MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.     

激光冲击强化区的残余应力测试分析

用高重复率钕玻璃激光器,对QT700-2进行了激光冲击强化处理,利用X-350A残余应力测试仪对QT700-2激光冲击强化区残余应力进行了测试,结果显示经激光冲击处理后试件表面具有较高的残余压应力,可达-200Mpa以上;分析了表面残余应力及沿层深方向残余应力的分布情况。对激光冲击强化处理技术的实际工程应用具有指导性意义。     

一种基于深度学习的高轨卫星CEI信号频率估计算法

针对高轨卫星连线干涉测量(Connected Element Interferometry,CEI)信号的高精度频率估计这一难题,建立了CEI中的正弦信号频率估计模型。设计了基于深度学习框架的CEI信号频率估计算法,将算法划分为基于前馈深度神经网络的频率表征模块和基于卷积神经网络的频率计算及估计模块,在此基础上设计了各模块的具体结构和学习训练流程。对于算法的核心模块进行了仿真实验验证,并将所提算法与前人的相关算法进行了比较与分析,证明了该算法的有效性、稳定性和优越性。     

实时全息干涉计量中时间序列条纹位相的测量方法

针对实时全息干涉计量的特点 ,结合相移位相测量技术 ,提出一种利用物体本身变化产生的位相变化来实现实时全息干涉计量中时间序列条纹位相的测量方法 ,通过分析得到不同时刻位相变化及整个变化过程中位相累计变化的计算公式     

PECVD沉积SiOP电介质膜及其XPS研究

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术沉积含P电介质薄膜,用于无杂质空穴扩散(IFVD)技术中InGaAsP-InP MQW结构中新的包封层,替代传统的SiO2层。经X射线光电子谱(XPS)研究证明,该膜就是SiOP结构。快速退火(RTA)研究表明,该膜结构基本稳定,但膜中P原子存在明显扩散,它增强了InPMQW结构中In原子的外扩,却抑制了Ga原子的外扩。这些都明显区别于常规SiO2膜的性质。     

虚源成像观测系统设计方法

虚源成像法可以避开地形起伏和复杂上覆地层对深部地质目标体的影响,提高地震勘探的分辨率和保真度。为了提高虚源成像的质量,在射线分析的基础上,给出了单层水平介质条件下虚源成像观测系统设计的定量表达式,从运动学的角度解释了固定相位点的物理意义,即满足反射波入射角等于直达波入射角的炮检点空间分布。同时,提出了调谐采样间隔的概念,为反射波信息准确重构的定量评价提供了一种有效方法。在此基础上,研究了不同参数对虚源成像质量的影响,其中介质速度和检波点的埋藏深度对成像质量有较大影响,而地质目标体的埋藏深度以及检波点间距对成像质量影响较小。数值试验的结果表明,随着介质速度和检波点埋藏深度的不断增大,调谐采样间隔不断增大,炮间距的选择范围也随之不断增大,进而为虚源成像地震数据采集提供更加高效保真的设计方案。     

X射线能谱分析中对铁的百分含量修正的理论推导和实验测定

在KYKY-1000B扫描电镜上进行X射线能谱分析时,常出现附加的铁峰。本文从理论上对产生附加铁峰的原因作出了解释,并推导出附加铁峰强度和样品原子序数的函数关系的解析表达式,同时对附加的铁的百分含量进行了实验测量。由实验数据拟合得出的实验曲线和理论分析得出的表达很好地符合。     

分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究

报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。     

LIGA技术的掩模制造

ＬＩＧＡ技术是近几年才发展起来的一门新的技术，包括光刻、电铸和塑铸。由于要进行深度Ｘ光曝光，所用的同步辐射Ｘ光较硬，这一曝光条件相应就需要Ｘ光掩模吸收全有较大厚度和较高的加工精度，这样才能够阻档住Ｘ光，同时保证较高的光刻精度。     

New cubane MOCVD precursors for gallium sulphide and gallium selenide: Synthesis of [(Et2MeC)GaS]4 and [(Me2EtC)GaS]4: Structural determinations of [(Et2MeC)GaS]4 by X-ray diffraction and [(tBu)GaSe]4 by electron diffraction

The gallium sulphide cubane compounds [(Me₂EtC)GaS]₄ and [(Et₂MeC)GaS]₄, have been synthesised, and their potential as MOCVD precursors for GaS is discussed. The molecular structure of [(Et₂MeC)GaS]₄ has been determined by X-ray diffraction. In addition, the vapour phase structure of the GaSe precursor, [(^tBu)GaSe]₄ has been determined by gas phase electron diffraction and is compared with that previously determined in the solid state by X-ray diffraction.