生物材料与生物传感器

最近，传感器在各个领域的广泛应用特别引人注目。尤其是在医疗领域相继推出一些新型传感器，如用于急救、临床监视计测体液中化学物质的传感器，用于医疗的各种生物传感器。而这类生物传感器要具有分子识别功能就得用生物材料。     

后硅时代：生物计算走向实用

摩尔定律认为，芯片上的晶体管数量每2年翻一番，这个定律在未来的15—20年中将仍然有效。15或20年之后，芯片制造商缩小晶体管体积的努力会碰到困难。     

Tribological Properties of the Semi-metallic Friction Material with Nano-SiC

The tribological properties of the semi-metallic friction materials with nano-SiC were studied by the contrast experiments. The experimental result indicates that when the nano-SiC powder substitutes the generalSiC powder, the friction coefficient is not obviously improved. On the contrary, the wear rate increases a little.The friction surfaces and the mixed powder were examined by a scanning electron microscope and the experimental data were analysed. The main reason, which leads to the high wear, is found.     

一个机组供电的晶体管稳流电源

1983年我们制作了一台由机组供电的晶体管稳流电源,取代原苏制BT-4稳流装置,作为ЭГ-2.5质子静电加速器分析磁铁的激磁电源。主要技术指标为:(1)额定输出直流电压100 V;(2)额定输出直流电流30 A;(3)电流调节范围0—30 A;(4)电流稳定度为±1.4×10~(-5)(当负载变化±10%时),±1.0×10~(-5)(当电网电压变化±10%时);(5)长时间漂移为2.3×10~(-5)/h,5.26×10~(-5)/8 h;(6)电流纹波为8.7×10~(-5)。     

SiC薄膜的阻氚性能研究

在不锈钢基体表面用离子束混合技术沉积SiC薄膜,然后用能量为5 keV的H+对其辐照直至剂量达到1×1018/cm2,再用二次离子质谱分析(SIMS)分析H+在SiC薄膜中深度分布和正离子谱,研究薄膜的阻氢性能和阻氢机理;最后采用渗透实验对涂覆在不锈钢基体表面的SiC材料的氚渗透系数进行测试,对其阻氚性能进行验证.结果表明,在不锈钢基材表面涂覆的SiC薄膜具有良好的阻氢性能,可将氚的渗透率降低4个数量级以上,SiC薄膜的阻氢是由于氢与薄膜中的硅、碳悬挂键反应形成诸如C-H、C-H2、C-H3、Si-H、Si-H2和Si-H3引起的.     

基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器

本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT）工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示,最大增益在108 GHz处达到20.4 dB,在66~112.5 GHz范围内,小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处,实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。     

一种改进的基于110GHz在片S参数测试的HEMT器件寄生电阻提取方法

提出了一种改进的高电子迁移率晶体管寄生电阻提取方法,该方法利用了特殊偏置点 （V_gs > V_th, V_ds = 0 V）的等效电路模型, 推导了寄生电阻的表达式,采用半分析法对寄生电阻进行了优化。1 ~110 GHz S参数实测结果和仿真的S参数一致,证明该方法是有效的。     

SiC含量对激光选区熔化制备SiCP/AlSi10Mg复合材料组织与性能的影响

采用激光选区熔化(SLM)成形技术分别制备了SiC颗粒含量15wt％、30wt％的SiCp/AlSi10Mg复合材料.研究了SLM工艺参数扫描速度对不同SiC颗粒含量的复合材料致密度、显微组织、显微硬度的影响规律.结果 表明,随着激光扫描速度的升高,两种复合材料的致密度、显微硬度均降低.同一工艺参数下,随SiC颗粒含量...     

30W晶体管超声电源

本文叙述了30w“超声烙铁”用的晶体管超声电源的一个实用电路。