全文获取类型
收费全文 | 1827篇 |
免费 | 33篇 |
国内免费 | 85篇 |
专业分类
电工技术 | 55篇 |
综合类 | 50篇 |
化学工业 | 140篇 |
金属工艺 | 62篇 |
机械仪表 | 79篇 |
建筑科学 | 4篇 |
矿业工程 | 10篇 |
能源动力 | 103篇 |
武器工业 | 12篇 |
无线电 | 891篇 |
一般工业技术 | 358篇 |
冶金工业 | 13篇 |
原子能技术 | 37篇 |
自动化技术 | 131篇 |
出版年
2023年 | 13篇 |
2022年 | 16篇 |
2021年 | 19篇 |
2020年 | 27篇 |
2019年 | 13篇 |
2018年 | 12篇 |
2017年 | 33篇 |
2016年 | 29篇 |
2015年 | 39篇 |
2014年 | 70篇 |
2013年 | 65篇 |
2012年 | 50篇 |
2011年 | 103篇 |
2010年 | 75篇 |
2009年 | 84篇 |
2008年 | 81篇 |
2007年 | 89篇 |
2006年 | 112篇 |
2005年 | 67篇 |
2004年 | 57篇 |
2003年 | 56篇 |
2002年 | 56篇 |
2001年 | 39篇 |
2000年 | 58篇 |
1999年 | 70篇 |
1998年 | 104篇 |
1997年 | 95篇 |
1996年 | 105篇 |
1995年 | 61篇 |
1994年 | 30篇 |
1993年 | 27篇 |
1992年 | 37篇 |
1991年 | 34篇 |
1990年 | 40篇 |
1989年 | 25篇 |
1988年 | 36篇 |
1987年 | 7篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 1篇 |
1976年 | 1篇 |
1974年 | 1篇 |
排序方式: 共有1945条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
22.
23.
F. Nava G. Wagner C. Lanzieri P. Vanni E. Vittone 《Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment》2003,510(3):273-280
The development of SiC minimum ionising particle (MIP) detectors imposes severe constrains in the electronic quality and the thickness of the material due to the relatively high value of the energy required to produce an electron–hole pair in this material by MIP against the value for Si. In this work, particle detectors were made using semiconductor epitaxial undoped n-type 4H-SiC as the detection medium. The thickness of the epilayer is on the order of 40 μm and the detectors are realised by the formation of a nickel silicide on the silicon surface of the epitaxial layer (Schottky contact) and of the ohmic contact on the back side of 4H-SiC substrate. The low doping concentration (6×1013 cm−3) of the epilayer allows the detector to be totally depleted at relatively low reverse voltages (100 V). We present experimental data on the charge collection properties by using 5.486 MeV -particles impinging on the Schottky contact. A 100% charge collection efficiency (CCE) is demonstrated for reverse voltages higher than the one needed to have a depletion region equal to the -particle extrapolated range in SiC. The diffusion contribution of the minority change carriers to CCE is pointed out. By comparing measured CCE values to the outcomes of drift–diffusion simulation, values are inferred for the hole lifetime within the neutral region of the charge carrier generation layer. 相似文献
24.
An ab initio study using the local spin density approximation of the electronic and optical properties of materials where Cr transition metal substitutes for N in the GaN host semiconductor with an atomic concentration of 1.56% is presented. This material, characterized by an isolated and partially filled intermediate band, is a candidate for high-efficiency solar cells. The atomic and orbital composition of this band has been analyzed showing that is mainly made up of a t-group orbital of the transition metal. The absorption coefficient theoretical results show a sub-gap absorption with respect to the host semiconductor which could lead to an increase in solar conversion efficiency. 相似文献
25.
26.
讨论了半导体浪涌保护器件的基区宽度,着重分析了基区宽度与开通电压、静电电容、浪涌能力的关系,指出控制基区宽度,可有效地提高器件的浪涌能力,降低静电电容和开通电压 相似文献
27.
28.
为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。 相似文献
30.
采用深能级瞬态谱仪(DLTS)测定了In0.53Ga0.47As/InP异质结光电二极管的DLTS谱。发现存在一电子陷阱,该陷阱能级位于导带底以下0.44eV处,能级密度为3.10×1013cm-3,电子俘获截面为1.72×10-12cm-2。由于深能级的存在,导致了该器件存在一种新的“暗电流”──“深能级协助隧穿电流”。 相似文献