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101.
《Information Systems Management》2007,24(2):113-120
Four scenarios for the IS organization of 2020 are described, based on differing assumptions about two drivers: the advances in the reliability of international telecommunications and the value placed on computerization in businesses and society. 相似文献
102.
通过分析甲壳素纤维各项性能,将其引入山羊绒产品中,对双层织物的设计进行探讨,并经过纺纱和织物试制,提出了设计与生产中应注意的问题,开发出了具有永久抗菌性的表层为羊绒、里层为甲壳素与改性羊毛混纺的系列产品. 相似文献
103.
T. Kawakami Y. Koide N. Teraguchi Y. Tomomura A. Suzuki Masanori Murakami 《Journal of Electronic Materials》1998,27(8):929-935
In order to prepare low resistance ohmic contacts to p-ZnSn by the “deposition and annealing (DA)” technique which has been
extensively used for GaAs and Si-based devices, formation of a heavily doped layer by the p-ZnSe/metal reaction is required.
For p-ZnSe/Ni contacts, Ni and Se reacted preferentially at the ZnSe/Ni interface upon annealing at temperatures higher than
250°C. However, capacitance-voltage measurements showed that the net acceptor concentration (NA-ND) close to the p-ZnSe/Ni interface was reduced upon the Ni/ZnSe reaction, resulting in high contact resistance. For p-ZnSe/Au
contacts, neither Au/ZnSe reaction nor reduction of the acceptor concentration were observed after annealing at temperatures
lower than 300°C. This indicates that although the metal/p-ZnSe reaction is mandatory to prepare a heavily doped layer, the
reaction induced an increase in the compensation donors in the p-ZnSe substrate. In order to increase the acceptor concentration
in the vicinity of the p-ZnSe/metal interface through diffusion from the contact materials, Li or O which was reported to
play the role of an acceptor in ZnSe was deposited with a contact metal and annealed at elevated temperatures. Ni or Ag was
selected as the contact metal, because these metals were expected to enhance Li or O doping by reacting with ZnSe. However,
the current density-voltage characteristics of the Li(N)/Ni and Ag(O) contacts exhibited rectifying behavior, and the contact
resistances increased with increasing annealing temperature. The present results indicated that, even though the acceptor
concentration in the p-ZnSe substrate increased by diffusion of the dopants from the contact elements, an increment of the
compensation donors was larger than that of the acceptors. The present experiments indicated that preparation of low resistance
ohmic contacts by forming a heavily doped intermediate layer between p-ZnSe and metal is extremely difficult by the DA technique. 相似文献
104.
105.
106.
一种基于时间分层决策矩阵的综合评价算法 总被引:1,自引:0,他引:1
综合评价系统用四元总体(A,Z,X^(k),D)表示,其中决策矩阵X^(k)是具有对象维i,指标维j,时间维k的三维矩阵,将三维矩阵X(k)按时间划分形成m个二维矩阵,每个二维矩阵分别代表每个年度n个评价对象对应于p个指标的属性集,讨论了按时间分层决策矩阵的多指标综合评价问题,描述了按时间分层的决策矩阵的求解算法,并采用Visual Foxpro数据库语言编程实现。 相似文献
107.
真空阴极弧离子镀类金刚石碳(DLC)膜的碳弧稳定性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
选用氩气、氩气加氢气、氩气加乙炔等气体作为介质,石墨作为靶材进行真空阴极弧离子镀来制备类金刚石碳膜。石墨电弧有其独特的电弧特性曲线,不同气体介质对碳弧特性的影响不同,磁场的大小对电弧的稳定性有很大作用,碳弧下基片偏流随电弧电压的增加而减小,试验得到表面光滑的类金刚石碳(DLC)膜,对膜的表面进行了SEM分析。 相似文献
108.
109.
介绍了几种结构合理的超导/半导兼容材料的制作技术及其测试结果,重点讨论了超导体(YBCO)与半导体(Si,CaAs)间缓冲层的选取,并对这几种复合材料的性能作了较详细的分析。 相似文献
110.
张存平 《电脑编程技巧与维护》2012,(20):14-15,28
针对三层架构的数据库应用系统,提出了一种非常便捷的,能大量减少编码工作量的实现方式。服务端由基于Strusts 2的Java完成,而客户端接口用C#和Delphi语言分别实现。 相似文献