数放大器由于其特殊的性能而在雷达接收机，通信、遥控和激光测距系统中具有十分广泛的用途。详细叙述了对数放大器的性能，特性，介绍了几种主要的对数放大器类型及其工作原理，考查了国外对数放大器的发展情况，介绍了国内集成对数放大器的主要性能指标及其用途。。     

一种3V CMOS音乐集成电路的设计原理

介绍了一种数字式全定制音乐集成电路设计原理。对伪音阶发生器、节拍发生器等子电路作了较详细的叙述。采用这种原理可设计出单芯片驱动压电陶瓷和发光二极管的音乐集成电路，该电路无须外接电阻、电容，可存储数首歌曲；另外，还可设计出一种数字音频程控频率合成器，时钟为ｆ０时，可控频率范围为ｆ０２～ｆ０２Ｎ。     

SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径，从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。     

差分式连续时间电流型CMOS跨导—电容低通滤波器

应用信号流图法对电流系统传递函数直接模拟，提出了一种新颖的差分式连续时间电流模式ＣＭＯＳ跨导－电容低通滤波器的实现方案。由于采用了差分式结构和电流负反馈，整个电路方案具有差分式结构和电流型电路的优点；并且仅使用最少数量的ＯＴＡ和电容，与数字ＣＭＯＳ工艺兼容，适于全集成。面向实际电路完成了ＭＯＳ管级的计算机仿真，结果表明，所提出的电路方案正确有效     

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.