LaFeO3栅膜FET气体传感器的研究

本文采用溶胶－凝胶技术制备ＬａＦｅＯ３纳米晶薄膜，并摸索出该薄膜的光刻方法，将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结构，首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器，它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性。     

粉末布法制备SiC/Ti基复合材料

用粉末布法制备了低成本SiC/Ti基复合材料.结果表明,采用合适的轧制参数即可容易地获得厚度合适、均匀的粉末布;热失重分析和热解残余物分析指出用来制备粉末布的有机粘结剂的去除过程分成两个阶段,合理除气后,基本没有残余物.使用真空热压工艺制备的SiC/Ti基复合材料,纤维分布基本均匀,纤维与基体的界面结合良好.     

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.     

微波、毫米波单片集成电路（MIMIC）技术

本文主要叙述微波、毫米波单片集成电路的性能及其应用。     

LDMOS射频晶体管满足2.5G和3G蜂窝基站的新挑战

运行在869MHz-2.17GHz频段内的蜂窝无线基站是射频功率晶体替如今最大的市场。其中，基中硅的LDMOS器件被广泛使用于500MHz=2.5GHz之间的射频功率放大器应用当中。作为增强模式的N沟道MOSFET，LDMOS器件(LD代表侧面扩散，描述了器件的沟道结构)专门被设计成为具有高的工作电压(长沟道）和低寄生电容，从而能在高频下工作。在早     

塑料电子学

在信息技术中 ,用成本低廉且柔软的塑料取代硅材料将是一个重要的发展趋势。其主要开发方向包括与墙面大小相同的电视显示器和超薄晶体管。与目前的手提电话和便携式电脑所采用的液晶显示器不同 ,用聚合物制成的有机发光二极管 ( OLED)即使落到地上也不会破碎 ,而且能自体发光 ,具有节能和产生彩色光的优点。　　据报道 ,美国陶氏 ( Dow)化学公司、摩托罗拉公司和施乐公司正联合开发聚合物墨水和印刷工艺方法 ,以便能像印刷报纸一样 ,喷印出塑料电路板。这项联合开发工作的目标 ,是要研制出分布有几百万个塑料发光点的电视墙纸 ,使墙纸成…     

高k栅极电介质材料与Si纳米晶体管(续)

从上述讨论可以看出，世界上许多的研究组直到眼下都在系统地研究高k的电荷捕获和由捕获所产生的特性，特别是在高电应力和高温条件下的测定，并且利用这些捕获的空间和能级分布来进行解释。这大大地加深了对于高k介电体电荷捕获问题的理解，但显然问题并没有完全解决，仍然需要继续工作。     

超高频低噪声晶体管失效分析

本文通过对超高频低噪声晶体三极管DG504的失效分析，明确了该器件的失效模式和失效机理，并提出了相应的改进措施，取得了良好的效果。