全文获取类型
收费全文 | 28921篇 |
免费 | 2731篇 |
国内免费 | 1539篇 |
专业分类
电工技术 | 2552篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 2369篇 |
化学工业 | 3705篇 |
金属工艺 | 880篇 |
机械仪表 | 1470篇 |
建筑科学 | 2944篇 |
矿业工程 | 1308篇 |
能源动力 | 3839篇 |
轻工业 | 1211篇 |
水利工程 | 712篇 |
石油天然气 | 1814篇 |
武器工业 | 285篇 |
无线电 | 3837篇 |
一般工业技术 | 2183篇 |
冶金工业 | 1247篇 |
原子能技术 | 520篇 |
自动化技术 | 2313篇 |
出版年
2024年 | 116篇 |
2023年 | 446篇 |
2022年 | 804篇 |
2021年 | 977篇 |
2020年 | 1053篇 |
2019年 | 912篇 |
2018年 | 859篇 |
2017年 | 1060篇 |
2016年 | 1187篇 |
2015年 | 1254篇 |
2014年 | 1945篇 |
2013年 | 1937篇 |
2012年 | 2132篇 |
2011年 | 2291篇 |
2010年 | 1772篇 |
2009年 | 1778篇 |
2008年 | 1636篇 |
2007年 | 1769篇 |
2006年 | 1616篇 |
2005年 | 1258篇 |
2004年 | 1047篇 |
2003年 | 934篇 |
2002年 | 762篇 |
2001年 | 660篇 |
2000年 | 571篇 |
1999年 | 457篇 |
1998年 | 328篇 |
1997年 | 294篇 |
1996年 | 287篇 |
1995年 | 211篇 |
1994年 | 186篇 |
1993年 | 119篇 |
1992年 | 94篇 |
1991年 | 97篇 |
1990年 | 65篇 |
1989年 | 58篇 |
1988年 | 39篇 |
1987年 | 34篇 |
1986年 | 30篇 |
1985年 | 21篇 |
1984年 | 22篇 |
1983年 | 13篇 |
1982年 | 16篇 |
1981年 | 16篇 |
1979年 | 4篇 |
1978年 | 3篇 |
1959年 | 3篇 |
1956年 | 2篇 |
1955年 | 3篇 |
1951年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 171 毫秒
991.
伴随着持续发展的科学技术水平,人们更高要求软件,针对当前逐步增长的产品研发要求,以往传统软件开发方式难以满足,在此背景下,亟待开发出适应现代生活的嵌入式软件,更多的人将其目光放在开发嵌入式软件方法,以便可以将开发软件效率提升,确保开发质量,开发嵌入式软件,必须将其出发点放在客观实际,将已开发当成中心,着力需求嵌入式软件开发原则与模式。 相似文献
992.
针对蜂窝网中某一基站处于体眠状态时引起各用户的通信中断问题,提出利用中继协作通信实现跨小区多跳通信的迭代中继选择算法.该算法是在有多个中继节点可为目的节点提供协作中继时,将源节点到目的节点的数据传输分为3个连续时隙,选择满足目的节点信噪比最大化的中继,以协作效率为依据删除协作效率最小的中继节点,从而逐次优化中继选择结果.仿真结果表明,该算法在跨小区多跳的通信过程中,能选择出协作效率最高的中继节点,减少协作中继的数量,可以减少中继对能源不必要的消耗,改善小区内中继协作效率,在多跳的过程中节省源节点的发射功率,从而达到能效优化的目的. 相似文献
993.
综述了近几年微波、毫米波氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)与单片微波集成电路(MMIC)在高效率、宽频带、高功率和先进热管理等方面的应用创新进展.介绍了基于GaN HEMT器件所具有的高功率密度和高击穿电压,采用波形工程原理设计的各类开关模式的高效率功率放大器,以及基于GaN HEMT器件的高功率密度、高阻抗的特点与先进的宽带拓扑电路和功率合成技术相结合的宽频带和高功率放大器.详细介绍了微波高端和毫米波段的高效率、宽频带和高功率放大器,多功能电路和多功能集成的GaN MMIC.最后阐述了由于GaN HEMT的功率密度是其他半导体器件的数倍,其先进热管理的创新研究也成为热点. 相似文献
994.
采用高温固相合成工艺制备了KSrPO4:x Eu3+红色发光材料,通过X射线衍射、荧光光谱、量子效率仪、封装对发光材料的晶体结构及发光特性进行了研究。XRD表明KSrPO4晶体结构并没有随着Eu3+的掺入而发生变化;荧光光谱表明KSrPO4:Eu3+在394 nm处存在最强激发峰,发射光谱最强发射峰为612nm;量子效率研究表明随着Eu3+掺杂量的增加,量子效率先增后降,在Eu3+掺杂量x=0.04时,量子效率存在最大值51%;封装光源的显色指数为83,色温3497 K,并且随着电流的变化色坐标(X,Y)基本保持不变,因此,KSrPO4:Eu3+红色发光材料作为近紫外激发的红色发光材料具有一定的潜力。 相似文献
995.
996.
以LTE-Advanced系统为研究背景,提出了一种基于动态频谱接入技术的载波聚合方案(DSA-CA)。该方案的主要思想是使支持载波聚合技术的eNB根据小区的平均负载自适应地调节聚合的载波数量,从而达到合理利用频谱的目的。通过对基于动态频谱接入技术的载波聚合方案在LTE-Advanced 系统中的性能进行仿真研究,结果表明:DSA-CA方案与传统载波聚合方案(CA)相比,可使系统性能在一定程度上得到提高,尤其当一个小区处于高负载、另一个小区处于低负载时,DSA-CA方案的优势更加明显,此时高负载小区系统吞吐量得到明显提高,低负载小区的频谱效率也显著上升。 相似文献
997.
建立光互连模块有限元分析模型并进行热循环加载有限元分析,获取了垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)与耦合元件间的位置偏移;采用正交实验设计法设计了不同焊点结构参数组合并建立有限元模型,计算相应焊点形态参数组合下的位置偏移数据并进行方差分析.结果表明:在一个热循环周期内低温保温结束时刻位置偏移最大;外端光通道的位置偏移比中间光通道的偏移值大;在置信度为95%时VCSEL焊点高度对对准偏移具有显著影响,因素显著性排序由大到小依次为:VCSEL焊点高度、陶瓷基板焊点高度、VCSEL焊点体积和陶瓷基板焊点体积;单因子变量分析表明,位置偏移随VCSEL焊点高度增加而增大. 相似文献
998.
999.
1000.