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121.
在战术通信系统中,一发多收的组播业务的应用越来越广泛。战术通信中的组播业务往往要求具备高适变性和高实时性,而民用网络中的IP组播、应用层组播均存在一定局限性,无法满足这些要求。针对这个问题,通过对现有IP组播和应用层组播技术特点和不足进行分析,提出了一种基于自定义协议和名址分离的战术通信数据组播设计与实现方案,可以很好地应对战术通信系统的高实时性、低带宽、高动态等特性需求。试验验证了此方案下组播业务需求的满足情况,测试结果表明,所提出的方案可有效提高组播数据在战术通信系统中的传输效率,为战术通信系统的通用组播方案设计提供了参考。 相似文献
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125.
针对铷原予能级跃迁对光谱的特殊需求,设计并制备了795 nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL).根据对VCSEL的光场和模式的分析和计算结果,设计了单模VCSEL芯片结构.采用MOCVD技术生长了外延结构,制备了不同有源区直径的氧化限制型VCSEL芯片并进行了测试.当有源区直径从6 μm减小到3μm时,VCSEL芯片的边模抑制比(SMSR)由8.76 dB增加到34.05 dB,阈值电流由0.77 mA减小到0.35 mA.有源区直径为6,5,4和3μm的VCSEL芯片的输出功率分别为0.37,0.46,0.58和0.44 mW,有源区直径为4μm的VCSEL芯片的远场为圆形光束,发散角为15°.85℃时3.5 μm有源区直径的VCSEL芯片输出功率为0.125 mW,激射波长为795.3 nm.室温3 dB带宽大于8 GHz,满足了铷原子传感器对VCSEL单模光谱、输出功率及调制速率的要求. 相似文献
126.
厄米-高斯光束中带宽对横向强度分布均匀性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
使用惠更斯-菲涅耳衍射积分和傅里叶变换,推导了横向模式为厄米-高斯的激光束通过硬边光阑的传输表达式。利用所得公式通过数值计算详细分析了光束的频带宽度对光束横向强度分布的影响。分析发现激光束通过硬边光阑后会出现大量的强度尖峰,引起近场的强度分布不均匀。然而,当带宽增加时,强度尖峰的数量减少,幅度减小,光束的均匀性得到改善。在远场,光束的横向强度分布没有强度尖峰出现,但宽度随带宽的增加而减小。因此带宽增加会带来近场强度匀滑化和远场光束宽度变窄的效应。另外,数值结果表明带宽对模指数为1和2的厄米-高斯光束的强度分布的影响是类似的,均有近场强度匀滑化和远场光束宽度变窄的效应。 相似文献
127.
128.
Jeffrey Beck Richard Scritchfield Billy Sullivan Jamie Teherani Chang-Feng Wan Mike Kinch Martha Ohlson Mark Skokan Lewis Wood Pradip Mitra Mike Goodwin Jim Robinson 《Journal of Electronic Materials》2009,38(8):1579-1592
The operation of the mid-wave infrared (MWIR) HgCdTe cylindrical electron injection avalanche photodiode (e-APD) is described.
The measured gain and excess noise factor are related to the collection region fill factor. A two-dimensional diffusion model
calculates the time-dependent response and steady-state pixel point spread function for cylindrical diodes, and predicts bandwidths
near 1 GHz for small geometries. A 2 μm diameter spot scan system was developed for point spread function and crosstalk measurements at 80 K. An electron diffusion
length of 13.4 μm was extracted from spot scan data. Bandwidth data are shown that indicate bandwidths in excess of 300 MHz for small unit
cells geometries. Dark current data, at high gain levels, indicate an effective gain normalized dark density count as low
as 1000 counts/μs/cm2 at an APD gain of 444. A junction doping profile was determined from capacitance–voltage data. Spectral response data shows
a gain-independent characteristic. 相似文献
129.
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