基于Multisim8的压控振荡电路仿真分析

介绍了Multisim8的仿真功能的特点，并通过实例说明了用Multisim8进行仿真分析的具体方法，简单介绍了如何设置参数和进行仿真操作。     

西门子全集成自动化理念初探

系统阐述了全集成自动化理念的内涵，指出其特点在于统一的数据管理、统一的编程组态、统一的通讯以及无与伦比的开放性，其中采用WINCC与STEP7两个软件进行了说明，井提出全集成自动化应用将是今后自动化技术发展应用的方向。     

用Tow-Thomas电路设计含有限非零传输零点有源滤波器的方法

Tow-Thomas电路是一种实现全极点滤波器的典型电路。本文给出了用Tow-Thoms电路设计含有限非零传输零点有源滤波器的方法，从而使Tow-Thomas电路可用于单片集成滤波器电路。而文中给出的公式可用于计算外接元件。设计实例表明了文中给出的计算公式的正确性。     

一种动态开关电容运算放大器共模负反馈电路

本文主要介绍了一种应用于Cascode结构运放中的开关电容共模负反馈电路，它具有稳定性好、对运放频率特性影响小、不消耗额外功率等优点。对电路运用Hspice进行了模拟，并给出了模拟结果。     

就地补偿在动力厂水泵电机上的应用实例

就我公司动力厂给水车间155kW水泵电机无功就地补偿的可行性及经济效益进行了分析和研究，对工厂用电如何节能降耗有一定的参考价值。     

美国钢铁企业的并购浪潮及特点分析

介绍了最近美国大型钢铁企业发生的主要并购活动。并对这些并购活动的特点进行了分析。     

高可靠镀Ni／Au工艺及其在微波PTFE电路上的应用

介绍了高可靠电镀Ｎｉ／Ａｕ工艺在ＰＴＦＥ微波印制电路上的应用，并分析了氨基磺酸盐镀软镍和亚硫酸盐镀软金工艺的影响因素及提高Ｎｉ／Ａｕ镀层之间附着力的措施。通过实验及应用证明了与直接镀金工艺相比，在软基材ＰＴＦＥ敷铜箔板上镀Ｎｉ／Ａｕ工艺能大大提高微波电路的可焊性，高温稳定性和长期可靠性，并且用其所制作的微波器件的高频性能也优于直接镀金工业。     

STI process steps for sub-quarter micron CMOS

This paper presents Shallow Trench Isolation (STI) process steps for sub-1/4 μ CMOS technologies. Dummy active areas, vertical trench sidewalls, excellent gap filling, counter mask etch step and CMP end point detection, have been used for a 0.18 μm CMOS technology. Electrical results obtained with a 5.5 nm gate oxide thickness show good isolation down to 0.3 μm spacing. Good transistor performances have been demonstrated.     

一种考虑不同期合闸的行波合闸保护新方法

当线路末端故障时，行波在线路末端的反射情况比较复杂，反向电流行波的极性有可能与正向电流行波的极性相反，而此时测距结果又与线路无故障时相同。因此，会造成行波测距式与行波极性比较式合闸保护的不正确动作。根据行波的折、反射理论，分析出当线路无故障时正向电流行波仅在线路末端发生反射，且电流行波的反射系数为-1，而当线路存在故障时，正向电流行波将在故障点发生反射，无论故障是否在线路末端，电流行波的反射系数都不会是-1。根据这一特征，提出了一种新的行波合闸保护方法。从原理上保证了在各种情况下保护都可以正确动作，大量的电磁暂态仿真结果也证明了这一点。     

CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究

闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。