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41.
说明了计算机2000年问题的基本概念以及其对社会和经济的可能产生各种影响,论述了解决计算机2000年问题的关键问题和一般步骤,最后介绍了华东电力系统为解决该问题已进行的一些工作和下一步工作计划。 相似文献
42.
在超精密控制中,一般采用双频激光多卜勒测量系统作为位置测量元件.因存在机架、材料膨胀及材料、激光死区和环境空气变化,控制软件必须对此进行补偿校正.文中分析并推导出了有关的X-Y工作台位置补偿校正公式,并给出了进行实际应用的例子. 相似文献
43.
44.
45.
介绍了一种新型半导体效应参数测量装置,以^90Sr-^90Y为模型源辐射装置与半导体参数测量仪共同组成半导体器件辐射效应测量系统,可进行各类器件和电路总剂量辐照效应测量与分析,系统实现了在线测量和辐射剂量率的连续调节,特别适宜对于卫星空间辐射环境的模拟。 相似文献
46.
微乳液的稳定性及其在制备超细Y2O3中的应用 总被引:4,自引:1,他引:4
探讨了CTAB/n—C4H90H/c-C6H12/H2O体系微乳液的稳定性,绘制了该体系的三元和拟三元相图,当CTAB与n—C4H9OH质量比为2:3时有较宽的稳定的W/O微乳液相区,是制备超细Y2O3的理想体系。在该体系稳定区内,通过调整ω,可改变微乳水核半径。Y(NO3)3溶液和草酸溶液在微乳液水核(微反应器)中进行沉淀反应,制备出不同粒径、形貌的超细氧化钇。样品经X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)表征,结果表明,ω增大,水核半径增大,超细Y2O3的粒径变小,形貌也发生变化。当ω=17时,可制备出粒径为30nm的晶型完好的Y2O3立方晶粒。 相似文献
47.
48.
A series of pure and Y3+-doped TiO2 nanoparticles with high photocatalytic activities were prepared by a sol-gel method using tetra-n-butyl titanate as precursor.The as-prepared catalysts were characterized by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM) and diffuse reflectance spectroscopy(DRS).The results indicated that yttrium doping could effectively reduce the crystalline size,inhibit the anatase-to-rutile phase transformation and surppress the recombination of the photogenerated electron-h... 相似文献
49.
用无机盐料浆法在镍基高温合金K4104表面制备了渗Al-Si涂层并在制备过程中添加了Y2O3。采用静态氧化增重的试验方法对涂层进行了1000℃×200h抗氧化性试验,用带能谱分析的扫描电镜观察涂层氧化不同时间后的表面形貌和截面形貌及分析涂层的氧化膜和截面成分。用origin软件绘制氧化动力学曲线并拟合出氧化动力学方程。研究结果表明,渗Al-Si具有较好的抗高温氧化性能。Y2O3的添加提高了渗Al-Si涂层的抗氧化性能,提高了渗Al-Si涂层的塑性,改善了氧化膜与涂层间的粘附性。 相似文献
50.
杂质离子对Y2O3:Eu3+发光性能的影响 总被引:8,自引:1,他引:8
研究了碱金属及碱土金属离子掺杂的荧光体Y2O3:Eu^3 0.05,A^ 0.02(A=Li,Na,K)和Y2O3:Eu^3 0.05,B^2 0.02(B=Mg,Ca,Sr,Ba)的荧光,余辉发光及热释光特性,余辉光谱数据表明:杂质离子掺杂的荧光体Y2O3:Eu^3 的余辉发射主峰与未掺杂荧光体Y23:Eu^3 的荧光发射主峰(611nm)一致,为经典Eu^3 的^5D0-^7F2电偶极跃迁,杂质离子的引入明显地延缓了Y2O3:Eu^3 的余辉衰减,其中Y2O3:Eu^3 ,A^ (A=Li,Na,K)的余辉衰减趋势几乎完全一致,而Y2O3:Eu^3 ,B^2 ,B2^ (B Mg,Ca,Sr,Ba)的余辉衰减趋势由慢到快依次为Ca,Sr,Ba,Mg。热释光谱数据显示,杂质离子的掺杂导致基质中电子陷阱能级的生成,这是导致余辉衰减减慢的直接原因。Y2O3:Eu^3 ,A^ 的热释峰都位于175℃左右,相应电子陷阱能级深度为0.966eV左右,而Y2O3:Eu^3 的热释峰由高到低分别位于192℃(Ca),164℃(Sr),135℃(Ba),118℃(Mg),电子陷阱能级深度分别为1.003eV(Ca),0.942eV(Sr),0.880eV(Ba),0.843eV(Mg)。结合余辉衰减数据,可以看到,Y2O3:Eu^3 ,A^ 和Y2O3:Eu^3 ,B^2 的热释光谱与相应荧光体的余辉衰减趋势吻合得十分好,由此可以得出,一定相同的条件下,热释峰值温度越高,杂质陷阱能级越深,相应荧光体的余辉衰减越慢。 相似文献