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921.
922.
以煤矿供电网越级跳闸现象为研究对象,在分析电流纵联差动保护、级联闭锁工作原理和防越级跳闸保护逻辑的基础上,介绍了一种煤矿供电网防越级跳闸保护装置的研制过程。保护装置以32位ARM处理器MB9BF618S为控制核心,可以实时检测供电网输电线路的工作状态,对输电线路故障进行有效的保护。文中主要叙述了保护装置的总体结构,给出了电流/电压输入模块、开关量输入/输出模块和通信模块的设计方案。该保护装置具有结构简单、操作方便、可靠性高等特点,能够满足煤矿供电网防越级跳闸保护的要求,具有较高的应用价值。  相似文献   
923.
交错并联型Boost PFC相对于单级Boost PFC具有硬件设计相对简单,输出纹波小,功率密度高等优点。本文针对交错型Boost PFC进行了原理分析,包括其工作过程,通过状态空间平均法建立的数学模型,以及电流纹波的分析。最后制作了一台4KW的样机实物,并测试了相关参数。  相似文献   
924.
采用聚乙烯咔唑作为活性层构建了ITO/PVK/Al的三明治结构阻变存储元件,并对其阻变特性进行了测量。结果表明其具有明显的非挥发型双稳态阻变特性, 具有WORM存储特性。该元件具有良好的数据保持能力和耐久能力,开关态电流比可达103,且具有较低的阈值转换电压。分别对低阻态和高阻态的载流子传输机制进行了拟合, 低阻态为欧姆传导机制,高阻态为空间电荷限制电流发射机制。根据载流子传输机制, 对阻变特性进行了解释。  相似文献   
925.
基于挠曲电效应理论,本文对比研究了红、绿、蓝3种单色光对ADS 模式TFT-LCD 闪烁漂移的影响。主要考察了3种单色背光在能量相同以及不同亮度条件下的闪烁漂移和TFT光漏电流[Photo Ioff]特性。实验结果表明Ioff在正常范围内变化时,并不显著影响闪烁漂移量,初步认为:不同光照条件下离子的产生数量和产生速度差异是该条件下导致闪烁漂移的主要因素。  相似文献   
926.
为了能够有效地提高电子的注入和传输能力,改善有机电致发光器件的性能,本文利用CsN3作为n型掺杂剂,对有机电子传输材料Bphen进行n型电学掺杂,制备了结构为ITO/MoO3(2 nm)/NPB(50 nm)/Alq3(30 nm)/Bphen(15 nm)/Bphen:CsN3(15 nm,x%,x=10,15,20)/Al(100 nm)的器件。实验结果表明,CsN3是一种有效的n型掺杂剂,以掺杂层Bphen:CsN3 作为电子传输层,可以有效地降低电子的注入势垒,改善器件的电子注入和传输能力,从而降低器件的开启电压,同时提高了器件的亮度和发光效率。在掺杂浓度为10%时器件的性能最优,开启电压仅为2.3 V,在7.2 V的驱动电压下,达到最大亮度29 060 cd/m2,是非掺杂器件的2.5倍以上。当驱动电压为6.6 V时,达到最大电流效率3.27 cd/A。而当掺杂浓度进一步提高时,由于Cs扩散严重,发光区形成淬灭中心,造成器件的效率下降。  相似文献   
927.
二次型DC-DC变换器拓宽了变换器输入到输出电压的传输比,提高了高传输比场合下的传输效率,与传统变压器相比因为储能元件的增加电路功耗也会增大。为具体分析其工作过程中的功耗,文中考虑了储能元件的内阻等因素,通过计算各元器件电流应力推导出功耗,并研究了变换器工作效率及各个工作参数之间的关系,并通过仿真验证了理论分析的正确性。  相似文献   
928.
有源电力滤波器检测谐波电流的实时性、精确性对电能质量的提高至关重要,文中提出了基于非线性最小二乘法与自适应人工神经网络结合的检测方法。非线性最小二乘法用于检测基波电压的频率,自适应人工神经网络用于检测基波电压的初始相位和基波电流的幅值,由基波电压的频率和初始相位获得单位幅值的基波电流。文中方法在0.02 s内可准确检测出基波和谐波电流,检测精度较传统方法有显著提高,通过仿真验证了该方法的有效性和优越性。  相似文献   
929.
便携式高频地波雷达东海洋山海域探测深度试验   总被引:3,自引:1,他引:3  
为了验证采用紧凑型接收天线的便携式高频地波雷达系统(OSMAR-S)的探测性能,于2007年11月在洋山海域进行了OSMAR-S与其他海洋测量设备的现场探测对比验证试验。试验设计了定点固定水深测量与坐底剖面测量相结合的连续现场对比监测方式,把雷达获得的表面流探测数据与其他设备得到的不同深度的海流观测数据进行对比。通过试验数据分析,OSMAR-S系统的探测深度和精度都得到了验证,能够满足实时监测海洋表面流的需要。同时试验也填补了高频雷达探测深度没有试验验证的空白。  相似文献   
930.
杨燕  赵健雄  陈祝 《微电子学》2016,46(2):198-201, 206
设计了一种最大输出电流为3 A的LDO电路。通过优化误差放大器,并采用两个NMOS管作为调整管,增强了电路上拉和下拉负载电流的能力。采用20 μF的陶瓷电容,保证电路具有足够快的负载瞬态响应,在空载时,电路仅消耗80 μA的负载电流。该芯片能够驱动高达3 A的负载电流,极大地提高了LDO的带载能力,并保持了良好的系统稳定性,具有快速的瞬态响应和较小的输出纹波。  相似文献   
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