A cascode modulated class-E power amplifier for wireless communications

A cascode modulated CMOS class-E power amplifier (PA) is presented in this paper. It is shown that by applying a modulated signal to the gate of the cascode transistor the output power is modulated. The main advantage of the proposed technique is a high 35 dB output power dynamic range. The peak power added efficiency (PAE) is 35%. The concept of the cascode power control of class-E RF PA operating at 2.2 GHz with 18 dBm output power was implemented in a CMOS technology and the performance has been verified by measurements. The prototype CMOS PA is tested by single tone excitation and by enhanced data rates for GSM evolution (EDGE) modulated signal. Digital predistortion is used to linearize the transfer characteristic. The EDGE spectrum mask is met and the rms error vector magnitude (EVM) is less than 4° in the entire output power range.     

基于Multisim 10的射频LNA仿真和设计

NI Multisim 10是著名的EDA软件,其仿真功能非常强大,RF电路中LNA的设计是一个难题。使用Multisim设计RF LNA电路,利用虚拟网络分析仪和Smith圆图,对典型RF LNA电路的各种参数进行仿真测试,进而设计阻抗匹配网络,优化电路性能,在设计实践中取得了很好的效果。这对于通信电子产品的设计,对于RF电路的教学和创新型实验具有重要的意义。     

一种低成本专用混合微电路封装技术

随着半导体技术的发展,无论是对产品的技术指标、长期可靠性还是其成本,选择合适的封装技术显得极其重要。文章介绍了一种混合微电路硅胶滴注封装工艺,它具有美观、成本低、可返工的特点,同时又能适应震动、高温等恶劣环境,还能满足中等功率电路的散热需求。     

基于射频识别技术的电子健身教练系统

提出的基于射频识别技术的"电子健身教练"系统,实现了一种无需人员管理和教练,全程电子监控、指示的健身房"电子健身教练"解决方案,不但较好地解决了健身房健身的科学锻炼问题,实现了智能化的健身过程,而且系统内的专家数据库为健身者提供的健身建议和教练方案可基本取代现行健身教练的作用,为健身房节省了人员开销成本和运营费用,从而降低了健身者的消费开支,便于普及应用。     

遥测射频监视仪中带通滤波器的设计与实现

介绍遥测射频监视仪中的平行耦合线带通滤波器的设计与实现。该遥测射频监视系统的功能是监控2.5GHz载波频率准确性和稳定性。在阐述平行耦合线带通滤波器设计原理基础上,运用ADS综合射频仿真软件对滤波器的各项性能指标进行分析,并插入陷波器用以克服平行耦合线带通滤波器存在寄生通带的弱点。测试结果表明,该滤波器能很好地完成抑制干扰及噪声的功能,确保监视系统的正常工作。     

采用射频直采技术的超宽带软件无线电平台

针对现代无线电系统对超宽带、可重构、多功能等需求日益增长的问题,基于射频直接采样技术,构建了一套符合PXI(PCI extensions for Instrumentation)标准的通用化超宽带软件无线电平台,硬件上以数模转换芯片AD9173和模数转换芯片ADC083000为核心,直接采样率高达3 Gsample/s;采用20 nm工艺制程的UltraScale Kintex FPGA,以IP(Intellectual Property)化开发理念设计FPGA固件,实现用户可编程。该平台能够满足0.1~1.4 GHz超宽带软件无线电应用需求,瞬时带宽高达1.3 GHz。     

C波段pHEMT单片Gilbert混频器

采用0.5μmpHEMT工艺研制了Gilbert式单片混频器,设计采用了电流注入技术及跨导级源端负反馈技术,在C波段测试表明:变频增益大于1.5dB,单边带噪声系数典型值为12.5dB,变频带宽约为DC～1GHz,所需本振功率实测值为1.6dBm。     

多谐波失真模型应用研究

基于非线性大信号散射函数理论,对一种用来线性化散射函数的新方法进行了研究.另外,在弱非线性条件下,与相位归一化和线性化技术相结合,分析了极坐标系下线性化表达式的各部分功能,并预测了输出散射波所应该具有的特性.最后,利用实际HEMT晶体管的测量数据说明了应用多谐波失真模型对精确分析非线性器件的重要意义.     

c轴择优取向ZnO薄膜RF溅射工艺研究

通过射频磁控溅射在Si(100)基片上制备了ZnO薄膜,该文着重研究了磁控溅射中各生长参数如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对氧化锌薄膜结晶性能、表面形貌、择优取向与微结构的影响,并对溅射工艺与取向、结构的关系进行了分析比较,从而确定了最佳溅射及后处理条件并获得了c轴择优取向的ZnO薄膜。     

衬底温度对射频磁控溅射制备氮化硅薄膜的影响

采用射频磁控反应溅射技术,以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅(SiN)薄膜;利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外-可见光谱,研究了不同衬底温度对SiN薄膜的相结构、表面形貌和成分、薄膜厚度以及光性能的影响.结果表明;制备的SiN薄膜为富硅结构;提高衬底温度,可增加光学带隙;当衬底温度为450℃时,薄膜由尺寸约为40 nm的SiN晶粒组成,且在紫外-可见光区的透过率高达90%.