就地补偿在动力厂水泵电机上的应用实例

就我公司动力厂给水车间155kW水泵电机无功就地补偿的可行性及经济效益进行了分析和研究，对工厂用电如何节能降耗有一定的参考价值。     

美国钢铁企业的并购浪潮及特点分析

介绍了最近美国大型钢铁企业发生的主要并购活动。并对这些并购活动的特点进行了分析。     

智能工程与控制技术：历史,发展与未来

本文综述了智能工程和控制技术的发展历程和基本问题。文中着重论述了人工智能在过程控制系统中的必要性及开发实时智能控制系统的步骤；对符号推理系统、耦合推理系统、人工神经网络和集成分布式智能系统的特点和局限进行了比较。最后讨论了计算机集成过程系统（ＣＩＰＳ）的基本问题、基础技术和发展前景。     

基于CF的全集成MOSFET—C六阶低通滤波器的仿真分析

本文提出了以电流跟随器ＣＦ为基本电路元件的全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ精确连续时间六阶低通滤波器电路，并应用ＰＳＰＩＣＥ－Ⅱ通用模拟电路程序，对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析，得出了实用的结论。     

企业信息化建设中的问题及对策

我国企业在信息化建设过程中取得了一些成果 ,也出现了不少问题 ,本文主要针对这种现状 ,指出了企业存在的一些问题 ,并就信息系统开发、维护和集成 ,提出了一些建议。     

高可靠镀Ni／Au工艺及其在微波PTFE电路上的应用

介绍了高可靠电镀Ｎｉ／Ａｕ工艺在ＰＴＦＥ微波印制电路上的应用，并分析了氨基磺酸盐镀软镍和亚硫酸盐镀软金工艺的影响因素及提高Ｎｉ／Ａｕ镀层之间附着力的措施。通过实验及应用证明了与直接镀金工艺相比，在软基材ＰＴＦＥ敷铜箔板上镀Ｎｉ／Ａｕ工艺能大大提高微波电路的可焊性，高温稳定性和长期可靠性，并且用其所制作的微波器件的高频性能也优于直接镀金工业。     

STI process steps for sub-quarter micron CMOS

This paper presents Shallow Trench Isolation (STI) process steps for sub-1/4 μ CMOS technologies. Dummy active areas, vertical trench sidewalls, excellent gap filling, counter mask etch step and CMP end point detection, have been used for a 0.18 μm CMOS technology. Electrical results obtained with a 5.5 nm gate oxide thickness show good isolation down to 0.3 μm spacing. Good transistor performances have been demonstrated.     

用高程与河道断面特性平均积分曲线图解河道水面线

从恒定、渐变流河段能量方程式中推导出以高程与河道断面特性平均积分曲线图解河道水面线的方法,并通过某河段水面线计算实例说明了此方法的计算图解步骤。对于同一河道,由于高程与河道断面特性平均积分曲线不变。故曲线可重复利用。因此,对进行多种设计标准的水面线计算可很方便地直接从曲线图上得出水面线结果。     

一种考虑不同期合闸的行波合闸保护新方法

当线路末端故障时，行波在线路末端的反射情况比较复杂，反向电流行波的极性有可能与正向电流行波的极性相反，而此时测距结果又与线路无故障时相同。因此，会造成行波测距式与行波极性比较式合闸保护的不正确动作。根据行波的折、反射理论，分析出当线路无故障时正向电流行波仅在线路末端发生反射，且电流行波的反射系数为-1，而当线路存在故障时，正向电流行波将在故障点发生反射，无论故障是否在线路末端，电流行波的反射系数都不会是-1。根据这一特征，提出了一种新的行波合闸保护方法。从原理上保证了在各种情况下保护都可以正确动作，大量的电磁暂态仿真结果也证明了这一点。     

CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究

闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。