全文获取类型
收费全文 | 89841篇 |
免费 | 6591篇 |
国内免费 | 5261篇 |
专业分类
电工技术 | 11964篇 |
综合类 | 8569篇 |
化学工业 | 9414篇 |
金属工艺 | 2691篇 |
机械仪表 | 4369篇 |
建筑科学 | 9807篇 |
矿业工程 | 5476篇 |
能源动力 | 2404篇 |
轻工业 | 4810篇 |
水利工程 | 7740篇 |
石油天然气 | 7236篇 |
武器工业 | 976篇 |
无线电 | 8536篇 |
一般工业技术 | 5228篇 |
冶金工业 | 3064篇 |
原子能技术 | 1299篇 |
自动化技术 | 8110篇 |
出版年
2024年 | 784篇 |
2023年 | 2480篇 |
2022年 | 2993篇 |
2021年 | 3391篇 |
2020年 | 2736篇 |
2019年 | 2641篇 |
2018年 | 1507篇 |
2017年 | 2169篇 |
2016年 | 2502篇 |
2015年 | 3039篇 |
2014年 | 5484篇 |
2013年 | 4557篇 |
2012年 | 5380篇 |
2011年 | 5413篇 |
2010年 | 5146篇 |
2009年 | 5459篇 |
2008年 | 7155篇 |
2007年 | 5380篇 |
2006年 | 4530篇 |
2005年 | 4467篇 |
2004年 | 3434篇 |
2003年 | 2851篇 |
2002年 | 2402篇 |
2001年 | 2170篇 |
2000年 | 1832篇 |
1999年 | 1776篇 |
1998年 | 1565篇 |
1997年 | 1301篇 |
1996年 | 1224篇 |
1995年 | 1107篇 |
1994年 | 1040篇 |
1993年 | 754篇 |
1992年 | 702篇 |
1991年 | 603篇 |
1990年 | 580篇 |
1989年 | 622篇 |
1988年 | 140篇 |
1987年 | 93篇 |
1986年 | 74篇 |
1985年 | 60篇 |
1984年 | 45篇 |
1983年 | 28篇 |
1982年 | 24篇 |
1981年 | 27篇 |
1980年 | 12篇 |
1979年 | 2篇 |
1960年 | 1篇 |
1959年 | 3篇 |
1957年 | 1篇 |
1951年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
门式脚手架在已建高层建筑外装修中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍门式脚手架在已建高层建筑外排栅中的整体搭设和应用实例。 相似文献
52.
张力 《新疆石油学院学报》2002,14(3):78-79,61
本文介绍了WE-B型液压万能试验机压杆稳定实验装置的设计,并通过试验数据的分析,证实了该实验装置的可行性及正确性。 相似文献
53.
通过测定三年来织布机工作时布面和经纱表面等处的照度分布,并根据三年中织布机的下机次布数,探讨了照度分布对织机挡车工操作技能的影响。 相似文献
54.
55.
如果通过第一次分粒过程不能获得所希望的粒度分布,则重复分散过程和分粒过程,直到获得所希望的粒度分布为止。在大多数情况下,如果未通过300nm目径筛网的微粒比例不大于30%,则不必再进行分粒处理。因而,由于有不大于30%的颜料微粒未通过300nm目径的筛网,分散体中所含的颜料具有不大于250nm(以不大于200nm为宜)的中间粒度。 相似文献
56.
本文介绍了JT-60U托卡马克在建立具有高聚变性能的稳态、完全非感应电流驱动等离子体的物理和技术基础的方面最新成就、最新的结果着重于:(1)高性能反向磁剪切放电「在IP=2.8MA,Pabs=17MW时,理想的等效QDT为1.05,约束增强因子(H因子)为3.23,规范化β值为1.88」,首次观察到电子和离子的热输运势垒;(2)世界上首次注入基于负离子的中性氘束来研究电流驱动、加热和高能粒子行为( 相似文献
57.
58.
59.
针对本钢薄板坯连铸及高强钢轧机生产线密闭循环软化水冷却系统,在实际工作中生产线漏水严重时,补水系统补水泵同时转2台(设计1台),系统仍然不能很快补满水,造成事故水塔送水,直接威胁安全生产。同时补水泵运行期间偏离设计工况,电动机过载出现跳闸现象,对设备损伤较大。因此,对补水系统进行改造,以达到生产稳定运行。 相似文献
60.
本文介绍一种确定SOI/MOS结构中沿硅薄膜厚度多子漂移分布和杂质分布的简单方法(其掺杂剖面是随机不均匀的)。这种方法基于使用一种耗尽型晶体管与栅控二极管的组合结构。作者列举在激光区熔再结晶多晶硅制的SOI结构和SOS结构上以相同工艺制作器件的对比研究结果。由这些结果可见,在包含有晶粒间界和子晶粒间界的SOI薄膜中,沿膜厚的载流子迁移率是恒定的,而且远远超过SOS膜中的迁移率。 相似文献