用作EDFA光泵浦的激光二极管

近几年来,用作掺铒光纤放大器(EDFA)泵浦光源的半导体激光器,获得了积极的开发和使用。1.48μm 波长大功率激光二极管已商品化,并向更高水平发展。0.98μm 的应变量子阱结构器件也处在开发中,已有部分试用样品。文中介绍1.48μm 和0.98μm 波长大功率半导体激光器的主要结构和开发现状。     

InP中皮秒快速现象

利用测量瞬态反射谱的方法，探索了掺硫、铁、锌以及非掺杂的ＩｎＰ中载流子寿命，观察到非掺杂ＩｎＰ中载流子寿命最长约６０ｐｓ，掺锌ＩｎＰ中载流子寿命３８ｐｓ居中，掺硫和掺铁的寿命最短约１ｐｓ掺硫、铁和锌的ＩｎＰ中载流子寿命下降，是由于掺杂引入了复合中心，这一结果已被喇曼光谱所证实。     

半导体环形腔激光器输出特性理论与实验

首先导出了光纤环形腔半导体激光器中光子数密度的解析表达式后,分别从理论和实验上研究了阈值电流、输出功率和光纤耦合比之间的依赖关系。结果表明,阈值电流与光纤耦合比的对数满足线性关系;同时,在特定的偏置电流下,存在一个最佳的光纤耦合比使输出功率为最大。这将对于环形腔半导体激光器的理论研究和优化器件结构有所裨益。     

小发散角高功率半导体激光器研究

在量子阱半导体激光器中,量子尺寸引起的衍射效应使半导体激光器的光束质量很差。分别限制结构的垂直结平面发散角在40°左右,使得光束整形系统比较复杂,限制了半导体激光器的直接应用。为解决这一问题,提出了降低垂直结平面发散角的要求。回顾了小发散角半导体激光器的技术发展及应用,对具有小发散角的模式扩展波导结构进行了理论模拟和实验验证,获得了优化的结构。采用MOCVD外延技术生长了外延片,制作了高峰值功率脉冲激光器,获得了快轴发散角小于25,°峰值功率大于80W的半导体激光器,在激光引信应用中获得良好效果。     

半导体光集成电路

半导体光集成电路(PIC)是光电子集成电路(OEIC)的一个分支,它侧重于光学互连的导波光电子器件的单片集成。由于Ⅲ-Ⅴ族材料外延晶体生长和相关工艺技术方面的进步,这一研究领域最近取得明显进展。本文讨论了集成有源和无源光波导的某些必要技术,并介绍了几种典型器件。     

受益于紧凑型晶闸管模块的可靠耐用的软起动器

软起动器已在工业中得到广泛应用,市场上也出现了众多软起动器产品。本文介绍的新Sirius系列软起动器有其特色,可供读者参考。     

半导体激光泵浦掺钕铍酸镧固体激光器

报道了用国产二极管激光端面泵浦自行研制的掺铵铍酸镧（Ｎｄ：ＢＥＬ）晶体得到１．０７μｍ线偏振激光输出的研究结果。分别用非球面透镜成像、加棱镜对扩束、加光纤传输三种方式将泵浦光耦合到增益介质中，由此得到不同的斜效率，并对此作了分析。     

表面电场整形高压RESURF LDMOST

提出了采用对ＬＤＭＯＳ漂移区表面进行分段离子注入，对表面电场进行了整形的一种新结构高压ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ。利用二维数值模拟对这种器件结构的分析表明，这种新结构显著降低了表面电场峰值，降低了采用ＲＥＳＵＲＦ技术导致的耐压对工艺参数变化的敏感性，并在耐压不降低的情况下缩短器件漂移区长度，得到低的比导通电阻Ｒｏｎ．Ａ。     

用于高速GaAs IC在片检测的电光取样系统

目前直接电光取样技术是在片检测砷化镓高速集成电路内部动态特性的最好方法。我们建立了半导体激光器电光取样系统，测试了梳状信号发生器输出的４３．７ｐｓ的电脉冲信号以及频率５ＧＨｚ的微波信号，并测试了频率３ＧＨｚ的微波信号的位相移动或时间延迟以及铁氧体微波移相器的静态特性曲线，这个系统将被应用于砷化镓高速集成电路内部动态特性在片检测。     

模拟半导体器件的一种稀疏矩阵及其算法

本文提出了一种用于半导体器件数值分析的新颖的稀疏矩阵技术及其算法实现。文中详述了该稀疏矩阵的存储方式及计算过程,并与现有的稀疏矩阵技术作了比较,说明该稀疏矩阵用于半导体器件模拟时可以大大减少存储量和节省运算时间,实施也非常方便。文中还给出用该稀疏矩阵技术完成的几个算法,并给出计算实例,以说明该稀疏矩阵技术所需的时空特性。