隔离槽深度对面阵探测器热应力影响研究

热冲击下InSb面阵探测器的成品率制约着其适用性。为了解光敏元隔离槽深度对InSb芯片中热应力的影响,针对典型器件结构,借助ANSYS软件,分析了隔离槽深度对InSb芯片、底充胶和硅读出电路中Von Mises应力的影响。模拟结果表明:随着隔离槽深度的增加,InSb芯片上的热应力起初缓慢增加,之后增加速度越来越快,当隔离槽深度超过8μm后,InSb芯片上的热应力陡峭上升。对硅读出电路和底充胶来说,在热冲击下累积的热应力似乎与隔离槽深度无关,分别在370 MPa和190 MPa左右浮动。当隔离槽深度取4μm时,整个器件的热应力较小、且分布均匀,能够满足光学串扰及结构可靠性设计的需求。     

CMR锰氧化物在激光及光探测方面的应用进展

混合价态钙钛矿锰氧化物在外界温度变化和磁场作用下表现出巨大的磁电阻 (Colossalmagnetoresistance ,简称CMR)效应 ,引起了人们的广泛关注。由于CMR材料在传感器、探测器以及硬盘读出磁头等应用器件研发上极具潜力 ,科学家们对其进行了大量研究。本文在简单介绍CMR材料结构和机理的基础上 ,着重报道了我们利用CMR薄膜的激光感生热电电势 (LITV)制备激光功率 能量探测器和利用电阻在室温附近的巨大变化研制的光热辐射探测器 (Bolometer)方面的新进展     

Substrate issues for the growth of mercury cadmium telluride

Close lattice matching and lattice compatibility with mercury cadmium telluride (MCT) make CdTe and related alloys ideal substrate materials for growth of MCT layers for the purpose of making high-performance second-generation infrared detectors. However, the limitations in the properties of CdTe and the difficulties in its bulk growth have prompted extensive research in the area of alternative substrates. Some basic relevant characteristics of substrates such as sapphire, GaAs, and silicon are compared and the possibilities and problems associated with each material are analyzed in the light of the most recent results in the field.     

A Fractional-N CMOS DPLL with Self-Calibration

A digital phase-locked loop (DPLL) based on a new digital phase-frequency detector is presented.The self-calibration technique is employed to acquire wide lock range,low jitter,and fast acquisition.The DPLL works from 60 to 600MHz at a supply voltage of 1.8V.It also features a fractional-N synthesizer with digital 2nd-order sigma-delta noise shaping,which can achieve a short lock time,a high frequency resolution,and an improved phase-noise spectrum.The DPLL has been implemented in SMIC 0.18μm 1.8V 1P6M CMOS technology.The peak-to-peak jitter is less than 0.8% of the output clock period and the lock time is less than 150 times of the reference clock period after the pre-divider.     

GaN基紫外光探测器的研究进展

相对于其他类型的探测器,GaN基紫外光探测器具有很多优点.本文主要介绍了近几年GaN基紫外光探测器的发展,并对各种结构形式进行了比较.     

基于通道选择技术的统计MIMO雷达CFAR检测器

研究了基于通道选择技术的统计多输入多输出(MIMO)雷达恒虚警(CFAR)检测问题,提出了基于顺序统计量(Or-der Statistic,OS)的通道选择技术及其两种CFAR检测方法。第一种是在事先估计或先验已知有效通道数量me的前提下,非相参积累me个最大的局部检测统计量形成最终的检测统计量,即OS-GLRT检测器。第二种则是采用或规则,对各种有效通道数量假设条件下得出的OS-GLRT检测器的判决结果进行融合,从而克服了OS-GLRT检测器对有效通道数量估计值比较敏感的问题。所得到的MOS-GLRT检测算法无需估计有效通道数量,且在各种输出信噪比分布模型下都具有良好的检测性能。     

基于CFAR的SAR目标检测

CFAR检测是由事先定好恒定虚警概率进行目标检测的一种算法,其前提是目标相对于背景具有较强的对比度。CFAR算法通过单个像素灰度和某一门限的比较达到检测目标像素的目的。文中研究了恒虚警概率检测算法,推导了不同拟合分布的具体形式,给出了几种代表性检测器,如CA-CFAR检测器,通过仿真结果证明,在均匀杂波区域中,3种检测器的结果相当,都能检测出目标。但从整体看,CA-CFAR的检测性能更好。     

基于有序统计类恒虚警检测的脉冲压缩雷达移频特征消隐多载波干扰研究

针对采用有序统计类恒虚警检测的线性调频脉冲压缩雷达,提出了一种专门的多假目标产生方法。根据有序统计类恒虚警检测原理进行干扰假目标设计,在此基础上提出具有移频特征消隐的多载波干扰方法;针对有序统计类恒虚警检测的特点,对干扰参数进行设置,在真实目标的左右检测单元产生了数量、幅度、空间分布可控的多假目标。仿真结果表明,该干扰方法可以有效降低目标在雷达检测端被发现的概率。     

基于ADSP的非高斯最佳检测器实现

为实现主动声纳在混响背景下确知信号的最佳检测,基于AD公司高性能32位浮点ADSP21060芯片实现检测过程,研究了混合高斯噪声背景下单频确知信号的非高斯最佳检测器,给出了DSP实现的系统原理图、硬件框图及软件流程。仿真结果表明:合理的软硬件布局能使ADSP处理器的动态实现满足主动声纳对大吞吐量数据的需求。