新品快报

ADI公司推出连续时间∑-△模数转换器系列产品ADI公司新推出低噪声的宽带宽连续时间∑-△(CTSD)模数转换器(ADC)系列产品--AD926x。16 bit AD9261与AD9262 CTSD转换器及AD9267 CTSD调制器可提供低噪声、高动态范围,以及高达10 MHz的带宽。     

基于铌酸锂薄膜的Y波导集成调制器设计

近年来,基于薄膜铌酸锂（TFLN）平台的高性能电光调制器以其小体积、低能量损耗等特点受到广泛关注。本文提出了一种新的具有垂直电极结构的Y波导铌酸锂薄膜电光调制器。研究了调制器的半波电压与缓冲层厚度之间的关系,优化了Y波导的设计参数,最后设计得到插入损耗<5 dB, 半波电压<1.5 V的高性能调制器。本文不仅为基于TFLN平台的小型化波导的设计和实现提供了思路,而且为制造高性能和多功能的电光调制器提供了实验依据。     

高精度离散型Sigma delta调制器设计

阐述一种采用SAR ADC作为多位量化器的三阶离散时间（DT）Sigma delta ADC调制器,在该调制器中,量化器由4位SAR ADC构成,相比于传统Flash ADC类型的量化器,减少了比较器的个数的同时,降低了调制器整体功耗。调制器结构选择单环CIFF结构兼顾了电路的精度和稳定性,电路总体采用分级结构实现,在第一级积分器中加入斩波稳定技术,消除低频噪声的干扰。提出的离散型Sigma delta ADC调制器采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计,在20kHz带宽实现了104.9dB的峰值信噪谐波失真比（SNDR）,功耗为5.98mW,有效位数(ENOB)为17.13位。     

基于紫外光刻的双轴张应变Ge/SiGe多量子阱电吸收调制器北大核心CSCD

采用紫外光刻工艺(ultraviolet lithography technique,UVL),在互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)兼容的硅基平台上制作了基于悬空微桥结构在Ge/SiGe多量子阱材料中引入双轴张应变的低偏振相关电吸收调制器。利用拉曼光谱测试了器件引入双轴张应变的大小,并对器件在横电(transverse electric,TE)偏振和横磁(transverse magnetic,TM)偏振下的光电流响应、调制消光比和高频响应等性能进行了测试。器件的低偏振相关消光比在0 V/4 V工作电压下可达5.8 dB,3 dB调制带宽在4 V反向偏置电压时为8.3 GHz。与电子束光刻工艺(electron beam lithography technique,EBL)相比,采用UVL制作的器件在调制消光比、高频响应带宽等性能上略差一点,但具有曝光时间短、成本低和可大批量生产等优势,应用前景广阔。     

中红外硅基调制器研究进展（特邀）

硅材料在1.1~8.5 μm有非常低的吸收损耗,因此硅基光电子学有望扩展到中红外波段。并且随着通信窗口扩展、气体分子检测、红外成像等应用需求的出现,硅基中红外波段器件研发工作的开展势在必行。在中红外波段硅基光电子器件中,硅基调制器有着举足轻重的地位:它是长波光通信链路中不可或缺的一环,还可以应用在片上传感系统中提高信噪比、实现光开关等功能。研究发现,相比于近红外波段,硅和锗材料在中红外波段有更强的自由载流子效应和热光效应,因此,基于硅基材料的中红外调制器具有独天得厚的优势。系统总结了中红外硅基调制器的发展趋势和研究现状,介绍了基于硅和锗材料的电光调制器以及热光调制器的工作原理和最新研究进展,最后对中红外硅基调制器进行了总结与展望。     

线性Delta调制器的性能研究

提出了一种线性Ｄｅｌｔａ调制电路,通过波形分析与理论推导,对Ｄｅｌｔａ调制器进行了性能研究。结果表明、线性Ｄｅｌａ调制方法与最佳取样原则相符合。     

DCP调制器的设计实现

数据采集平台（DCP）调制器是利用卫星资源进行数据采集的关键设备。介绍了DCP调制器主要功能及基本组成,详细介绍了接口单元、调制单元的实现方案及关键技术要求。针对复杂的环境使用条件,提出了针对性的电源解决方案。通过设计样机的联试,验证了该设计方案的可行性。DCP调制器将实时采集的数据定时通过卫星转发传榆到地面控制中心,广泛服务于气象、水文、水利、海洋、航运、远洋捕捞、环境监测、地震检测等领域。     

智能温度传感芯片中Δ-Σ调制器的设计

从模数转换的基本理论出发,在对一阶Δ-Σ调制器原理深入解析的基础上,得到Δ-ΣADC动态输入范围的计算方法。利用Matlab simulink建立了二阶Δ-Σ调制器系统模型,对调制器电路进行仿真和参数优化,对其性能进行了有效评估。使用轨对轨折叠式共源共栅运算放大器作为调制器的积分器,增大了调制器的动态输入范围;设计的高速比较器将NMOS负载管交叉耦合从放大器输出端引入正反馈,提高了转换速度。设计实现了一款适用于14 bit温度转换芯片的二阶△-∑调制器,信噪比SNR可达87 dB。