首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   101245篇
  免费   7457篇
  国内免费   6228篇
电工技术   8079篇
技术理论   2篇
综合类   6938篇
化学工业   20794篇
金属工艺   6475篇
机械仪表   8155篇
建筑科学   3749篇
矿业工程   1459篇
能源动力   3698篇
轻工业   6461篇
水利工程   650篇
石油天然气   4488篇
武器工业   911篇
无线电   12190篇
一般工业技术   10962篇
冶金工业   2303篇
原子能技术   1165篇
自动化技术   16451篇
  2024年   242篇
  2023年   1243篇
  2022年   2071篇
  2021年   2708篇
  2020年   2351篇
  2019年   2393篇
  2018年   2245篇
  2017年   2902篇
  2016年   3167篇
  2015年   3299篇
  2014年   4713篇
  2013年   5511篇
  2012年   5878篇
  2011年   7097篇
  2010年   5851篇
  2009年   6709篇
  2008年   6436篇
  2007年   7028篇
  2006年   6763篇
  2005年   5612篇
  2004年   4893篇
  2003年   4706篇
  2002年   3894篇
  2001年   3113篇
  2000年   2724篇
  1999年   2155篇
  1998年   1560篇
  1997年   1237篇
  1996年   1132篇
  1995年   1100篇
  1994年   947篇
  1993年   812篇
  1992年   641篇
  1991年   388篇
  1990年   248篇
  1989年   251篇
  1988年   170篇
  1987年   113篇
  1986年   114篇
  1985年   86篇
  1984年   74篇
  1983年   47篇
  1982年   50篇
  1981年   56篇
  1980年   28篇
  1979年   23篇
  1978年   23篇
  1977年   20篇
  1976年   26篇
  1975年   18篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
91.
1-read/1-write (1R1W) register file (RF) is a popular memory configuration in modern feature rich SoCs requiring significant amount of embedded memory. A memory compiler is constructed using the 8T RF bitcell spanning a range of instances from 32 b to 72 Kb. An 8T low-leakage bitcell of 0.106 μm2 is used in a 14 nm FinFET technology with a 70 nm contacted gate pitch for high-density (HD) two-port (TP) RF memory compiler which achieves 5.66 Mb/mm2 array density for a 72 Kb array which is the highest reported density in 14 nm FinFET technology. The density improvement is achieved by using techniques such as leaf-cell optimization (eliminating transistors), better architectural planning, top level connectivity through leaf-cell abutment and minimizing the number of unique leaf-cells. These techniques are fully compatible with memory compiler usage over the required span. Leakage power is minimized by using power-switches without degrading the density mentioned above. Self-induced supply voltage collapse technique is applied for write and a four stack static keeper is used for read Vmin improvement. Fabricated test chips using 14 nm process have demonstrated 2.33 GHz performance at 1.1 V/25 °C operation. Overall Vmin of 550 mV is achieved with this design at 25 °C. The inbuilt power-switch improves leakage power by 12x in simulation. Approximately 8% die area of a leading 14 nm SoC in commercialization is occupied by these compiled RF instances.  相似文献   
92.
樊滨温  夏先林 《计算机应用》2006,26(Z2):310-311
介绍了免费的TCP/IP协议栈LWIP开发工具和环境,分析了如何实现LWIP的移植,并给出了一种嵌入式系统与网络互联的新思路。  相似文献   
93.
94.
ZnO基薄膜晶体管的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。  相似文献   
95.
We report a general template strategy for rational fabrication of a new class of nanostructured materials consisting of multicore shell particles. Our approach is demonstrated by encapsulating Au or Pt nanoparticles in silica shells. Other superstructures of these hollow shells, like dimers, trimers, and tetramers can also be formed by nanoparticle‐mediated self‐assembly. We have also used the as‐prepared multicore Au–silica hollow particles to perform the first studies of Ostwald ripening in confined microspace, in which chloride was found to be an efficient mediating ligand. After treatment with aqua regia, Au–Cl complex is formed inside the shell, and is found to be very active under in situ transmission electron microscopy observations while confined in a microcell. This aspect of the work is expected to motivate further in situ studies of confined crystal growth.  相似文献   
96.
高分散度Pt/C电催化剂的制备   总被引:3,自引:1,他引:2  
Cabot公司Vulcan XC-72型炭黑,经过H2O2氧化处理后作为Pt的载体,H2PtCl6作为金属前驱体制备了高度分散的Pt/C催化剂。讨论了不同条件下H2PtCl6在炭黑上的吸附性能。载体经过H2O2氧化处理24h,H2PtCl6在pH=9下吸收48h,H2 350℃还原2h,可以制备出铂晶粒平均大小为1.8nm的Pt/C电催化剂。  相似文献   
97.
Niobium- or vanadium-doped anatase sols were prepared by hydrothermal treatment of 0.1 mol/dm3 peroxotitanium complex aqueous solutions dissolving 0–10 mol% niobium or vanadium at 100°C for 8 h. Niobium-doping caused the increase of lattice constants of anatase and the shape change of anatase crystal from spindle-like to cubic-like structure, but no change of the optical absorbance. Vanadium-doping caused the decrease of lattice constant of c -axis, the miniaturization of anatase crystal and the increase of optical absorbance at the wavelength from 350–700 nm.  相似文献   
98.
通过在FPD铁路上使用LVDS技术可使具有数字RGB接口的液晶显示屏的工作距离大大增加。文章通过一个具体应用环境介绍了21位LVDS发送器/接收器DS90C363/DS90CF364传输套片的主要特性、引脚功能、工作原理,同时指出了在具体设计使用时的注意事项。  相似文献   
99.
实时操作系统DSP/BIOS在DSP开发中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
李进 《微电子技术》2003,31(4):49-51,54
本文介绍了RTOS(实时操作系统)DSP/BIOS在DSP的开发设计中的应用。在简述了DSP的一般模型后,论述了RTOS在DSP/BIOS外设管理,实时性能分析以及程序流程控制中的应用。  相似文献   
100.
肖前香  金小艳 《通信技术》2003,(12):117-119
概述了Windows2000即插即用系统组成及其实现过程,结合实例介绍了Windows2000设备驱动程序如何支持用户即插即用的功能。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号