一种恒流源驱动的高精度温度测量系统设计

为提高温度测量精度,利用REF200提供的0.4mA恒定电流驱动串联的四线制温度传感器PT1000和精密电阻,在传感器和精密电阻两端分别提取电压信号并对其进行调理,通过高精度AD7712对所得到的电压信号进行放大和A/D转换,设计了一种高精度温度测量系统。为了减小高精度温度测量中铂电阻非线性所引起的误差,在上位机中对数字信号进行了最小二乘法算法处理。测试结果表明,该系统稳定可靠,其随机误差和系统误差均小于0.1℃,实现了高精度温度测量。     

低压高频PWM DC/DC转换器芯片设计

便携式电子设备对电源管理芯片的设计提出了新的挑战。文中采用新的设计方法和思路 ,设计了一个开关电源PWMDC/DC转换器芯片 ,启动电压最低至 1V ,功率管开关频率高达 6 0 0kHz,采用PWM PFM间歇工作方式 ,较好地克服了开关电源轻负载时效率低的问题 ,电源效率一直保持较高 ,适用于寻呼机、手机等便携式电子设备。     

外部光反馈对980nm垂直腔面发射激光器振荡特性的影响

研究了外部光反馈对980nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)振荡特性的影响.计算了垂直腔面发射激光器及边发射半导体激光器的光反馈灵敏因子.基于复合腔理论,分析了外部光反馈对垂直腔面发射激光器的阈值电流及微分量子效率等振荡特性参数的影响.实验结果表明,当反馈率为10%时,垂直腔面发射激光器的阈值电流由0.63A下降至0.59A,同时斜率效率和输出功率也有所下降.实验结果和理论分析符合得较好.     

SOI CMOS器件研究

利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效应(SCE)和漏感应势垒降低效应(DIBL);突起的源漏区增加了源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,增强了器件的电流驱动能力。设计了101级环形振荡器电路,并对该电路进行测试与分析。根据在3V工作电压下环形振荡器电路的振荡波形图,计算出其单级门延迟时间为45ps,远小于体硅CMOS的单级门延迟时间。     

基于偏执电流的双电机伺服系统消隙

由于随动系统的传动过程中存在齿隙,机械传动系统中齿轮轮齿的间隙会形成非线性位置误差,它影响着系统的动态性能和稳态精度,所以在伺服系统中消除齿隙十分必要;通过分析双电机伺服系统的消隙原理,系统建立了基于偏执电流方法的消隙模型,对比消隙前与消隙后的效果,得出偏执电流方法能够很好地消除齿隙这一结论。     

GAT型高速高压功率开关管最大集电极电流的仿真

针对目前 GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题提出一些新的结构改进设想 ,包括改变栅区掺杂浓度以及平面版图设计 ,并对此进行了仿真研究 .结果证明可将最大集电极电流提高到 2 .1倍 ,而对其他特性无明显不良影响     

利用简单电阻偏置网络实现的高线性度电流驱动型无源混频器

A high linearity current communicating passive mixer including the mixing cell and transimpedance amplifier(TIA) is introduced.It employs the resistor in the TIA to reduce the source voltage and the gate voltage of the mixing cell.The optimum linearity and the maximum symmetric switching operation are obtained at the same time.The mixer is implemented in a 0.25μm CMOS process.The test shows that it achieves an input third-order intercept point of 13.32 dBm,conversion gain of 5.52 dB,and a single sideband noise figure of 20 dB.     

Effect of current on the microstructure and performance of (Bi_2Te_3)_(0.2)(Sb_2Te_3)_(0.8) thermoelectric material via field activated and pressure assisted sintering

(Bi_2Te_3)_(0.2)(Sb_2Te_3)_(0.8) thermoelectric material was sintered via a field activated and pressure assisted sintering(FAPAS) process.By applying different current intensity(0,60,320 A/cm~2) in the sintering process,the effects of electric current on the microstructure and thermoelectric performance were investigated.This demonstrated that the application of electric current in the sintering process could significantly improve the uniformity and density of(Bi_2Te_3)_(0.2)(Sb_2Te_3)_(0.8) samples.Whe...     

锁相环频率综合器中高性能电荷泵设计

本文基于0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种新的高性能电荷泵电路。采用宽输入范围的轨到轨运算放大器和自偏置共源共栅电流镜技术提高了电荷泵在宽输出电压范围内的电流匹配精度;同时,提出通过增加预充电电流源技术来提高电荷泵的初始充电电流,以缩短CPPLLs的建立时间。测试结果表明电荷泵在0.4～1.7V输出电压范围内失配电流小于0.4%,充电电流为100μA,预充电电流为70μA。在1.8V电源电压下,电荷泵电路锁定时的平均功耗为0.9mW。     

一种基于单片机的半导体激光器电源控制系统的设计

介绍了一种以C8051F高速单片机为核心的半导体激光器驱动电源的控制系统。半导体激光器的工作电流是通过恒流源及光功率反馈控制的,其中恒流源采用达林顿管作为调整管,他可调整大范围的输出电流,可为半导体激光器提供稳定、连续的电流,并且具有慢启动和保护电路等功能。