尊贵钛金属外衣——佳能IXUS 900Ti

作为目前IXUS系列最顶级的产品，IXUS900 Ti在外观设计上延续了IXUS850 IS上所采用的曲线风格，并且对相机的局部进行调整，配合香槟金的外壳，整机散发出幽雅的气质。四个边角经过曲线处理之后，使得握机的手感有了大幅度的提升，特别贴合手掌。不得不说，钛金属外壳的质感比采用普通金属经过磨砂处理后要好很多，更在耐用程度、抗腐蚀、抗碰撞等方面具有得天独厚的优势。     

HCD离子镀(Ti,A1,V)N合金薄膜的实验研究

用空心阴极放电(HCD) 离子镀方法,以下TiA1V合金为蒸发源材料,生产出一种具有(Ti,A1,V) N的合金化薄膜.获得的膜是A1,V替代Ti原子的组态.A1,V的引入,组织没明显的变化.薄膜具有符合刀具膜层的较高硬度,可期望得到好的韧性和抗氧化性能.     

GPU替代CPU？——崛起中的GPGPU应用

自从GPU于2001年进入可编程时代以来．“能否把GPU丰富的资源应用到通用计算中去”一直是业界讨论的话题，毕竟通用计算设计的CPU实力有限．而在进行纯CPU操作的时候．有浮点专长的GPU在一边睡大觉着实是种浪费。早在DX8时代．就有研究机构尝试用Ti4200显卡进行数据库操作．进入DX9时代以后，此类研究就更多了．不过所有的尝试，都不像一个月前斯坦福大学的Folding@HOME那样贴近广大用户．可以亳不夸张的说，在X1000显卡上实现Folding@home是GPGPU走向大众应用的一个里程碑。[编者按]     

光致发光测定6H—SiC中的氮掺杂浓度

杂质和本征发光强度可反映出掺杂浓度。本文介绍了一种测量６Ｈ－ＳｉＣ中氮杂质的校准方法，该方法对于１０＾１４～１０＾１６ｃｍ＾－３浓度范围内的ｎ型掺杂都是有效的。并对光致发光实验过程中的激励强度，温度的影响以及与受主有关光谱的观测进行了研究。     

MOCVD法生长（Al,Ga）As碳掺杂机理研究

分析了 MOCVD 生长(Al,Ga)As 非有意和有意碳掺杂的气相和表面过程,认为表面和表面附近由于甲基化合物异相分解生成的 CH_3~-自由基是碳掺杂的主要物种,表面原子氢和含氢自由基AsH_m(m≤3)的浓度是影响 CH_3自由基进入晶格的主要因素。在碳掺杂理论模型的基础上讨论了温度、压力、Ⅴ/Ⅲ比、有机源种类对碳掺杂的影响。指出了在引入和不引入掺杂源的情况下,控制碳掺杂的途径。     

微量Si在W—7Ni—3Fe重合金中的行为

研究了掺到原料Ｗ粉中微量Ｓｉ（４００ｐｐｍ）在Ｗ－７Ｎｉ－３Ｆｅ重合金中的分布及在液相烧结过程中的行为。结果表明，Ｓｉ主要以固溶形式分布在Ｗ晶粒中。Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析发现，在掺杂Ｓｉ的Ｗ－Ｗ及Ｗ－基体相界面富集ＳｉＯ２和Ｎａ２ＳｉＯ３在未掺杂试样的断口表面发现了较弱的ＷＯ２的ＸＰＳ谱，而在掺杂合金中未发现ＷＯ２。     

离子注入硅的线源非相干光瞬时退火温度计算

本文利用高温模型,计算了在我们的实验条件下对离子注入硅进行线源非相干光瞬时退火的退火温度,并与实验结果比较,两者符合得较好。     

超重力对燃烧合成Ti（C，N）-TiB2复合粉体的影响

以Ti和B4C为起始反应物，分别在常规和超重力条件下通过燃烧合成技术制备出Ti（C,N）-TiB2复合粉体，利用XRD和SEM对燃烧产物进行了表征，研究了起始组成和超重力条件对燃烧产物相组成和微观形貌的影响。结果表明，燃烧产物主要由Ti（C，N）和TiB2组成，通过改变起始配方中Ti／B4C的摩尔比，可以调节产物中Ti（C，N）和TiB2的相对含量。超重力条件下，反应物颗粒接触更加充分，碰撞更加频繁，因而晶粒形态发育更加完整，生成规则的多面体。