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用新的电路形式提高HBT光调制器驱动电路的传输速率及性能 总被引:1,自引:1,他引:0
在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低了对所用器件的要求.文中分析了新的电路结构提高传输速率的原因并给出了模拟结果.同时新的电路结构也具有良好的热稳定性. 相似文献
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我国矿用牙轮钻头同世界先进水平相比有较大差距,大力开展矿用牙轮钻头CAD/CAM/CAE工作,促进学科交叉融合,是摆脱落后局面,参与全球性竞争的一项重要任务。 相似文献
66.
QP19-L型PDC钻头在TK320井的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
针对塔河地区的地层特点和PDC钻头的破岩机理,优选了适合于该地层钻进的QP19-L型PDC钻头,总结了PDC钻头的使用技术措施。在TK320井二开井段的应用表明,该钻头能明显提高机械钻速,缩短钻井周期,值得推广应用。 相似文献
67.
An investigation of crack closure and the propagation of semi-elliptical fatigue cracks in Q1N (HY80) pressure vessel steel 总被引:1,自引:0,他引:1
The results of an experimental investigation of the effect of crack closure on the propagation of semi-elliptical fatigue cracks are presented. Load-shedding fatigue threshold tests were carried out at stress ratios of 0.2, 0.35, 0.5 and 0.7. Crack closure was measured at the surface and depth positions using backface strain gauges, near-tip gauges, and a clip gauge. Differences between the surface and depth growth behaviour are explained by considerations of the effects of the transition from plane stress conditions at the surface to plane strain conditions at the depth. The effects of stress ratios are attributed largely to differences in the crack opening displacement, which result in asperities coming into contact to induce roughness-induced crack closure. 相似文献
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昆2井优快钻井及油气层保护技术 总被引:1,自引:0,他引:1
昆2井是一口位于柴北缘西段的昆特依凹陷潜伏Ⅰ号圈闭上的风险探井,设计井深为5950m。针对柴北缘深探井存在的主要技术难题,制定了昆2井的技术对策。通过对钻井设备的优选、井身结构的优化、钻头及钻具组合的优选、钻井参数及钻井液性能的优化、油气层保护技术的研究与应用,形成了一套适合于柴北缘的优快钻井技术,使昆2井的完钻井深达到5950m。与邻区的深探井平均水平相比,在井深增加888m、大尺寸井眼段更长的前提下,昆2井的钻井、完井周期分别缩短了98.75d、124.2d,钻机月速度增加了317m/台,平均机械钻速增加了0.82m/h。根据“理想充填新理论”,确定了保护油气层的最优复配暂堵方案,利用该方案所配制的钻井液其渗透率恢复值达到了87.5%以上,流变性能良好,滤失量低,对改善泥饼质量、增强井壁稳定性有明显的效果。 相似文献
69.
A theoretical evaluation of the potential application of a device with inclined plane for determining the dynamic coefficient
of friction is given. Structural changes in the device that make it possible to increase its precision are proposed. Computational
equations for estimating the resolution of the device are presented.
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Translated from Izmeritel’naya Tekhnika, No. 11, pp. 24–26, November, 2007. 相似文献
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