掺杂的MgB2超导体中Fe和Co的局域环境

由于MgB2具有39K的超导转变温度，因此使它成为另一类别的高温超导体的新成员，它可以用做穆斯堡尔谱仪这种化学探测技术的激发靶。穆斯堡尔谱仪可以用来探测固体的电子特性，震动特性和磁特性。如果所研究的材料中不含穆斯堡尔激发元素，那末就需要掺杂，最常用的是Fe。用穆斯堡尔谱仪对高Tc铜氧化物超导体虽已进行过广泛的研究，但是由于这种铜氧化物超导体结构的复杂性，使穆斯堡尔谱的解释变得非常困难。而MgB2仅含有两种元素，因此仅有两个可能的代位位置。匈牙利科学院结构化学核技术研究所最近用掺杂Fe和Co的MgB2超导体研究了掺…     

单台固定的激光晶体发射出红、绿、蓝色光

含有单个活性增益材料的固体激光器同步产生了红、绿、蓝色光，这种器件对于全彩色成像系统是非常有价值的．具有特色的是，该RGB激光是由激光棒和非线性晶体的复杂组合而实现的．单晶RGB激光器的一个样机已由法国Claude Bernard-Lyon大学和中国科学院开发出来，它是由基于钕掺杂的四硼酸钆铝晶体(NGAB)制作的．     

有机掺杂体系中的Foerster能量传递及其在电致发光中的应用

给体的光致发光量子效率、受体的消光系数及给体的发射谱与受体的吸收光谱的重叠程度，这3个因素对给体与受体间的能量传递效率有重要影响，这对于扩大材料的选择范围，实现有机电致发光的全色显示有重要启示。研究发现在Alq3中掺杂DCM制得的器件很好地满足了这3个条件。本文从Foerster能量传递的3个影响因素出发，对Alq3／DCM、TPD／Alq3等不同掺杂体系的光致发光、电致发光特性和能量传递效率等进行了讨论。     

发射极δ掺杂的InGaAs/InPDHBT的特性分析

设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和.     

质量、功能、性能，一个都不能少——旌宇钛龙Ti4600白金版测试

随着NV30(GeForceFX)逐渐浮出水面,显卡厂商们也逐渐开始把产品的重心转到曾经的显卡之王——GeForce4 Ti系列产品的身上。从性价比来看,当然是Ti4200比较划算。不过还是有些玩家更加注重产品的绝对性能,如果再考虑到显卡的兼容性问题,仍然是Ti4600最为合适。这次评测的旌宇钛龙Ti4600白金版就属于那种为追求性能和稳定性不惜工本的典型,硕大的蓝色散热片、双风扇、128MB显存、     

溶胶一凝胶法制备ZnO：Al导电薄膜的研究

采用溶胶-凝胶工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向的ZnO：Al透明导电薄膜。利用扫描电镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）等分析手段对薄膜进行了表征。通过标准四探针法及紫外分光光度计（UVS）透射光谱研究了ZnO：Al薄膜的电学与光学性能。实验发现：当Al^3＋离子掺杂浓度为2％（原子分数），前处理温度为220℃、退火温度为580℃时，薄膜具有较好的导电性，电阻率为1．76×10^-3Ω-cm，其在可见光的平均透射率在80％左右。     

A Newly Developed Non, Destructive Tritium Measurement Technique and Its Application to V-4Cr-4Ti Alloy

A non-destructive and in-situ technique for the measurement of tritium in materials, namely β-ray-induced X-ray spectrometry （BIXS）, has been developed recently. In the present study a V-4Cr-4Ti alloy was pre-heated at 1000℃ for 2 h to form a recrystallization structure before the tritium absorption experiments were conducted. Firstly the hydrogen isotope gas was charazterized by means of a quadrupole mass spectrometer （QMS） and a small-sized ionization chamber. Then hydrogen isotope absorption tests of V-4Cr-4Ti alloy were performed at 400 ℃ and the atomic concentration of hydrogen isotope in V-4Cr-4Ti alloy was estimated as 0.17% with a tritium content of approximately 2.5 ppm. Experimental results indicate that BIXS is a quite useful tool for quantitatively measuring the tritium content and tritium distribution in the surface layers of vanadium alloys and no strong trapping effects of tritium exist in the pre-heated V-4Cr-4Ti alloy.