高帧速摄像器

本文介绍了高帧速摄像器的设计、制造、工作和性能。该高帧速有３６０×３６０像素、摄像速度高达５×１０５帧／秒，该摄像器读出电路类似于帧转移ＣＣＤ，由四部分组成     

ZS1756振动筛动态分析

应用ＳＡＰ５Ｐ软件计算矿用振动筛前４０阶固有模态，从提高寿命观点看，第１阶，第３－４阶和第６阶模态应采取抑制措施；从队噪观点看，前６阶模态应给予注意。     

变温长波碲镉汞光电导现象研究

报道了ｎ型Ｈｇ０．８Ｃｌ０．２Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系，并讨论了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到一组光电导的实验优化数据，实测小芯片载流子浓度ｎ≈１．８×１０＾１５ｃｍ＾－３，这与高性能器件实测值的倒推数值一致，这被解释为长江红外高背景辐射的结果。     

内燃机电站噪声控制

针对150kVA内燃机电站的噪声特点 ,应用噪声控制原理 ,对其进行了控制 ,取得了较好的效果     

货运调车场减速顶噪声及治理的探讨

铁路货物运输枢纽的调车场中，驼峰调车是主要的调车手段，为提高生产效率和确保安全，沿驼峰下滑道布置的减速器（减速闸，减速顶）的噪声是调车场噪声的主要声源之一，本文通过对昆明东站铁路降噪工程的观测试验项目，探讨了减速顶噪声的特性及治理措施。     

强噪声背景下确定性谐波信号的模糊滤波

文章提出了一种在强背景噪声环境下对被淹没的谐波信号进行模糊滤波，从而恢复微弱目标信号的方法。在MATLAB环境下，先利用相干平均法，除去被测信号中的随机白噪声，对于有色噪声运用自适应神经模糊推理系统（ANFIS）的方法，对被测信号进行模糊滤波，在较低信噪比下，能较好的恢复出原始微弱信号。     

基于整体特征的快速英文字母识别方法

文章提出了一种基于整体特征的小写英文字母识别方法.首先根据字母图像的赋值背景提取其整体特征,然后构建7个模板进行模板匹配.该方法不需要对图像作复杂的细化处理、轮廓提取等,减少了可能带来的误识和拒识,也不需要现有神经网络方法的长期训练,因而简单快速.同时,不同字体的字母图像其整体特性基本相同,因此识别率较高.     

图像置乱效果评价算法综述

图像置乱技术通过对图像矩阵的重排操作,破坏图像矩阵的相关性,从而实现信息加密。图像置乱效果评价方法是对图像置乱程度的客观评价,目前涌现的图像置乱方法都从各个方面验证其自身的优越性,但仍没有一种通用的评判方法。该文根据最优置乱效果的定义,讨论了一些现有的图像置乱效果评判方法,在深入研究这些方法的原理后,对各置乱性能评判方法的客观性进行了深入分析和讨论。     

A low-noise fully-differential CMOS preamplifier for neural recording applications

A fully-differential bandpass CMOS preamplifier for extracellular neural recording is presented in this paper.The capacitive-coupled and capacitive-feedback topology is adopted.We describe the main noise sources of the proposed preamplifier and discuss the methods for achieving the lowest input-referred noise.The preamplifier has a midband gain of 43 dB and a DC gain of 0.The-3 dB upper cut-off frequency of the preamplifier is 6.8 kHz.The lower cut-off frequency can be adjusted for amplifying the field or action potentials located in different bands.It has an input-referred noise of 3.36 μVrms integrated from 1 Hz to 6.8 kHz for recording the local field potentials(LFPs)and the mixed neural spikes with a power dissipation of 24.75 μW from 3.3 V supply.When the passband is configured as 100 Hz-6.8 kHz for only recording spikes,the noise is measured to be 3.01 μVrms.The 0.115 mm2 prototype chip is designed and fabricated in 0.35-μm N-well CMOS(complementary metal oxide semiconductor)2P4M process.